公开(公告)号：CN104538355A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201510004825.5

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L21/77 ,  H01L21/324 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：在绝缘层之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；形成与所述氧化物半导体层的一部分接触且在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层之上的氧化物绝缘层；以及通过加热所述氧化物绝缘层来在所述氧化物半导体层中形成i型区。其中，所述i型区至少形成在第一n型区和第二n型区之间，所述第一n型区与所述源电极层接触，以及所述第二n型区与所述漏电极层接触。

公开(公告)号：CN102484140B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201080039723.2

申请日：2010-08-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 津吹将志 ,  吉富修平 ,  辻隆博 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎 ,  户松浩之 ,  早川昌彦

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。

公开(公告)号：CN104091834A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201410345770.X

申请日：2010-07-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/124 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种发光显示装置，本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示装置。当应用以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管来制造显示装置时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置栅电极。当制造以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的栅极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。

公开(公告)号：CN101728425A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910207023.9

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸 ,  伊藤俊一 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及氧化物半导体、薄膜晶体管以及显示装置。一个目的是控制氧化物半导体的组分和缺陷。另一目的是增加薄膜晶体管的场效应迁移率以及获得足够的通断比并抑制关断电流。该氧化物半导体由InMO3(ZnO)n表示(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al中的一种或多种元素，以及n是大于或等于1且小于50的非整数)，并且还包含氢。在此情况下，Zn的浓度低于In和M的浓度(M是选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co和Al中的一种或多种元素)。此外，该氧化物半导体具有非晶结构。这里，n优选是大于或等于1且小于50的非整数，更优选小于10。

公开(公告)号：CN101728424A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910207022.4

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  佐佐木俊成 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L27/1225 ,  G09G3/20 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/247 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种氧化物半导体、使用该氧化物半导体的薄膜晶体管、和使用该薄膜晶体管的显示装置，其一个目的是控制氧化物半导体的组成和缺陷，另一个目的是提高薄膜晶体管的场效应迁移率，并通过减小截止电流来获得充分的通断比。所采用的技术方案是采用其组成用InMO3(ZnO)m表示的氧化物半导体，其中M为选自Ga、Fe、Ni、Mn、Co、和Al中的一种或多种元素，且m优选地为大于或等于1且小于50的非整数。Zn的浓度低于In和M的浓度。氧化物半导体具有非晶结构。可以配置氧化物层和氮化物层以防止氧化物半导体的污染和劣化。

公开(公告)号：CN101728277A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910207025.8

申请日：2009-10-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 伊藤俊一 ,  细羽幸 ,  須沢英臣 ,  笹川慎也 ,  村冈大河

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  G03F1/00

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。本发明的一个目的在于以通过减少曝光掩模数量而简化光刻处理的方式制造成本低、生产率高的包括氧化物半导体的半导体器件。在包括沟道蚀刻反向交错薄膜晶体管的半导体器件的制造方法中，使用利用多色调掩模形成的掩模层蚀刻氧化物半导体膜和导电膜，多色调掩模是通过其光透射成具有多种光强的曝光掩模。在蚀刻步骤中，通过使用蚀刻气体的干蚀刻进行第一蚀刻步骤，通过使用蚀刻剂的湿蚀刻进行第二蚀刻步骤。