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公开(公告)号：CN1901055B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200610107508.7
申请日：2006-07-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: Ag合金反射膜含有作为组分的X1，并且具有位于距反射膜表面深2nm之内的区域中的富集层，其中组分X1以比X1在整个反射膜中的平均浓度更高的浓度富集在富集层内，其中X1是选自由下列元素组成的组中的至少一种合金元素：Bi、Si、Ge、Pb、Zn、Cd、Hg、A1、Ga、In、Tl、Sn、As和Sb。所述反射膜具有作为反射膜的稳定且优异的基本性质，比如初始反射率和耐久性，并且进一步满足诸如激光标记适应性之类的要求。光学信息记录介质包括所述反射膜，而且性能优异。
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公开(公告)号：CN100552784C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610074378.1
申请日：2006-04-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , C22C5/06 , C22C5/08 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/259 , Y10T428/12 , Y10T428/21
Abstract: 银合金反射膜用于光学信息记录介质并含有作为主要组分的银，总共0.01-3原子%的选自Bi和Sb中的至少一种，和总共3-42原子%的选自Cu，Ge，Mg和Zn中的至少一种。银合金反射膜优选进一步含有0.1-3原子%的钇。光学信息记录介质包括银合金反射膜。用于沉积银合金反射膜的溅射靶含有作为主要组分的银，总共0.01-3原子%的Sb(或0.03-10原子%的Bi)和总共3-42原子%的选自Cu，Ge，Mg和Zn中的至少一种。
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公开(公告)号：CN100452205C
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200610006826.4
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)，本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15%或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN100373485C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN200510083393.8
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 一种用于光学信息记录介质的Ag合金反射膜，其含有Ag作为主要组分，还含有总量大于3.0atom%且小于或等于10atom%的选自Nd、Sn、Gd和In的至少一种元素。该反射膜还可以含有0.01-3atom%的Bi和Sb中的至少一种，和/或还可以含有20atom%或更少的选自Mn、Cu、La和Zn的至少一种元素。一种光学信息记录介质，其包括该Ag合金反射膜，可以进行激光标示。一种Ag合金溅射目标，具有与Ag合金反射膜类似的组成。
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公开(公告)号：CN1725334A
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN200510079173.8
申请日：2005-06-28
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G11B7/24038 , G11B7/258 , G11B7/259 , G11B7/266 , Y10T428/21
Abstract: 用于光学信息记录介质的各种半反射膜或者反射膜以及一种Ag基合金溅射靶包含Li含量为0.01－10原子百分比的Ag基合金。该Ag基合金显示出高抗粘结性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸收率和高热导率，这些性能是用纯Ag或者常规的Ag合金不能获得的。所得到的包含Ag基合金的用于光学信息记录介质的半反射膜和反射膜显示出优异的录写/读取性能和长期可靠性。半反射膜和反射膜沉积中使用光学信息记录介质用溅射靶。使用该半反射膜和/或反射膜制造光学信息记录介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1691167A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200510066665.3
申请日：2005-04-21
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B7/258 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 考虑到这种情况，完成了本发明，且本发明的一个目的是发现显示通过纯Ag或通过常规Ag合金没有实现的水平的高耐内聚性、高耐光性、高耐热性、高反射率、高透射率、低吸光率，和高热传导率的Ag基合金，和在这种合金的基础上，提供一种具有优异写/读性能和长期使用可靠性的光学信息记录介质用半反射膜和反射膜；在沉积这种半反射膜和反射膜中使用的光学信息记录介质用溅射靶材；和一种配备有这种半反膜或反射膜的光学信息记录介质。光学信息记录介质用半反射膜或反射膜，其包含Ag基合金，其中Ag基合金包含0.005至0.40％(原子％，除非另外注明)的Bi和总量为0.05至5％的选自Zn、Al、Ga、In、Si、Ge和Sn中的至少一种元素。
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公开(公告)号：CN113823332B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202111140681.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2433
Abstract: 本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。
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公开(公告)号：CN111771242A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201980015237.8
申请日：2019-05-22
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 田内裕基
IPC: G11B7/2433 , C23C14/08 , C23C14/34 , G11B7/24035 , G11B7/2578 , G11B7/26
Abstract: 本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。
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公开(公告)号：CN105931654A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610230364.8
申请日：2010-09-16
IPC: G11B7/2433 , G11B7/2437 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC classification number: G11B7/2437 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供记录特性优异的光信息记录介质用记录层、具备该记录层的光信息记录介质及对上述记录层的形成有用的溅射靶。该光信息记录介质用记录层是通过激光的照射进行记录的记录层，其特征在于，含有氧化物相对于1mol氧的标准生成自由能的绝对值比Pd大的金属(以下，称为X金属)的氧化物和氧化Pd，该氧化Pd含有一氧化Pd和二氧化Pd，且Pd原子相对于记录层中所含的X金属原子和Pd原子的合计的比率为4～85原子％。
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