公开(公告)号：CN100568506C

公开(公告)日：2009-12-09

申请号：CN200680013537.5

申请日：2006-04-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  三谷觉 ,  关博司

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L43/08 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0083 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/101 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/8615 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147

Abstract: 第一电极层，包括互相平行地延伸的多条第一电极线(W1、W2)。状态变化层，形成在第一电极层上，并且包括具有二极管特性和可变电阻特性的多个状态变化物(60-11、60-12、60-21、60-22)。第二电极层，形成在状态变化层上，并且包括互相平行地延伸的多条第二电极线(B1、B2)。多条第一电极线和多条第二电极线，从叠层方向看时夹着状态变化层互相交叉。状态变化物(60-11)，形成在第一电极线(W1)和第二电极线(B1)交叉的位置的、该第一电极线与该第二电极线之间。

公开(公告)号：CN101542730A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200880000421.7

申请日：2008-03-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 神泽好彦 ,  片山幸治 ,  藤井觉 ,  村冈俊作 ,  小佐野浩一 ,  三谷觉 ,  宫永良子 ,  高木刚 ,  岛川一彦

IPC: H01L27/10 ,  G11C13/00 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: H01L27/101 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

Abstract: 本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用了该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(107)；和存在于第一电极(103)与第二电极(107)之间、且电阻值根据施加在两电极(103)、(107)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(106)，该电阻变化层(106)具有叠层有具有由TaOx(其中，0≤x＜2.5)表示的组成的第一含钽层、和具有至少由TaOy(其中，x＜y)表示的组成的第二含钽层的叠层结构。

公开(公告)号：CN101501849A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200780028882.0

申请日：2007-08-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村冈俊作 ,  藤井觉 ,  三谷觉 ,  小佐野浩一

IPC: H01L27/10 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供存储元件、存储器装置和半导体集成电路。存储元件包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜(2)，该电阻变化膜(2)以与第一电极和第二电极连接的方式介于两电极之间，其电阻值根据两电极之间的电压而改变，电阻变化膜(2)包括由Fe3O4构成的层(2a)和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，由Fe3O4构成的层(2a)形成得厚于由上述Fe2O3或上述尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，其中，M是除Fe以外的金属元素。

公开(公告)号：CN1134189A

公开(公告)日：1996-10-23

申请号：CN95190793.X

申请日：1995-08-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村宽 ,  三谷觉

IPC: G01D5/245

CPC classification number: G01D5/145 ,  G01P3/487 ,  G01R33/09 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903

Abstract: 本发明涉及一种采用铁磁薄膜磁致电阻元件的磁信号检测装置，其利用小的偏磁磁场，通过使薄膜磁致电阻元件在磁化方向实现最佳产生高线性度的最大输出。沿相对于电流I的方向即在基片(1)上的薄膜磁致电阻元件的长度方向成近于56°的方向施加偏磁磁场Hb，使磁化强度M的方向约为45°，以便在电源端(4，5)之间得到高线性的输出。