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公开(公告)号：CN112760603A
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201911064777.3
申请日：2019-11-01
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法。采用射频掠射角磁控溅射技术，以氧化铟为靶材，将基片平面法线与靶材平面法线形成的掠射角控制在80°～90°，在硅基片表面沉积氧化铟薄膜，之后将试样置于马弗炉中在400～600℃条件下进行热处理。本发明制备的氧化铟气敏薄膜具有多孔柱状结构，能在150℃的较低温度下检测1ppm的二氧化氮气体，克服了传统粉末状气敏材料工作温度较高的缺点，同时本发明用于气体传感器领域可避免传统气敏粉末的二次转移过程，且与微电子工艺兼容、易于实现硅基集成、适用于工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN112146796A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010980512.4
申请日：2020-09-17
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明的一种柔性应力传感器，包括应变感应层、电极和柔性封装层，应变感应层与电极电连接，柔性封装层包裹应变感应层、电极，电极包括银浆和导线，导线的一端通过银浆粘接在应变感应层上，导线的另一端被引至柔性封装层的外部。柔性应力传感器的制备方法，包括以下步骤：将石墨烯墨水涂覆到下层柔性聚合物基底上，待石墨烯墨水自然风干成石墨烯薄膜；在石墨烯薄膜的两端分别涂覆银浆，将导线的一端粘接在石墨烯薄膜的一端涂覆的银浆上、将导线的另一端引至柔性封装层的外部；柔性聚合物基底对自然风干后的石墨烯薄膜和电极进行绝缘封装。本发明成本低廉且简单易行，耐用性好，不论尺寸大小均能够适应规模化生产。
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公开(公告)号：CN111380929A
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811617497.6
申请日：2018-12-27
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N27/26 , G01N27/327 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/66
Abstract: 本发明公开了一种基于FinFET制造工艺的硅纳米线细胞传感器。该细胞传感器采用CMOS兼容的“自上而下”形成的纳米线结构，包括：在SO1衬底上的通过FinFET制造工艺形成的Si纳米线、通过光刻、磁控溅射和剥离工艺制备的金电极；在该细胞传感器的表面具有通过原子层沉积法形成的高k栅介质层。本发明的细胞传感器能够对活体细胞进行快速、准确、无损和高灵敏度的检测，而且该细胞传感器具有微型化、可集成、制作成本低和可循环利用的等优点。
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公开(公告)号：CN111039576A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911345826.0
申请日：2019-12-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C03C17/36 , C01G23/047 , H01L51/42 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种用于钙钛矿太阳能电池的二氧化钛纳米花结构介孔层制备方法，所述介孔层为纳米花结构TiO2，通过水热工艺控制，优化纳米花结构TiO2的形貌，通过旋涂工艺控制，优化介孔层的厚度。由于介孔层有利于电子空穴对分离和电子的传输，可提高钙钛矿太阳能电池的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN111017985A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911345035.8
申请日：2019-12-24
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种CuO/ZnO基半导体丙酮气敏材料的制备方法，包括以下步骤：将硝酸锌·六水合物、硝酸铜·三水合物和尿素加入到去离子水中，得到前驱体溶液；将前驱体溶液转移到聚四氟乙烯衬里高压反应釜中，将反应釜放入电炉中反应，得到铜锌氢氧化碳酸盐复合物；将复合物离心洗涤后干燥，得到蓝色粉体；将蓝色粉体置于马弗炉中在空气气氛下退火，得到黑色多孔状氧化铜/氧化锌复合粉体材料后研磨，得到对丙酮气体具有高选择性的CuO/ZnO基半导体丙酮气敏材料。本发明操作简便，材料低温响应性能良好，解决了传统ZnO基材料在低温下对丙酮气体几乎没有响应且选择性很差的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110635023A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910938037.1
申请日：2019-09-30
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电传感器及其制备方法。所述磁电传感器包括磁电复合薄膜，该薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极层、AlN压电层、Ta隔离层和FeGaB磁致伸缩层。所述薄膜的制备方法为：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法依次沉积Ti薄膜、Pt薄膜、AlN薄膜、Ta薄膜、FeGaB薄膜。本发明的磁电传感器是包括FeGaB和AlN的多层结构薄膜，具有灵敏度高、磁机电耦合性能优良等优点。
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公开(公告)号：CN110590845A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910948252.X
申请日：2019-10-08
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C07F9/6561 , C09K19/34
Abstract: 本发明属于半导体设计技术领域，尤其涉及一种基于烷基链调整热力学性能的有机半导体设计、分析和筛选方法，其包括以下步骤，在有机半导体材料结构中修饰不同长度的烷基链结构，随后对材料进行热力学性能分析，并根据热力学性能对材料进行筛选。本发明的方法，为材料设计、性能优化以及高性能半导体材料筛选提供依据。
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公开(公告)号：CN110455874A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910777866.6
申请日：2019-08-22
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域的一种CoSn双金属氧化物半导体材料及其制备方法。所述材料由不同摩尔比例的Co和Sn纳米颗粒组成，Co和Sn的摩尔比为0.1-10，纳米颗粒粒径为20-50nm。本发明的材料可作为气敏检测材料，对环境中甲烷、乙醇、氨气等气体进行检测，其制备简便，收率高，具有检测温度低、基线平稳、灵敏度高等诸多性能优势。
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公开(公告)号：CN117288824B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311574811.8
申请日：2023-11-23
Applicant: 有研(广东)新材料技术研究院 , 有研工程技术研究院有限公司 , 北京大学人民医院(北京大学第二临床医学院)
IPC: G01N27/414 , G01N15/01
Abstract: 本发明公开了一种基于硅纳米线场效应传感器的测试系统，属于细胞传感器领域，包括表面设置有多道栅槽的传感器芯片，栅槽两端设置有电极点，传感器芯片上盖有贯穿地设置了伸缩探针的压板，压板与传感器芯片之间夹有弹性围堰，弹性围堰位于栅槽的两端之间，压板上设置有连通弹性围堰围合区域的样品口，每一伸缩探针向下伸出时，与一个电极点电连接。压板、弹性围堰、传感器芯片围成存放样品的腔体，无需人工精确对准栅槽位置，只需将输液管插入样品口即可，便于利用注射泵加样，加样时可直接铺满存放样品的腔体的底部，无需担心液体样品沾湿电极点，有利于保证每次泵入在传感器芯片表面的液体区域一致。
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公开(公告)号：CN116448713A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310701371.1
申请日：2023-06-14
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC: G01N21/3586 , G01N27/22
Abstract: 本发明涉及传感器领域，具体涉及一种基于Mie谐振效应的太赫兹生物传感器及其制备方法和应用。传感器结构包括：底层，设置在底层上面的圆柱阵列，所述圆柱阵列包括多个均匀分布的呈圆柱状的介电材料，所述底层为硼硅酸盐玻璃或石英玻璃。制备方法包括：介电材料晶圆片与硼硅酸盐玻璃或石英玻璃进行阳极键合，在介电材料表面涂胶、曝光，刻蚀，形成圆柱阵列，采用H2SO4、H2O2溶液的混合液清洗，然后氧等离子体处理，使用3‑氨丙基三乙氧基硅烷溶液浸泡，用碳二亚胺、N‑羟基硫代琥珀酰亚胺溶液和待测生物样品对应的抗体溶液混合浸泡。本发明基于Mie谐振原理制备了新结构的生物传感器，有较高灵敏度。
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