公开(公告)号：CN103227293A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201310119691.2

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 池田寿雄 ,  大原宏树 ,  细羽诚 ,  坂田淳一郎 ,  伊藤俊一

IPC: H01L51/52 ,  G09G3/32

CPC classification number: H01L51/5253 ,  G09G3/3291 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0251 ,  G09G2320/043 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3272 ,  H01L51/5012 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234 ,  H01L51/5237 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/525 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5275 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/301 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/5361

Abstract: 存在一种问题，对基板或者其上设置的例如SiN的湿气阻挡层(钝化膜)和空气之间的折射率差别保持较大，而且光提取效率低。此外，存在这样的问题，容易产生由于湿气阻挡层引起的剥落或者开裂，这导致劣化发光元件的可靠性和寿命。根据本发明，一种发光元件包括依次堆叠的像素电极、电致发光层、透明电极、钝化膜、应力缓解层和低折射率层。该应力缓解层用来防止该钝化膜的剥落。该低折射率层用来减少电致发光层产生的光射到空气中时的反射率。所以，可以提供一种具有高可靠性和长寿命的发光元件以及使用该发光元件的显示器件。

公开(公告)号：CN102593366A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210022165.X

申请日：2004-12-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  平形吉晴 ,  石谷哲二 ,  中村康男 ,  池田寿雄 ,  大原宏树

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5281 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5323

Abstract: 本发明提供一种发光装置和电子装置，其中，具有新结构的发光装置，它具有多个显示屏幕，而且重量轻和尺寸薄。而且，本发明提供一种双发射型显示装置，它能实施纯黑色显示并可获得高反差，根据本发明，至少发光元件的两电极(发光元件的阳极和阴极)是在同一水准高度地透光的，并装有起偏振片或圆起偏振片，从而实施了无光发射状态的纯黑色显示，并加强了反差。此外，根据本发明可以解决全彩色双发射型显示装置中新结构的一个问题，在两侧显示中的色调不均匀。

公开(公告)号：CN102460713A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080028690.1

申请日：2010-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。

公开(公告)号：CN102349158A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201080011089.1

申请日：2010-02-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大原宏树 ,  佐佐木俊成

IPC: H01L29/786 ,  C01G15/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/66969 ,  C01G15/006 ,  C01G45/006 ,  C01G49/009 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2006/40 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/441 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 一个目的是设置一种包括具有满意特性的半导体元件的半导体器件。本发明的制造方法包括步骤：在衬底上形成作为栅电极的第一导电层；形成第一绝缘层以覆盖第一导电层；在第一绝缘层上形成半导体层，以使得部分半导体层与第一导电层重叠；形成电连接到半导体层的第二导电层；形成第二绝缘层以覆盖半导体层和第二导电层；形成电连接到第二导电层的第三导电层；在形成半导体层的步骤之后，并且在形成第二绝缘层的步骤之前，执行第一热处理；和在形成第二绝缘层的步骤之后执行第二热处理。

公开(公告)号：CN105070761B

公开(公告)日：2019-08-20

申请号：CN201510405528.1

申请日：2010-07-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及显示装置，特别地，本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

公开(公告)号：CN104992984B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201510387603.6

申请日：2010-07-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大原宏树 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及半导体装置、显示模块及电子装置，特别地，本发明的目的之一在于提供一种具有能够充分降低布线间的寄生电容的结构的半导体装置。在与栅电极层重叠的氧化物半导体层的一部分上形成用作沟道保护层的氧化物绝缘层。在与该氧化物绝缘层的形成相同的步骤中，形成覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层。覆盖氧化物半导体层的边缘部的氧化物绝缘层将栅电极层与形成在该栅电极层上方或边缘的布线层之间的距离拉大，从而可以降低寄生电容。

公开(公告)号：CN104576748B

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201410555144.3

申请日：2010-06-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明一个目的是提供一种包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。本发明的另一个目的是以较低成本并且以高生产率制造高可靠性的半导体装置。在一种用于制造半导体装置的方法中，该半导体装置包括使用氧化物半导体层形成具有沟道形成区的半导体层、源极区及漏极区的薄膜晶体管，执行加热处理(用于脱水化或脱氢化的加热处理)，以便提高氧化物半导体层的纯度并减少诸如水分的杂质。另外，在氧气氛下对经历加热处理的氧化物半导体层缓慢冷却。

公开(公告)号：CN102460713B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201080028690.1

申请日：2010-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/02664 ,  H01L21/02565 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的是提供高包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性的半导体器件。在用于制造包含其中氧化物半导体膜被用于包括沟道形成区的半导体层的薄膜晶体管的半导体器件的方法中，热处理(该热处理用于脱水或脱氢)被进行以便提高氧化物半导体膜的纯度以及减少诸如水分之类的杂质。除了诸如存在于氧化物半导体膜内的水分之类的杂质外，热处理还促使诸如存在于栅极绝缘层内的水分以及在氧化物半导体膜与被设置于氧化物半导体膜之上及之下并且与氧化物半导体膜接触的膜之间的界面内的水分之类的杂质减少。

公开(公告)号：CN101944485B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201010222525.1

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  坂田淳一郎 ,  大原宏树

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/324 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L27/1225

Abstract: 本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN105336791A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510496344.0

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。