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公开(公告)号：CN1692281A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100596.2
申请日：2003-12-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N33/531
Abstract: 本发明涉及测定试样中含有的抗原或抗体被测物的方法，该方法是将选自具羟基的二元羧酸、具双键的二元羧酸、化学式(1)：HOOC(CH2)nCOOH(n为整数)所表示的直链二元羧酸以及它们的盐中至少一种的化合物，与上述被测物特异性结合的特异结合物质——抗体或抗原与上述试样混合，得到酸性反应液，在该反应液中检测因上述被测物与上述特异结合物质结合的抗原抗体反应而产生的抗原－抗体复合物。由此可以提高测定值，使由于在抗原过剩区发生环带现象而导致的对测定范围的限定得到放宽。
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公开(公告)号：CN1576843A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063761.8
申请日：2004-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N33/536 , G01N21/49 , G01N21/59 , G01N33/543 , G01N33/531
CPC classification number: G01N33/557
Abstract: 本发明提供一种简便并且测定精度高的免疫学测定方法以及该方法中使用的免疫学测定装置。在步骤St1构建含有被测定物质或特异结合物质的反应体系，开始光学的变化量的测定，在步骤St2将特异结合物质和被测定物质进行混合，作为离散的测定数据获得光学变化量随时间的变化。在步骤St3，选择在上述测定数据中包括光学变化量的增加率变为最大的时刻在内的时间区间。在步骤St4，将选择的时间区间作为周期函数的一个周期，通过对光学变化量的测定数据进行离散傅立叶变换处理，获得振幅光谱分布。在步骤St5，根据上述振幅光谱分布的形状，判定在上述反应中是否产生区带现象。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1182394C
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN01802892.6
申请日：2001-12-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01N33/558 , G01N33/543 , G06F19/28
Abstract: 为提供减少前界现象、本底及杂质的影响，能对试料中的分析对象物简便、迅速且正确地定量或定性的特异结合分析方法及用于其的特异结合分析装置，预先按包含设想的分析对象物的各试料，生成与来自特异结合反应的信号强度有关的数据库，基于上述数据库决定试料的信号强度的测定模式，从而决定上述试料中的分析对象物的浓度。
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公开(公告)号：CN1507564A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN02809704.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N33/536 , G01N33/531 , G01N33/53
CPC classification number: G01N33/5375 , G01N33/536 , G01N33/539 , G01N33/542
Abstract: 一种免疫反应测定方法，首先通过图1所示的工序St1构建含有要对被测定物质含量进行测定的样品、与被测定物质特异结合的特异结合物质以及苯二甲酸或苯二甲酸盐的反应体系。此时上述反应体系的pH设定为低于7。而在被测定物质是抗原时特异结合物质是抗体，而被测定物质是抗体时特异结合物质是抗原。然后通过图1所示工序St2测定反应体系的光学特性。此时在上述工序St1中生成凝集复合物时，上述反应体系出现浑浊，散射光强度以及光透过量等都发生变化。因此通过测定散射光强度以及光透过量等可以估计反应体系的浑浊程度。
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公开(公告)号：CN1499203A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310114277.9
申请日：2003-11-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N33/543 , G01N33/531
CPC classification number: G01N33/53 , G01N33/54333
Abstract: 一种特异结合反应测定方法，对样品中的被测定物质的含量进行测定，包括构建含有上述样品、固定了与上述被测定物质特异结合的特异结合物质的磁性粒子的反应体系的工序(a)；对上述反应体系的光学特性进行测定的工序(b)；以及利用磁力从上述反应体系中除去由上述被测定物质和上述特异结合物质以及上述磁性粒子构成的凝集复合物的工序(c)。
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公开(公告)号：CN1156825A
公开(公告)日：1997-08-13
申请号：CN96108205.4
申请日：1996-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01N33/48728 , G01N27/305 , Y10S436/806
Abstract: 二维传感器包括Si、SiO2及Si3N4三层的衬底。衬底Si背面用汽相淀积法形成作为效应电极的薄膜。Si3N4正面附着盛样品细胞、培养基及参照电极的栅栏。传感器放恒温箱内，效应电极与参照电极间加偏置电压。当高频调制激光光束在传感器衬底照射出光斑时从效应电极获得光电流信号。该信号大体相当于光斑上细胞活性造成的电位变化并用计算机处理。因此，使光束聚焦和移动而易于调整相当于测量电极的尺寸位置的光束光斑的尺寸及位置。
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公开(公告)号：CN1131744A
公开(公告)日：1996-09-25
申请号：CN95108517.4
申请日：1995-06-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01N27/00
CPC classification number: G01N33/4836 , C12M41/46
Abstract: 本发明提供了一种细胞电位测定装置，它具矩阵状地配置在基板上的多个微电极，设置在其上的用于放置细胞的细胞放置单元，以及具有从微电极引出的导电图形和与外部连接用的电连接点的一体化复合电极构成的一体化细胞放置器(1)，用光学方式观察细胞的光学观察组件(20)，向细胞提供电刺激信号并与细胞放置器连接的刺激信号供给组件(30)，以及处理由细胞电生理活动产生的输出信号并与细胞放置器相连接的信号处理组件。
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