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公开(公告)号：CN113913236A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111304755.7
申请日：2021-11-05
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C10M173/02 , C10N30/04 , C10N40/22
Abstract: 一种大尺寸硅片游离磨料水基切割液及其制备方法，其属于半导体切割的技术领域。该切割液中包括多元醇及其衍生物、超分散剂、润滑剂、润湿剂和超纯水，多元醇作为主体成分，起到阻燃、冷却效果，有效减少晶片发生翘曲，提高晶片质量。超分散剂以其锚固基团紧吸附于SiC表面，其溶剂化段可伸展于分散介质中形成位阻，避免了绿色碳化硅磨料发生团聚，形成稳定的悬浮分散体系；利用超分散剂溶剂化链的结构特点，使其在多元醇和水中稳定伸展，形成具有高分散性、高悬浮性、易清洗、绿色环保的水基切割液。
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公开(公告)号：CN119432491A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411399299.2
申请日：2024-10-09
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C10M173/02 , B23K26/70 , C10N30/02 , C10N30/18
Abstract: 本发明提供一种抗散射水导激光切割液、其制备方法及应用。本发明抗散射水导激光切割液包括重量配比如下的各组分：抗散射剂0.1‑1份；排泡剂0.01‑0.1份；折射率调整剂1‑5份；超纯水80‑99份。所述抗散射剂为聚合物；所述排泡剂为羟甲基纤维素、羟丙基纤维素、木质素磺酸钠、木质素磺酸钾和萘磺酸甲醛缩合物钠盐中的一种或多种；所述折射率调整剂为含碘化合物和/或含氟化合物。本发明抗散射水导激光切割液能够显著减少水导激光切割过程中光束散射和能量损失，提高切割精度和效率。本发明抗散射水导激光切割液在水导激光切割领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
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公开(公告)号：CN115304967B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210867249.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C09D129/04 , C09D7/63 , C09D7/48 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种水溶性晶圆切割保护液、制备方法、用途和使用其的晶圆切割方法，所述保护液包含聚乙烯醇，所述聚乙烯醇需满足如下条件(i)‑(iii)中的至少一个：(i)、聚合度为300‑2000；(ii)、醇解度为75‑95；(iii)、嵌段分布系数η
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公开(公告)号：CN115172228B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202211002235.5
申请日：2022-08-21
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及晶圆保护涂层一体式清洗设备，其包括支架，支架上固定安装有清洗箱体，清洗箱体的顶部封盖有盖板、底部设有升降柱，升降柱的顶端安装有回转盘，回转盘的上表面设有吸盘；清洗箱体自下向上依次设有浸泡腔、第一冲洗腔和第二冲洗腔，浸泡腔与第一冲洗腔之间和第一冲洗腔与第二冲洗腔之间均设有闸门，浸泡腔的顶部设有第一喷淋水管，第一冲洗腔的顶部设有第一药液喷淋管和第二喷淋水管，第二冲洗腔的顶部设有第二药液喷淋管和第三喷淋水管。其解决了晶圆从浸泡转移至清洗过程中无法得到有效保护，导致清洗难度大效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN116836195A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202310794527.5
申请日：2023-06-30
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C07F5/02 , C09D139/06 , C09D171/02 , C09D133/00 , C09D133/26 , C09D101/28 , C09D5/32 , C09D5/08
Abstract: 本发明提供一种光吸收剂、含有该光吸收剂的激光保护液及其制备方法。所述光吸收剂包含有机氟硼络合物或其盐；其中，所述有机氟硼络合物具有以下结构：#imgabs0#本发明的光吸收剂在可见光区和紫外区均存在吸收峰。并且，本发明的光吸收剂成盐后为水溶型，可以溶解于水中，不需额外加入pH调节剂或络合剂帮助溶解，有效避免芯片产生腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115304967A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210867249.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C09D129/04 , C09D7/63 , C09D7/48 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种水溶性晶圆切割保护液、制备方法、用途和使用其的晶圆切割方法，所述保护液包含聚乙烯醇，所述聚乙烯醇需满足如下条件(i)‑(iii)中的至少一个：(i)、聚合度为300‑2000；(ii)、醇解度为75‑95；(iii)、嵌段分布系数η
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公开(公告)号：CN115172228A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202211002235.5
申请日：2022-08-21
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明涉及晶圆保护涂层一体式清洗设备，其包括支架，支架上固定安装有清洗箱体，清洗箱体的顶部封盖有盖板、底部设有升降柱，升降柱的顶端安装有回转盘，回转盘的上表面设有吸盘；清洗箱体自下向上依次设有浸泡腔、第一冲洗腔和第二冲洗腔，浸泡腔与第一冲洗腔之间和第一冲洗腔与第二冲洗腔之间均设有闸门，浸泡腔的顶部设有第一喷淋水管，第一冲洗腔的顶部设有第一药液喷淋管和第二喷淋水管，第二冲洗腔的顶部设有第二药液喷淋管和第三喷淋水管。其解决了晶圆从浸泡转移至清洗过程中无法得到有效保护，导致清洗难度大效率低的技术问题。
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公开(公告)号：CN119350909A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411358920.0
申请日：2024-09-27
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C09D5/32 , B23K26/38 , C09D129/04 , C09D133/02 , C09D101/28 , C09D171/02 , C09D179/02 , C09D133/26
Abstract: 本发明提供一种多元纳米粒子、复合纳米粒子组合物及其制备方法和应用。所述多元纳米粒子包括金属纳米颗粒、半导体纳米颗粒和介质纳米颗粒；其中，所述金属纳米颗粒、所述半导体纳米颗粒与所述介质纳米颗粒的质量比为1:(5‑10):(10‑20)。本发明的多元纳米粒子能够使复合纳米粒子组合物具有“陷光”纳米结构。本发明的含有该多元纳米粒子的复合纳米粒子组合物，在进行晶圆隐形激光切割时，能够使晶圆表面形貌具有微纳米尺度凹凸结构的“陷光”界面。本发明的该复合纳米粒子组合物能够有效吸收隐形激光，减少反射和散射，从而大幅提高晶圆对隐形激光的吸收率。
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公开(公告)号：CN115651474B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202211291177.2
申请日：2022-10-21
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C09D135/08 , C09D7/63 , C09D9/00 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种能够防止晶圆上CMOS影像感应器受到污染和划伤的保护液、其制备方法、使用方法和专用于其的清洗液和清洗方法，所述保护液包含特定的非水溶性树脂和改性剂。该保护液通过包含特定限制的非水溶性树脂以及其它组分的相互作用，从而可以特别适用于其上具有CMOS影像感应器与其上的晶圆的切割保护，且所述清洗液具有优异的清洗性能，从而所述保护液和清洗液可应用到半导体加工领域中，具有广泛的应用前景和推广价值。
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公开(公告)号：CN113913236B
公开(公告)日：2023-02-10
申请号：CN202111304755.7
申请日：2021-11-05
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C10M173/02 , C10N30/04 , C10N40/22
Abstract: 一种大尺寸硅片游离磨料水基切割液及其制备方法，其属于半导体切割的技术领域。该切割液中包括多元醇及其衍生物、超分散剂、润滑剂、润湿剂和超纯水，多元醇作为主体成分，起到阻燃、冷却效果，有效减少晶片发生翘曲，提高晶片质量。超分散剂以其锚固基团紧吸附于SiC表面，其溶剂化段可伸展于分散介质中形成位阻，避免了绿色碳化硅磨料发生团聚，形成稳定的悬浮分散体系；利用超分散剂溶剂化链的结构特点，使其在多元醇和水中稳定伸展，形成具有高分散性、高悬浮性、易清洗、绿色环保的水基切割液。
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