公开(公告)号：CN100561739C

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200610080989.7

申请日：2006-05-26

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  星正胜 ,  田中秀明 ,  林哲也 ,  筱原俊朗 ,  山上滋春

IPC: H01L27/06

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包括：第一导电型的第一半导体基体；第一切换机构，其设置在第一半导体基体上，被布置和构造成切换流过半导体装置的电流的接通/断开；以及第一反向阻断异质结二极管，其设置在半导体基体上，被布置和构造成阻断与由第一切换机构切换而接通/断开的电流反向的电流。

公开(公告)号：CN100502002C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200710097689.4

申请日：2007-04-28

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/0255 ,  H01L28/20 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/866

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。为了防止场效应晶体管的电击穿而隔着场氧化膜形成在N-型漏极区域上的静电放电保护元件和保护电阻器，分别构成为一个或多个第一层的N+型多晶硅区域和第二层的P+型多晶硅区域的堆叠型双向齐纳二极管、以及一个或多个第一层的N+型电阻器层和第二层的N+型电阻器层的堆叠型电阻器。多个第一层的N+型多晶硅区域的一端连接到外部栅电极端子，而另一端连接到源电极。多个第一层的N+型电阻器层的一端连接到栅电极，而另一端连接到外部栅电极端子。通过使用形成异质半导体区域和栅电极的半导体膜，分别形成第一层和第二层的半导体区域。

公开(公告)号：CN101223629A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200680026370.6

申请日：2006-06-26

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 山上滋春 ,  星正胜 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  下井田良雄

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/78 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种制造具有多晶硅层(5)的半导体装置的方法，该方法包括：在多晶硅层(5)上形成掩模层(7)的步骤；形成设置在掩模层(7)的侧面上并覆盖部分多晶硅层(6)的侧壁(8)的步骤；通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模向多晶硅层(5)中掺入杂质(52)的步骤；以及通过使用掩模层(7)和侧壁(8)其中至少之一作为掩模蚀刻多晶硅层(5，6)的步骤。

公开(公告)号：CN101101879A

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200710122884.8

申请日：2007-07-06

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 林哲也 ,  星正胜 ,  下井田良雄 ,  田中秀明 ,  山上滋春

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。制备由半导体材料制成的半导体衬底，并在半导体衬底上形成异质半导体区，以在异质半导体区和半导体衬底之间的界面处形成异质结。异质半导体区由带隙与该半导体材料的带隙不同的半导体材料制成，异质半导体区的一部分包括膜厚薄于异质半导体区的其它部分的膜厚的膜厚控制部分。通过以等于膜厚控制部分的膜厚的厚度氧化异质半导体区，形成与异质结相邻的栅绝缘膜。在栅绝缘膜上形成栅电极。这使得可以制造包括具有较低的导通电阻以及较高的绝缘特性和可靠性的栅绝缘膜的半导体装置。

公开(公告)号：CN101043054A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710086928.6

申请日：2007-03-22

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 下井田良雄 ,  林哲也 ,  田中秀明 ,  山上滋春 ,  星正胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/267 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。减小具有异质结的半导体装置的场效应晶体管的阻抗。形成从多晶硅异质半导体区(与形成在SiC的基底区上的漏区形成异质结)的表面延伸到漏区的沟槽。此外，在远离沟槽的侧壁的位置形成栅绝缘膜、异质半导体区以及漏区相接处的场效应晶体管的驱动点。

公开(公告)号：CN111869074B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201880090662.9

申请日：2018-03-07

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 甲斐敏祐 ,  山上滋春 ,  林哲也 ,  图子祐辅 ,  下村卓

IPC: H02M3/155

Abstract: 通过控制开关元件(S)的开关频率以及表示开关元件的导通期间的占空比之中的至少任一个，确保从开关元件的两端电压在开关元件的截止状态中通过谐振电路(L0，C0)达到零电压后至开关元件导通为止的延迟时间，并使开关元件在延迟时间内接通。

公开(公告)号：CN111699560B

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN201880088719.1

申请日：2018-02-06

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 竹本圭佑 ,  林哲也 ,  倪威 ,  丸井俊治 ,  田中亮太 ,  山上滋春

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

Abstract: 半导体装置具备：在基板的主面形成的主槽、与主槽的表面接触而形成的半导体区域、至少与主槽的侧面的相反侧的半导体区域的表面接触而形成并在半导体区域产生二维电子气体层的电子供给区域、与二维电子气体层接触且相互分离而形成的第一电极和第二电极。

公开(公告)号：CN109416967B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201680086940.4

申请日：2016-06-21

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 图子祐辅 ,  林哲也 ,  早见泰明 ,  倪威 ,  山本明满

IPC: H01F5/06 ,  H01F27/28

Abstract: 能够兼得电感的提高和电流密度的提高这两者。一种电感器(1A)，将基板(2)用作母材，并具备磁芯部(3)及线圈部(4)、形成于线圈部(4)的导体(40)间的绝缘部(5)、将磁芯部(3)及线圈部(4)与外部连接的端子部(6、7)。根据在线圈部(4)流动的电流生成的磁场的主要方向为基板(2)的平面方向。在线圈部(4)的至少一部分，将线圈部(4)的长方形状截面积(S1)的宽度(w)和厚度(t)双方设定为比绝缘部(5)的宽度(d)大。

公开(公告)号：CN113330578A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN201980089860.8

申请日：2019-01-21

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 丸井俊治 ,  林哲也 ,  沼仓启一郎 ,  倪威 ,  田中亮太 ,  竹本圭佑

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。

公开(公告)号：CN112534569A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN201880096226.2

申请日：2018-08-01

Applicant: 日产自动车株式会社

Inventor： 丸井俊治 ,  林哲也 ,  沼仓启一郎 ,  倪威 ,  田中亮太

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06

Abstract: 具备：具有彼此相对的第一主面(11)和第二主面(12)、在第一主面(11)形成有槽的导电性的半导体基板(10)；以及沿着槽的侧面的面法线方向层叠的、分别为第一导电层(2A)和第二导电层(2B)的多个导电层；分别配置在多个导电层中最接近槽的侧面的导电层与槽的侧面之间、以及多个导电层的相互之间的介电层(30)；配置在槽的外部、与第一导电层(2A)电连接的第一电极(41)；配置在槽的外部、与第二导电层(2B)电连接的第二电极(42)，第一导电层(2A)与半导体基板(10)电绝缘，在槽的内部与第二导电层(2B)电连接的半导体基板(10)和第二电极(42)电连接。