公开(公告)号：CN104067175A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201380006128.2

申请日：2013-01-25

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 染谷安信 ,  桥本圭祐 ,  新城彻也 ,  西卷裕和 ,  柄泽凉 ,  坂本力丸

IPC: G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08L61/30 ,  G03F7/26 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08G12/26 ,  C08G16/0275 ,  C08G73/06 ,  C08G73/0627 ,  C09D161/26 ,  C09D179/04 ,  G03F7/094 ,  H01L21/3088

Abstract: 本发明提供用于形成兼有干蚀刻耐性、耐热性的抗蚀剂下层膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物。因而提供了含有具有下式(1)所表示的结构单元的聚合物的抗蚀剂下层膜形成用组合物，优选式(1)中的R3为氢原子，n1和n2都是0。提供给了含有下述工序的半导体装置的制造方法：在半导体基板上使用本发明的抗蚀剂下层膜形成用组合物而形成下层膜的工序、在其上形成硬掩模的工序、进而在其上形成抗蚀剂膜的工序、通过光或电子束的照射和显影而形成抗蚀剂图案的工序、通过该抗蚀剂图案而蚀刻硬掩模的工序、通过图案化了的硬掩模而蚀刻该下层膜的工序、和通过图案化了的下层膜而加工半导体基板的工序。

公开(公告)号：CN103635858A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201280033067.4

申请日：2012-07-05

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 新城彻也 ,  染谷安信 ,  桥本圭祐 ,  柄泽凉

IPC: G03F7/11 ,  C08G61/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/3081 ,  C08F26/12 ,  C08F226/06 ,  C08G61/124 ,  C08G2261/3241 ,  C08G2261/3325 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/30604

Abstract: 本发明的课题是提供n值高，k值低，在与含有硅的中间层组合使用的3层工艺中可以有效地降低波长193nm的光从基板反射的光刻工艺中使用的抗蚀剂下层膜。作为解决本发明课题的方法是一种在光刻工序中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其包含聚合物，所述聚合物包含下述单元结构，所述单元结构包含稠杂环化合物与二环化合物的反应物。稠杂环化合物为咔唑或取代咔唑。二环化合物为二聚环戊二烯、取代二聚环戊二烯、四环［4.4.0.12,5.17,10］十二碳－3,8－二烯、或取代四环［4.4.0.12,5.17,10］十二碳－3,8－二烯。

公开(公告)号：CN101506736B

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN200780031573.9

申请日：2007-08-20

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 堀口有亮 ,  新城彻也 ,  竹井敏

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31144 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明的课题是提供一种光刻用形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物在半导体装置制造的光刻工艺中使用。作为本发明的解决问题的方法是，提供一种在半导体制造装置的光刻工艺中使用的形成抗蚀剂下层膜的组合物，该组合物含有树脂(A)、液体添加剂(B)和溶剂(C)。该液体添加剂(B)是脂肪族聚醚化合物。该液体添加剂(B)是聚醚多元醇、聚缩水甘油醚或它们的组合。本发明还提供一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：将形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，然后进行烘烤，从而形成抗蚀剂下层膜的工序；在该下层膜上形成光致抗蚀剂层的工序；将被覆有抗蚀剂下层膜和光致抗蚀剂层的半导体基板进行曝光的工序；以及，曝光之后进行显影的工序。

公开(公告)号：CN100573327C

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200480031792.3

申请日：2004-10-29

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  境田康志 ,  新城彻也

IPC: G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种光刻用下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有至少50%的羟基成为酯基的糊精酯化合物、交联性化合物和有机溶剂。

公开(公告)号：CN101107569A

公开(公告)日：2008-01-16

申请号：CN200680002801.5

申请日：2006-01-06

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  新城彻也 ,  桥本圭祐 ,  境田康志

IPC: G03F7/11 ,  C08F20/28 ,  C08F20/32 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/091 ,  C08F220/28 ,  C08F220/32 ,  G03F7/094

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的、具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合、可以使具有纵横比很大的孔的半导体基板的表面平坦化的下层膜，以及用于形成该下层膜的形成光刻用下层膜的组合物。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成光刻用下层膜的组合物，其含有：具有2个以上的被保护的羧基的化合物、具有2个以上的环氧基的化合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN100351309C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN200480022026.0

申请日：2004-07-30

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  岸冈高广 ,  境田康志 ,  新城彻也

IPC: C08L33/06 ,  H04N1/38 ,  H04N1/387

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其含有：具有被保护的羧基的化合物、具有可以与羧基反应的基团的化合物、和溶剂，或者一种形成下层膜的组合物，其含有：具有可以与羧基反应的基团和被保护的羧基的化合物、和溶剂。

公开(公告)号：CN1830202A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480022026.0

申请日：2004-07-30

Applicant: 日产化学工业株式会社

Inventor： 竹井敏 ,  岸冈高广 ,  境田康志 ,  新城彻也

IPC: H04N1/38 ,  H04N1/387

Abstract: 本发明的课题在于提供一种在半导体器件制造的光刻工艺中使用的形成光刻用下层膜的组合物，并提供一种下层膜，其具有大于光致抗蚀剂的干蚀刻速度，并且不与光致抗蚀剂发生混合。本发明通过提供下述组合物解决了上述课题，即，一种形成下层膜的组合物，其含有：具有被保护的羧基的化合物、具有可以与羧基反应的基团的化合物、和溶剂，或者一种形成下层膜的组合物，其含有：具有可以与羧基反应的基团和被保护的羧基的化合物、和溶剂。