公开(公告)号：CN112786782B

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202110032271.5

申请日：2021-01-11

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  汪子洋 ,  廖立波

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于相变存储器的Sb‑Si3N4薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构是为Sbx(Si3N4)100‑x，其中15≤x≤50；其制备方法步骤如下：采用高纯度圆块Si3N4和Sb作为靶材，通过磁控溅射装置，采用双靶共同溅射方法，通入高纯度氩气作为工作气体，以硅片或者石英片作为衬底材料，对其进行表面沉积；调整Sb直流溅射功率为10~20W，调整Si3N4靶的射频功率为30~60W，在室温下，溅射30min得到Sb‑Si3N4薄膜材料，优点是具有较高的结晶温度和较强的十年数据保持力，较快结晶速度，较好的热稳定性，以及较大的非晶和晶态电阻率。

公开(公告)号：CN106560526B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610250638.X

申请日：2016-04-21

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王慧 ,  王国祥 ,  沈祥 ,  许银生 ,  陈飞飞 ,  吕业刚 ,  聂秋华 ,  焦清 ,  师道田 ,  陈益敏

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种用于光波导的Zn‑Se‑Ge硫系薄膜材料及其制备方法，特点其化学结构式为ZnxSeyGez，其中28

公开(公告)号：CN106847311B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201611137819.8

申请日：2016-12-12

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  徐培鹏 ,  沈祥 ,  戴世勋

IPC: G11B7/2433 ,  G11B7/243 ,  H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型全光存储器件及其制备方法，特点是包括波导、与波导两端相连的布拉格光栅垂直耦合器以及、波导上且与波导平行的相变纳米线，其制备方法步骤包括在硅基底上利用曝光刻蚀工艺制备出波导及其两端的布拉格光栅耦合器，将纳米线转移至波导上，并且与波导平行，采用擦/写光脉冲从波导一端的布拉格光栅耦合器耦合至波导，通过波导上的倏逝场使相变纳米线发生相变，探测光通过波导另一端布拉格光栅耦合器耦合至波导，实时监测器件透过率的变化来读取存储的数据，优点是本器件可以用于高速、高密度、低功耗的全光网络集成存储芯片。

公开(公告)号：CN105304815B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201510711574.4

申请日：2015-10-28

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王苗 ,  吕业刚 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种用于低功耗相变存储器的多层纳米复合薄膜材料及其制备方法，特点是多层纳米复合薄膜材料为GaSb/Sb多层复合薄膜，其结构符合通式：[GaSb(a)/Sb(b)]x，式中a、b分别表示所述的单层GaSb和单层Sb薄膜的厚度，3≤a≤7nm，b=2nm，x表示单层GaSb和单层Sb薄膜的交替周期数或者交替层数，x=13，17或者24，其由GaSb合金靶和Sb单质靶在磁控溅射镀膜系统中通过双靶交替溅射获得，具有较高的结晶温度，较好的热稳定性和较低的功耗。

公开(公告)号：CN108075039A

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201711173404.0

申请日：2017-11-22

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王国祥 ,  李超 ,  聂秋华 ,  沈祥 ,  吕业刚 ,  张亚文

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开了一种纳米复合ZnO-ZnSb相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是其材料化学结构式为(ZnSb)100-x(ZnO)x，0

公开(公告)号：CN106847311A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611137819.8

申请日：2016-12-12

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  徐培鹏 ,  沈祥 ,  戴世勋

IPC: G11B7/2433 ,  G11B7/243 ,  H01L45/00

CPC classification number: G11B7/2433 ,  G11B7/243 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1213 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明公开了一种基于相变纳米线的集成型全光存储器件及其制备方法，特点是包括波导、与波导两端相连的布拉格光栅垂直耦合器以及、波导上且与波导平行的相变纳米线，其制备方法步骤包括在硅基底上利用曝光刻蚀工艺制备出波导及其两端的布拉格光栅耦合器，将纳米线转移至波导上，并且与波导平行，采用擦/写光脉冲从波导一端的布拉格光栅耦合器耦合至波导，通过波导上的倏逝场使相变纳米线发生相变，探测光通过波导另一端布拉格光栅耦合器耦合至波导，实时监测器件透过率的变化来读取存储的数据，优点是本器件可以用于高速、高密度、低功耗的全光网络集成存储芯片。

公开(公告)号：CN106384783A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610836230.0

申请日：2016-09-21

Applicant: 宁波大学

Inventor： 王正来 ,  王国祥 ,  王慧 ,  沈祥 ,  谷婷 ,  吕业刚 ,  陈飞飞

IPC: H01L45/00 ,  C22C30/06

CPC classification number: H01L45/00 ,  C22C30/06

Abstract: 本发明公开了ZnO掺杂Ge2Sb2Te5相变存储薄膜材料及其制备方法，特点是其化学结构式为(ZnO)x(GST)100-x，其中0

公开(公告)号：CN105280814A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510617080.X

申请日：2015-09-24

Applicant: 宁波大学

Inventor： 吕业刚 ,  沈祥 ,  王国祥 ,  戴世勋 ,  李敏华

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/62

Abstract: 本发明公开了一种新型相变存储单元及其制备方法，特点是半导体衬底上设置有呈水平分布的多层电极，多层电极的中间从下到上依次嵌设有相变存储薄膜及介质层，多层电极由至少两种不同的导电材料层按顺序上下交替排列形成至少10层界面结构，导电材料为TiN、Ti、Al、W、Ag、Au、Cu、TiW、HfN、WN、TaN或AlN，相变存储薄膜为存储材料Ge-Sb-Te体系，介质层采用的材料为Si3N4-或SiO2-，半导体衬底采用的材料为Si、SiC或SOI，多层电极的总厚度为150～500 nm，单层导电材料层的厚度为2-15nm，优点是有效地降低热量流失，充分提高加热效率，进而降低操作电流，实现低功耗。