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公开(公告)号：CN103066033B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210593566.0
申请日：2008-08-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L23/367 , H01L23/48 , H01L25/065
CPC classification number: H01L23/528 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L23/53209 , H01L23/53228 , H01L23/53242 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/90 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/08146 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/13099 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13169 , H01L2224/16 , H01L2224/16235 , H01L2224/2919 , H01L2224/73253 , H01L2224/80895 , H01L2224/81001 , H01L2224/811 , H01L2224/81136 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/83138 , H01L2224/83851 , H01L2224/83907 , H01L2224/90 , H01L2224/9202 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及半导体装置，本发明的目的在于提供一种可以使IC芯片、LSI芯片等半导体芯片实现进一步的薄型化的技术。此外，本发明的目的还在于提供一种在三维半导体集成电路中通过使LSI芯片更薄型化且层叠而可以提高集成密度的技术。通过利用CMP等对形成有集成电路的半导体衬底进行研磨，在半导体衬底中形成脆弱层，然后通过分离半导体衬底的一部分，来使半导体衬底薄膜化，而取得具有至今未有的薄度的IC芯片、LSI芯片等半导体芯片。此外，通过层叠这种薄型化了的LSI芯片，并利用贯穿半导体衬底的布线使它们电连接，而取得集成密度提高的三维半导体集成电路。
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公开(公告)号：CN102823036B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201180016317.9
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/58 , C01B25/45 , H01M4/136 , H01M4/1397
CPC classification number: H01M4/5825 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3492 , H01M4/0404 , H01M4/0426 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/366 , H01M10/052 , H01M2004/021 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 提供具有有利的电池特性的电力存储装置和其制造方法。该电力存储装置至少包括正电极和负电极，该负电极以与正电极之间设置有电解质的方式面对正电极而设置。正电极包括集电极和在集电极之上的包含活性物质的膜。包含活性物质的膜包含满足关系3.5≤h/g≤4.5、0.6≤g/f≤1.1和0≤e/f≤1.3的LieFefPgOh和满足关系3.5≤d/c≤4.5、0.6≤c/b≤1.8和0.7≤ a/b≤2.8的LiaFebPcOd。包含活性物质的膜在与电解质接触的区域中包含满足关系3.5≤d/c≤ 4.5、0.6≤c/b≤1.8和0.7≤a/b≤2.8的LiaFebPcOd。
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公开(公告)号：CN102906907B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201180026957.8
申请日：2011-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01G11/24 , C23C16/24 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01M4/0428 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/48 , H01M4/52 , H01M4/661 , H01M10/0525 , H01M2220/20 , H01M2220/30 , Y02E60/122 , Y02E60/13 , Y02P70/54 , Y02T10/7022 , Y10T29/417 , Y10T29/49115
Abstract: 提供一种提高放电容量等能够提高性能（如更高放电容量）且不容易发生因活性物质层的剥落等导致的劣化的蓄电装置及其制造方法。蓄电装置包括：集电体；形成在集电体上的混合层；形成在混合层上且用作活性物质层的晶体硅层。晶体硅层包括晶体硅区域、具有突出在晶体硅区域上的多个突起物的须状的晶体硅区域。须状的晶体硅区域包括具有弯曲或分支的部分的突起物。
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公开(公告)号：CN101950732B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010167008.9
申请日：2006-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B82Y10/00 , G02F2001/13613 , G11C13/00 , G11C13/0014 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1214 , H01L27/281 , H01L29/458 , H01L51/003 , H01L2251/558
Abstract: 提供功能更高且可靠的半导体器件和无需使装置或工艺复杂化就能够以高产率低成本制造该半导体器件的技术。形成第一导电层和第二导电层，其中至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰或锌中的一种或多种；或在有机化合物层与第一导电层之间和在有机化合物层与第二导电层之间的至少一个界面处进行氧化处理。在第一衬底上形成并与第一衬底之间夹着剥离层的第一导电层、有机化合物层和第二导电层可以借助剥离层从第一衬底上剥离并转置到第二衬底上。
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公开(公告)号：CN102148229B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201110026947.6
申请日：2007-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/112 , H01L27/12 , G11C13/00 , H01L21/8246 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/112 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L21/84 , H01L24/12 , H01L24/28 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L27/11206 , H01L27/1203 , H01L2223/6677 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/81801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01063 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29075 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种存储元件、半导体装置。其目的在于减少每个存储元件中的写入工作的不均匀性，其目的还在于提供安装有所述存储元件且写入特性优良的半导体装置。本发明的存储元件包括第一导电层、金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、第二导电层，并且金属氧化物层、半导体层、以及有机化合物层被第一导电层和第二导电层夹持，金属氧化物层与第一导电层接触，与金属氧化物层接触地设置半导体层。通过采用这种结构，减少了每个存储元件中的写入动作的不均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102823036A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016317.9
申请日：2011-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/58 , C01B25/45 , H01M4/136 , H01M4/1397
CPC classification number: H01M4/5825 , C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3407 , C23C14/3492 , H01M4/0404 , H01M4/0426 , H01M4/136 , H01M4/1397 , H01M4/366 , H01M10/052 , H01M2004/021 , Y10T29/49108 , Y10T29/49115
Abstract: 提供具有有利的电池特性的电力存储装置和其制造方法。该电力存储装置至少包括正电极和负电极，该负电极以与正电极之间设置有电解质的方式面对正电极而设置。正电极包括集电极和在集电极之上的包含活性物质的膜。包含活性物质的膜包含满足关系3.5≤h/g≤4.5、0.6≤g/f≤1.1和0≤e/f≤1.3的LieFefPgOh和满足关系3.5≤d/c≤4.5、0.6≤c/b≤1.8和0.7≤a/b≤2.8的LiaFebPcOd。包含活性物质的膜在与电解质接触的区域中包含满足关系3.5≤d/c≤4.5、0.6≤c/b≤1.8和0.7≤a/b≤2.8的LiaFebPcOd。
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公开(公告)号：CN102222765B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110081481.X
申请日：2007-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/13 , H01L27/101
Abstract: 存储元件以及半导体器件。本发明提供一种在两个电极之间具有有机化合物层的有机存储器。本发明的存储元件在其结构中包括第一导电层、半导体层、有机化合物层、以及第二导电层，其中半导体层和有机化合物层夹在第一导电层和第二导电层之间，且半导体层被形成为与第一导电层和/或第二导电层相接触。使用这种结构，导电层表面上电场的局部集中可被设置成与导电层相接触的半导体层所抑制。
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公开(公告)号：CN102148229A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110026947.6
申请日：2007-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/112 , H01L27/12 , G11C13/00 , H01L21/8246 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/112 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L21/84 , H01L24/12 , H01L24/28 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L27/11206 , H01L27/1203 , H01L2223/6677 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/81801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01063 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29075 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种存储元件、半导体装置。其目的在于减少每个存储元件中的写入工作的不均匀性，其目的还在于提供安装有所述存储元件且写入特性优良的半导体装置。本发明的存储元件包括第一导电层、金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、第二导电层，并且金属氧化物层、半导体层、以及有机化合物层被第一导电层和第二导电层夹持，金属氧化物层与第一导电层接触，与金属氧化物层接触地设置半导体层。通过采用这种结构，减少了每个存储元件中的写入动作的不均匀性。
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公开(公告)号：CN101114695B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710136778.5
申请日：2007-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/112 , B82Y10/00 , G11C11/5664 , G11C13/0014 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L21/84 , H01L24/12 , H01L24/28 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L27/11206 , H01L27/1203 , H01L2223/6677 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/81801 , H01L2224/83851 , H01L2924/00011 , H01L2924/01004 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01025 , H01L2924/01037 , H01L2924/01055 , H01L2924/01063 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/07811 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2224/29075 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的在于减少每个存储元件中的写入工作的不均匀性。本发明的目的还在于提供安装有所述存储元件且写入特性优良的半导体装置。本发明的存储元件包括第一导电层、金属氧化物层、半导体层、有机化合物层、第二导电层，并且金属氧化物层、半导体层、以及有机化合物层被第一导电层和第二导电层夹持，金属氧化物层与第一导电层接触，与金属氧化物层接触地设置半导体层。通过采用这种结构，减少了每个存储元件中的写入动作的不均匀性。
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公开(公告)号：CN101305465B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200680041872.6
申请日：2006-11-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/105 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L27/10 , H01L27/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01L27/1266 , B82Y10/00 , G02F2001/13613 , G11C13/00 , G11C13/0014 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/1214 , H01L27/281 , H01L29/458 , H01L51/003 , H01L2251/558
Abstract: 提供功能更高且可靠的半导体器件和无需使装置或工艺复杂化就能够以高产率低成本制造该半导体器件的技术。形成第一导电层和第二导电层，其中至少一层含有铟、锡、铅、铋、钙、锰或锌中的一种或多种；或在有机化合物层与第一导电层之间和在有机化合物层与第二导电层之间的至少一个界面处进行氧化处理。在第一衬底上形成并与第一衬底之间夹着剥离层的第一导电层、有机化合物层和第二导电层可以借助剥离层从第一衬底上剥离并转置到第二衬底上。
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