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公开(公告)号：CN1797605A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510118815.0
申请日：2005-10-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/285 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0059 , H01L28/10
Abstract: 本发明的目的是提供一种半导体器件，该半导体器件在制造过程以外时也可以写入数据，并且可以防止因改写的伪造。此外，本发明的目的是以廉价提供由简单结构的有机存储器来构成的半导体器件。通过构成将晶体管并联连接或串联连接到具有有机化合物层的有机元件的存储单元，并串联连接或并联连接该存储单元，而构成NAND型或NOR型存储器。所述有机元件可以通过施加电流或电压、照射光等来不可逆性地改变其电气特性。
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公开(公告)号：CN1790729A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510118673.8
申请日：2005-11-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G09G3/2022 , G09G3/3258 , G09G2300/0847 , G09G2310/0248 , G09G2310/0251 , H01L27/1214 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，通过该半导体器件能够制造一种不会发生例如短路的缺陷的发光器件。本发明半导体器件的一个特征是包括用作发光元件电极的电极。电极包括第一层和第二层。此外，通过具有开口部分的隔层覆盖电极的末端部分。而且，电极的一部分通过隔层的开口部分被暴露。本发明半导体器件的一个特征是包括用作发光元件电极的电极和晶体管。电极和晶体管彼此电连接。电极包括第一层和第二层。此外，通过具有开口部分的隔层来覆盖该电极的末端部分。而且，第二层通过隔层的开口部分被暴露。
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公开(公告)号：CN1777592A
公开(公告)日：2006-05-24
申请号：CN200480010414.7
申请日：2004-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D241/40 , C07D403/10 , C07D413/10 , C07D417/10 , C09K11/06 , H01L29/786 , H01L51/00 , H01L29/80 , H05B33/14 , H05B33/22
CPC classification number: C07D403/14 , C07D241/42 , C07D401/10 , C07D401/14 , C09K11/06 , C09K2211/1044 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种具有双极性的有机化合物材料。具体地说，提供通式(1)所示的喹喔啉衍生物，式中，R1～R12各自独立，表示氢原子、卤原子、低级烷基、烷氧基、酰基、硝基、氰基、氨基、二烷基氨基、二芳基氨基、乙烯基、芳基、或杂环残基的任意一种，R9和R10、R10和R11、R11和R12各自独立，或分别互相键合而形成芳环。Ar1～Ar4各自独立，表示芳基、或杂环残基的任意一种，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立，或Ar1和Ar3、Ar3和Ar4分别互相直接键合，或者Ar1和Ar2、Ar3和Ar4通过氧(O)、硫(S)或者羰基中的任意一种进行键合。
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公开(公告)号：CN1700829A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510073907.1
申请日：2005-05-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L27/3244 , H01L51/0085 , H01L51/5052 , H01L2251/5323 , Y02P20/582 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明的课题在于提供一种驱动电压低的薄膜发光元件。此外，本发明的课题在于提供一种薄膜发光元件，即使对于具有驱动电压低的构成的发光元件，也不会引起色纯度和发光效率的降低。为了解决上述问题的薄膜发光元件的结构，其特征在于：电极间至少具有电子输送层、包含发光物质的发光层、第1区域和第2区域，上述电子输送层在上述发光层和上述第1区域之间具有上述第2区域，上述第1区域包含具有稠环的物质，上述第2区域不包含具有上述稠环的物质。
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公开(公告)号：CN1592522A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074850.2
申请日：2004-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5012 , H01L51/0051 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/5048 , H01L51/5096 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明的目的是降低掺杂型元件的驱动电压，其中所述掺杂型元件应用给主体材料掺杂少量客体材料的发光层。本发明的目的尤其是降低以具有吸电子基的红色发光材料为客体材料的掺杂型元件的驱动电压。另外，本发明的另一个目的是在降低掺杂型元件的驱动电压的同时，提高掺杂型元件的颜色纯度。本发明的目的尤其是在降低以具有吸电子基的红色发光材料为客体材料的掺杂型元件的驱动电压的同时，提高该掺杂型元件的颜色纯度。在具有包含主体材料521和具有吸电子基的客体材料522的发光层513的场致发光元件中，使用具有空穴输运性的有机化合物作为主体材料521。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102386330B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110203373.5
申请日：2004-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C07D403/14 , C07D241/42 , C07D401/10 , C07D401/14 , C09K11/06 , C09K2211/1044 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种具有双极性的有机化合物材料。具体地说，提供通式(1)所示的喹喔啉衍生物，式中，R1～R12各自独立，表示氢原子、卤原子、低级烷基、烷氧基、酰基、硝基、氰基、氨基、二烷基氨基、二芳基氨基、乙烯基、芳基、或杂环残基的任意一种，R9和R10、R10和R11、R11和R12各自独立，或分别互相键合而形成芳环。Ar1～Ar4各自独立，表示芳基、或杂环残基的任意一种，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立，或Ar1和Ar3、Ar3和Ar4分别互相直接键合，或者Ar1和Ar2、Ar3和Ar4通过氧(O)、硫(S)或者羰基中的任意一种进行键合。
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公开(公告)号：CN102208163B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110101336.3
申请日：2005-05-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/006 , G09G2300/08 , G09G2300/0842 , G09G2310/0256 , G09G2310/0275 , G09G2310/061 , G09G2320/029 , G09G2320/041 , G09G2320/043 , G09G2330/02 , G09G2330/12 , H01L27/3244 , H01L2251/5323
Abstract: 一种显示装置和电子装置，其中由于环境温度的改变和随时间改变导致的光发射元件的电流变化的影响可抑制。本发明的显示装置具有光发射元件，串联至光发射元件的驱动晶体管，监视光发射元件，串联至监视光发射元件的限制晶体管，用于供应恒流至监视光发射元件的恒流源，和用于输出等于输入电势的电势的电路。光发射元件的第一电极经驱动晶体管连接至电路的输出端，经限制晶体管连接至电路输入端的监视光发射元件的第一电极。驱动晶体管的沟道长度L1和沟道宽度W1，和限制晶体管的沟道长度L2和沟道宽度W2满足L1/W1∶L2/W2＝1∶2到1∶10。
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公开(公告)号：CN101582438B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200910142405.8
申请日：2005-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/10 , B82Y10/00 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0014 , G11C17/16 , G11C2213/32 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/12 , H01L27/28 , H01L27/283 , H01L29/78645 , H01L51/0059
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种包含非易失性的、并能够附加地写入的存储电路和易于制造的天线的半导体器件及其制造方法。此外，本发明的另一个目的在于，防止无线芯片的信息的未授权的重写和无线芯片自身的伪造物，并能够保证无线芯片的安全性。考虑到上述情况，本发明提供一种其信息由无线通信信号进行识别的IC标签，且IC标签中的存储器(该存储器不能重复写入)的信息可以利用光学读出装置进行识别。本发明的IC标签中的存储器具有其信息可以利用光学读出装置进行识别的识别表面。
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公开(公告)号：CN102386330A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110203373.5
申请日：2004-04-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: C07D403/14 , C07D241/42 , C07D401/10 , C07D401/14 , C09K11/06 , C09K2211/1044 , H01L51/006 , H01L51/0061 , H01L51/0067 , H01L51/0069 , H01L51/0071 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种具有双极性的有机化合物材料。具体地说，提供通式(1)所示的喹喔啉衍生物，式中，R1～R12各自独立，表示氢原子、卤原子、低级烷基、烷氧基、酰基、硝基、氰基、氨基、二烷基氨基、二芳基氨基、乙烯基、芳基、或杂环残基的任意一种，R9和R10、R10和R11、R11和R12各自独立，或分别互相键合而形成芳环。Ar1～Ar4各自独立，表示芳基、或杂环残基的任意一种，Ar1、Ar2、Ar3、Ar4各自独立，或Ar1和Ar3、Ar3和Ar4分别互相直接键合，或者Ar1和Ar2、Ar3和Ar4通过氧(O)、硫(S)或者羰基中的任意一种进行键合。
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公开(公告)号：CN101640216B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200910164537.0
申请日：2005-05-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5237 , H01L27/3209 , H01L27/3241 , H01L27/3244 , H01L51/5048 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L51/5278 , Y10S428/917 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明的一种发光元件包括在第一和第二电极之间的n片发光层(n是自然数)。在第m发光层(m是自然数：1≤m≤n)和第m+1发光层之间的第一层和第二层被提供。该第一和第二层互相接触。该第一层包含容易传输空穴的物质和具有受电子特性的物质。该第二层包含容易传输电子的物质和具有给电子特性的物质。钼氧化物用作为具有受电子特性的物质。
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