-
公开(公告)号：CN119144964B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411620242.0
申请日：2024-11-14
Applicant: 大连奥首科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体芯片CMP后清洗液、其制备方法与应用，半导体芯片CMP后清洗液包括重量配比如下的各组分：添加剂1‑10份；缓蚀剂1‑7份；有机碱1‑10份；超纯水80‑90份；所述添加剂优选为N‑(9‑((1R,3R,4R,7S)‑1‑((双(4‑甲氧基苯基)(苯基)甲氧基)甲基)‑7‑羟基‑2,5‑二氧杂双环[2.2.1]庚烷‑3‑基)‑9H‑嘌呤‑6‑基)苯甲酰胺。本发明半导体芯片CMP后清洗液安全、环保、高效，对半导体芯片无腐蚀，其可在无需超声波工艺配合的纯浸泡工艺条件下完成清洗，在半导体芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
-
公开(公告)号：CN119193245B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411710006.8
申请日：2024-11-27
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C11D1/78 , C11D3/22 , C11D3/28 , C11D3/30 , C11D3/32 , C11D3/33 , C11D3/37 , C11D3/60 , H01L21/67 , H01L21/02 , C23G1/00
Abstract: 本发明提供一种半导体钴制程CMP后清洗液、其制备方法与应用，半导体钴制程CMP后清洗液，包括重量配比如下的各组分：环糊精PEG氨基酸类化合物1‑15份；缓蚀剂0.1‑1份；磷酸酯类化合物5‑15份；有机弱碱10‑20份；超纯水60‑80份。本发明还公开了半导体钴制程CMP后清洗液的制备方法，及其在半导体芯片清洗领域的应用。本发明半导体钴制程CMP后清洗液不含强碱、强酸，仍能有效清除有机残留物、颗粒等污染物，且对芯片无腐蚀。本发明半导体钴制程CMP后清洗液对清洗工艺无特殊要求，仅在浸泡的工艺下，即可使芯片上所粘附的有机污染物、各种颗粒洗脱完全，后续仅经过纯水冲洗即可，水洗后无脏污残留。
-
公开(公告)号：CN119432491A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411399299.2
申请日：2024-10-09
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C10M173/02 , B23K26/70 , C10N30/02 , C10N30/18
Abstract: 本发明提供一种抗散射水导激光切割液、其制备方法及应用。本发明抗散射水导激光切割液包括重量配比如下的各组分：抗散射剂0.1‑1份；排泡剂0.01‑0.1份；折射率调整剂1‑5份；超纯水80‑99份。所述抗散射剂为聚合物；所述排泡剂为羟甲基纤维素、羟丙基纤维素、木质素磺酸钠、木质素磺酸钾和萘磺酸甲醛缩合物钠盐中的一种或多种；所述折射率调整剂为含碘化合物和/或含氟化合物。本发明抗散射水导激光切割液能够显著减少水导激光切割过程中光束散射和能量损失，提高切割精度和效率。本发明抗散射水导激光切割液在水导激光切割领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
-
公开(公告)号：CN116836750B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202310771377.6
申请日：2023-06-27
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C10M173/00 , C10M173/02 , H01L21/78 , H01L21/304 , C10N30/12
Abstract: 本申请公开了一种金刚线切割液、其制备方法与应用，以质量份计，切割液包括：10～30份的表面活性剂、10～20份的润湿剂、10～30份的渗透剂、0.5～5份的消泡剂和30～50份的超纯水。本申请的切割液中同时具有含碳氟链的表面活性剂和含碳氢链的表面活性剂，使得切割液具有更加优异的润湿性，有效减少硅片厚度不均以及切割过程的卡线问题；且上述的两种表面活性剂复配后还提高了切割液的缓蚀效果，有效减少切割过程的金刚线断线问题。本申请的切割液具有优异的切割能力，能够起到很好的防腐蚀效果，并有效保护金刚线，保证了切割质量与效率。
-
公开(公告)号：CN116574552B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202310457524.2
申请日：2023-04-25
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C10M173/02 , C10N30/06 , C10N30/04 , C10N30/18
Abstract: 本申请公开了一种薄硅片金刚线切割液、制备方法与用途。其中，以质量份计，切割液包括：润湿剂5‑15份；渗透剂20‑35份；润滑剂10‑15份；消泡剂0.5‑3份；分散剂1‑5份；去离子水40‑60份。本申请的切割液在润湿剂和渗透剂相互协同的作用下，具有安全、环保、清洁、高润湿分散、对硅片无腐蚀的特点，可应用于110‑130μm厚度的太阳能硅片的切割工艺中，保证了良好的切割力，并可以提高切割效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116606630B
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202310581761.X
申请日：2023-05-23
Applicant: 大连奥首科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种研磨液、制备方法及用途，所述研磨液包括重量配比如下的各组分：油性溶剂50‑90份；分散剂1‑10份；触变剂1‑5份；悬浮增效剂1‑5份；稳定剂0.1‑0.5份；电荷斥力剂0.1‑0.5份；纳米粒子0.01‑0.1份；金刚石磨料10‑20份。本发明研磨液适用于蓝宝石、氮化铝、氮化镓或单晶金刚石衬底的精密研磨。本发明研磨液在长时间剪切作用下，磨料仍保持良好的悬浮，具有循环寿命长，磨削效率高的优点；本发明研磨液具有优异的分散作用，能有效地将研磨过程产生的纳米颗粒分散开，避免吸附到磨料表面，避免产生团聚大颗粒，降低研磨产生的划伤。因此，本发明研磨液具有良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。
-
公开(公告)号：CN115304967B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202210867249.7
申请日：2022-07-22
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C09D129/04 , C09D7/63 , C09D7/48 , H01L21/78
Abstract: 本发明提供了一种水溶性晶圆切割保护液、制备方法、用途和使用其的晶圆切割方法，所述保护液包含聚乙烯醇，所述聚乙烯醇需满足如下条件(i)‑(iii)中的至少一个：(i)、聚合度为300‑2000；(ii)、醇解度为75‑95；(iii)、嵌段分布系数η
-
公开(公告)号：CN113913237A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111339242.X
申请日：2021-11-12
Applicant: 大连奥首科技有限公司
IPC: C10M173/02 , C10N30/04 , C10N30/18
Abstract: 本发明提供一种太阳能硅片金刚线切割液、其制备方法及用途。本发明太阳能硅片金刚线切割液，包括质量份如下的各组分：润湿剂10‑30份；渗透剂15‑35份；润滑剂20‑50份；含钠化合物10‑20份；纯水40‑60份。本发明还公开了太阳能硅片金刚线切割液的制备方法。本发明金刚线切割液通过特定组分的润湿剂和渗透剂共同作用，以及润滑剂的复配，能够有效去除182‑210mm大尺寸太阳能硅片切割过程中切割缝隙内的硅粉，提高切割效率，降低切割异常率和脏污率，在太阳能硅片金刚线切割技术领域具有良好的工业应用前景和推广潜力。
-
公开(公告)号：CN109735397A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811592407.2
申请日：2018-12-25
Applicant: 大连奥首科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种LED蓝宝石衬底除蜡除颗粒清洗剂，所述清洗剂包括高支链化润湿剂、乳化剂、消泡剂、高分子共聚分散剂、金属螯合剂、有机胺助剂和超纯水，还涉及所述清洗剂的制备方法、用途和使用该清洗剂的除蜡除颗粒清洗方法。所述LED蓝宝石衬底除蜡除颗粒清洗剂通过特定的组份选择和相互之间的协同促进，从而具有优异的储存稳定性、除蜡和颗粒杂质清除性能，且不含各种有害物质，环境友好，在LED技术领域具有良好的工业应用前景和推广潜力。
-
公开(公告)号：CN103333748B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201310300228.8
申请日：2013-07-17
Applicant: 大连奥首科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种硅片清洗液、制备方法、用途及使用该清洗液的硅片清洗方法，所述清洗液包括含氟表面活性剂、聚氧丙烯聚氧乙烯聚醚、无机碱、络合剂、纤维素衍生物和纯水，其对硅片具有优异的清洗洁净能力，能够彻底除去污染物，提高电子元件的洁净度；此外，所述清洗液具有制备简单、成本低廉、环境友好等诸多优点，具有广阔的研究价值和工业应用前景。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.037 seconds)
