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公开(公告)号：CN115172228A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211002235.5
申请日：2022-08-21
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及晶圆保护涂层一体式清洗设备，其包括支架，支架上固定安装有清洗箱体，清洗箱体的顶部封盖有盖板、底部设有升降柱，升降柱的顶端安装有回转盘，回转盘的上表面设有吸盘；清洗箱体自下向上依次设有浸泡腔、第一冲洗腔和第二冲洗腔，浸泡腔与第一冲洗腔之间和第一冲洗腔与第二冲洗腔之间均设有闸门，浸泡腔的顶部设有第一喷淋水管，第一冲洗腔的顶部设有第一药液喷淋管和第二喷淋水管，第二冲洗腔的顶部设有第二药液喷淋管和第三喷淋水管。其解决了晶圆从浸泡转移至清洗过程中无法得到有效保护，导致清洗难度大效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN113502186B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202110759264.5
申请日：2021-07-06
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C10M173/02 , H01L33/48 , C10N40/22
Abstract: 本发明提供一种基于CSP封装技术的LED芯片切割液及其使用方法。该芯片切割液包括重量配比如下的各组分：3‑9份含苯磺酸基团化合物；5‑10份天然植物提取物；1.5‑4份聚氧乙烯醚类化合物；1.5‑4份氨基酸类化合物；6‑9份醇醚类化合物；50‑80份纯水。本发明芯片切割液中的含苯磺酸基团化合物能够将CSP表面的硅树脂催化裂解成小分子硅化合物，裂解成的小分子硅化合物具有水溶性，可以被芯片切割液水溶后带走，解决了芯片表面硅树脂在划片刀高速切割过程受热软化而粘附在划片刀与芯片的表面，以及脏污、崩片等造成的芯片良率低问题；含有苯磺酸基团的化合物可与天然植物提取物协同作用，有利于吸附、溶解切割后的小分子硅化合物。
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公开(公告)号：CN114015312B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111250656.5
申请日：2021-10-26
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C09D133/02 , C09D139/00 , C09D5/08 , C09D5/32 , C09D7/65 , C09D7/20 , C09D179/04 , C09D125/18 , B23K26/38 , B23K26/18 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种激光切割保护材料及其制备方法和用途，以及使用其的晶圆激光切割方法。所述保护材料包括水溶性树脂、润湿剂、紫外线吸收剂、缓蚀剂、有机溶剂和去离子水，通过特定分子量的两种水溶性树脂的组合，以及特定缓蚀剂的协同促进，从而取得了优异的附着力强度、晶圆切割效果且对凸块有着优异的保护作用，在微电子技术的多个工序制程中具有良好的工业应用前景和推广潜力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114015312A
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202111250656.5
申请日：2021-10-26
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C09D133/02 , C09D139/00 , C09D5/08 , C09D5/32 , C09D7/65 , C09D7/20 , C09D179/04 , C09D125/18 , B23K26/38 , B23K26/18 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供一种激光切割保护材料及其制备方法和用途，以及使用其的晶圆激光切割方法。所述保护材料包括水溶性树脂、润湿剂、紫外线吸收剂、缓蚀剂、有机溶剂和去离子水，通过特定分子量的两种水溶性树脂的组合，以及特定缓蚀剂的协同促进，从而取得了优异的附着力强度、晶圆切割效果且对凸块有着优异的保护作用，在微电子技术的多个工序制程中具有良好的工业应用前景和推广潜力。
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公开(公告)号：CN113502186A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110759264.5
申请日：2021-07-06
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C10M173/02 , H01L33/48 , C10N40/22
Abstract: 本发明提供一种基于CSP封装技术的LED芯片切割液及其使用方法。该芯片切割液包括重量配比如下的各组分：3‑9份含苯磺酸基团化合物；5‑10份天然植物提取物；1.5‑4份聚氧乙烯醚类化合物；1.5‑4份氨基酸类化合物；6‑9份醇醚类化合物；50‑80份纯水。本发明芯片切割液中的含苯磺酸基团化合物能够将CSP表面的硅树脂催化裂解成小分子硅化合物，裂解成的小分子硅化合物具有水溶性，可以被芯片切割液水溶后带走，解决了芯片表面硅树脂在划片刀高速切割过程受热软化而粘附在划片刀与芯片的表面，以及脏污、崩片等造成的芯片良率低问题；含有苯磺酸基团的化合物可与天然植物提取物协同作用，有利于吸附、溶解切割后的小分子硅化合物。
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公开(公告)号：CN109735397B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201811592407.2
申请日：2018-12-25
Applicant: 大连奥首科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种LED蓝宝石衬底除蜡除颗粒清洗剂，所述清洗剂包括高支链化润湿剂、乳化剂、消泡剂、高分子共聚分散剂、金属螯合剂、有机胺助剂和超纯水，还涉及所述清洗剂的制备方法、用途和使用该清洗剂的除蜡除颗粒清洗方法。所述LED蓝宝石衬底除蜡除颗粒清洗剂通过特定的组份选择和相互之间的协同促进，从而具有优异的储存稳定性、除蜡和颗粒杂质清除性能，且不含各种有害物质，环境友好，在LED技术领域具有良好的工业应用前景和推广潜力。
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公开(公告)号：CN103676505A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310719197.X
申请日：2013-12-23
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于芯片的光刻胶剥离液、制备方法及去胶工艺，所述剥离液包括剥离剂、润湿剂、有机胺或有机铵盐、缓蚀剂、助剂和有机溶剂。所述剥离液对各种芯片具有良好的光刻胶剥离和溶解能力，能够完全去除光刻胶，无残留，此外还能保证无腐蚀，具有广泛的工业应用潜力和价值。
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公开(公告)号：CN217955815U
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202222198767.2
申请日：2022-08-21
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本实用新型公开了一种晶圆保护涂层一体式清洗装置，属于半导体清洗装置技术领域，包括清洗箱体，所述清洗箱体的顶部封盖有盖板，所述清洗箱体自下向上依次设有浸泡腔、第一冲洗腔和第二冲洗腔，所述浸泡腔与第一冲洗腔之间和所述第一冲洗腔与第二冲洗腔之间均设有闸门，所述清洗箱体的底部设有竖向升降的升降柱，所述升降柱贯穿所述清洗箱体的底面伸入所述清洗箱体内，所述升降柱的顶端固定安装有回转盘，所述回转盘的上表面设有若干个吸盘，所述升降柱的底端通过旋转接头连接真空泵。本实用新型解决了晶圆从浸泡转移至清洗过程中无法得到有效保护，导致清洗难度大效率低的技术问题，广泛应用于晶圆保护涂层清洗中。
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