一种用于中红外的氟化物透镜光纤装置及制备方法

    公开(公告)号:CN117008255A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202310808661.6

    申请日:2023-07-04

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种用于中红外的氟化物透镜光纤装置及制备方法,特点是包括从输入端到输出端依次分布的氟化物光纤段、过渡段、锥腰段和微球透镜段,氟化物光纤段包括从外至内依次分布的涂覆层、包层和纤芯,过渡段包括从外至内依次分布的包层和纤芯且直径从输入端到输出端依次减小,过渡段的最小直径的范围为10~30μm,锥腰段包括从外至内依次分布的包层和纤芯且直径与过渡段的最小直径始终相同,微球透镜段的直径与锥腰段相同;优点是制备工艺不仅简单高效,操作简单,而且耦合效率高,耦合效果受光纤的抖动影响较小。

    一种硫系光纤端面镀膜方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114540781A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210165401.7

    申请日:2022-02-23

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明涉及一种硫系光纤端面镀膜方法,包括取待镀膜的硫系光纤,将位于该硫系光纤的至少一端部的涂覆层剥离掉,露出光纤包层;将已露出光纤包层的硫系光纤端部的端面做平整化处理,得到平整的光纤端面;以及在室温下采用金属氧化物材料作为镀膜靶材,利用磁控溅射方法对该硫系光纤平整的光纤端面做镀膜处理,得到端面镀膜后的硫系光纤。通过选用金属氧化物材料作为镀膜靶材,利用磁控溅射方法对该硫系光纤的两个平整的光纤端面分别做镀膜处理,可以减少光线经镀膜的光纤端面进入硫系光纤空间传输过程中的菲涅尔损耗,提高耦合效率;通过对待镀膜硫系光纤的各端面做镀膜处理,还可提高各端面的损伤阈值,实现光线在该硫系光纤中的高功率传输。

    一种单层光学薄膜任意波长处折射率的获取方法

    公开(公告)号:CN107356559B

    公开(公告)日:2020-05-08

    申请号:CN201710403760.0

    申请日:2017-06-01

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明公开了一种单层光学薄膜任意波长处折射率的获取方法,首先通过改进的Swanepoel的方法获得该薄膜的厚度、透射光谱曲线峰谷附近对应的取得整数和半整数位置的干涉级次,然后利用干涉方程以及透射曲线方程在任一波长λo处设置不同的干涉级次值得到一系列离散的理论透过率数据,在该数据中找出与波长λo对应的透过率大小值最接近的理论透过率值,将该理论透过率值对应的干涉级次作为该波长对应的干涉级次,进而求出该波长对应的折射率,最终获得薄膜任一波长处的折射率。

    一种高纯度多光谱硫卤玻璃的制备装置及制备方法

    公开(公告)号:CN106587603B

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201611027905.3

    申请日:2016-11-16

    Abstract: 本发明公开了一种高纯度多光谱硫卤玻璃的制备装置及制备方法,该制备装置包括石英管组、由第一电加热炉及固液分离容器和连接于固液分离容器的下部的漏料管组成的用于镓分离提纯的固液分离提纯装置、由第二电加热炉和真空泵组成的水分去除提纯装置、由第三电加热炉和循环水冷机构组成的蒸馏提纯装置;优点是利用固液分离提纯装置来对高沸点原料镓进行提纯,可有效去除原料镓表面的氧化物杂质;利用水分去除提纯装置,再配以有机除水剂,能有效去除游离水和结晶水,且能避免引入新的杂质;利用蒸馏提纯装置实现针对含卤化物硫系玻璃的蒸馏提纯,循环水冷机构可有效防止蒸馏过程中卤化物的分解挥发出卤素单质使除氧剂失效,避免达不到提纯效果。

    大尺寸硫系玻璃的制备方法

    公开(公告)号:CN106517739B

    公开(公告)日:2019-02-22

    申请号:CN201611026723.4

    申请日:2016-11-15

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明涉及一种大尺寸硫系玻璃的制备方法,其所使用的硫系玻璃制备装置包括炉体以及位于炉体外部用以控制各部件工作的中控台,炉体包括有真空室以及具有侧炉门的退火炉,在检查硫系玻璃制备装置的各部件工作状态参数正常后,将锗、锑和硒按预设摩尔百分比的比例配置好的硫系玻璃原料装入坩埚推杆上的坩埚内,并通过在真空环境下调整真空室内温度、坩埚内的温度和转速,以充分均匀搅拌玻璃态的硫系玻璃,并通过调整冷却模具的尺寸大小,以得到具有较高纯度的大尺寸硫系玻璃产品。

    掺铜的 Ge-Ga-S 硫系玻璃及其制备方法

    公开(公告)号:CN104649578B

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201510095378.9

    申请日:2015-03-04

    Applicant: 宁波大学

    Abstract: 本发明基于硫系玻璃调控模型和玻璃结构动力学研究,提出了一种掺铜的Ge‑Ga‑S硫系玻璃及其制备方法。本发明掺铜的Ge‑Ga‑S硫系玻璃的组成式为(1‑a)GexGaySz‑aCu,其中x、y、z和a分别代表Ge、Ga、S和Cu的摩尔分数,1≤x≤40,1≤y≤20,40≤z≤98,0<a<1,Cu以含铜化合物的形式引入,其三阶非线性折射率n2最高可达1.48×10‑17m2/W,高于含As硫系玻璃,具有较好的三阶非线性性能,同时具有良好的近红外透过特性。

    一种Te基全硫系光波导的制备方法

    公开(公告)号:CN105549152A

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201610046599.1

    申请日:2016-01-22

    Applicant: 宁波大学

    CPC classification number: G02B6/13 C23C14/35 G02B6/132

    Abstract: 本发明公开了一种Te基全硫系光波导的制备方法,其包括以下步骤:①取一块硫系玻璃作为衬底;然后在硫系玻璃的光滑的上表面上镀设一层Ge-Sb-Se硫系薄膜;接着在Ge-Sb-Se硫系薄膜上涂覆一层光刻胶;②利用具有所需掩膜结构的掩膜板对步骤①得到的基材进行曝光和显影,得到具有掩膜结构的基材;③在步骤②得到的具有掩膜结构的基材上镀设一层Ge15Ga10Te75硫系薄膜;④将步骤③得到的基材完全浸入有机溶剂中,利用有机溶剂溶解步骤③得到的基材中的光刻胶,同时带走了位于光刻胶上方的Ge15Ga10Te75硫系薄膜,形成Te基全硫系光波导;优点是其制备得到的Te基全硫系光波导具有更宽的光透过范围,且对光具有很好的限域作用,能够有效地减少传输损耗。

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