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公开(公告)号：CN102484140A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039723.2
申请日：2010-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02595 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。
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公开(公告)号：CN102282523A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200980154959.8
申请日：2009-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明的目的是提供噪声容限有改善的调节器电路。在调节器电路中包括：偏置电路，其基于第一电源端子和第二电源端子之间的电位差生成基准电压；以及电压调节器，其基于从偏置电路输入的基准电位向输出端子输出电位。旁路电容器被设置在电源端子与连接至包含在偏置电路中的晶体管的栅极的节点之间。
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公开(公告)号：CN104681447A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510128932.9
申请日：2010-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02595 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。
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公开(公告)号：CN102484140B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080039723.2
申请日：2010-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02595 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。
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