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公开(公告)号：CN109574064A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811627614.7
申请日：2018-12-29
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G3/02
CPC classification number: C01G3/02
Abstract: 本发明公开了一种Cl/Cu2O纳米薄膜的制备方法。(1)向聚四氟乙烯水热反应釜中加入CuSO4•5H2O溶液和KCl溶液并搅拌混合均匀，再加入KOH溶液;(2)将Cu片放入步骤(1)反应釜中并斜靠于反应釜内壁，盖紧盖子后，将反应釜置于50℃~110℃的烘箱中反应5~10小时，即在Cu片上制得光电压值为0.2063~0.4217 V的Cl/Cu2O纳米薄膜。本发明采用一步水热合成法，工艺简单，周期较短，对原料以及设备要求不高且掺杂过后光电性能有明显提高。
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公开(公告)号：CN108298574A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810148552.5
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C01G3/02 , C01P2004/61 , C01P2006/40 , C03C17/25 , C03C17/27 , C03C2217/228 , C03C2217/71 , C03C2217/90 , C03C2218/111 , C03C2218/322
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）分别取10.00 mL 0.10~0.40 mol/L Cu(Ac)2溶液、0.50 mL 0.027~0.227 mmol/L CTAB溶液、5.00 mL 0.05~0.30 mol/L NaOH溶液、0.0975~0.0985 g Zn粉混合均匀配制成反应溶液。（2）将反应溶液置于高压反应釜中，插入ITO导电玻璃，在140~200 ℃烘箱中反应4~10 小时，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.2866 V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不是很高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定。
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公开(公告)号：CN108265280A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201810148525.8
申请日：2018-02-13
Applicant: 桂林理工大学
Abstract: 本发明公开了一种Co/Cu2O纳米薄膜的制备方法。将CoC4H6O4（摩尔比nCo：nCu=0.0%~3.0%）溶于Cu(Ac)2溶液中混合均匀并转入反应釜中，加入CTAB溶液、NaOH溶液和Zn粉混合均匀配制成反应溶液。将反应溶液置于高压反应釜中，插入规格为5.0 cm×1.5 cm×0.1 cm的ITO导电玻璃，在烘箱中反应，即在ITO导电玻璃上获得光电压值为0.0252~0.3583 V的Co/Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期较短，产品的光电性能稳定较好。
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公开(公告)号：CN106757120A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710064967.X
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
CPC classification number: C25B1/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/883
Abstract: 本发明公开了一种CdSe量子点的制备方法。阴极电解液由0.023~0.211 mol/L CdCl2、0.023~0.211 mol/L H2SeO3、0~0.016 mol/L Na2H2Y与0.012~0.134 mmol/L十六烷基三甲基溴化铵混合而成，阳极液由0.075~0.448 mol/L NaCl与0.533 mol/L HCl混合而成;于常温水浴中，以ITO作阴极，Pt片作阳极，施加1.6~3.2 V的电压，电解5~25分钟，即在ITO上获得CdSe量子点。本发明制备出尺寸较小、密度较高、稳定性和光电性能良好的CdSe量子点。整个制备工艺简单、周期短成本低。
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公开(公告)号：CN106591922A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201710064971.6
申请日：2017-02-05
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C25D11/34
CPC classification number: C25D11/34
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。配制含0.0244~0.1220mol/L CuSO4、0.0006~0.0122mol/L十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、0.0244~0.0854mol/L H4N2.H2O、0.0390~0.1951mol/L NaOH四种溶液的电解液，在匀速磁力搅拌下，以Cu片作阳极，Pt片作阴极，在5V~20V电压下氧化5~15分钟，即在Cu片上获得光电压值 0.0985V~0.3035V的Cu2O纳米薄膜。本发明对原料及仪器要求不高、工艺简单、周期非常短，制备的样品光电性能优良。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105800952A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610106967.7
申请日：2016-02-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3476
Abstract: 本发明公开了一种CdSe纳米晶光电材料的制备方法。（1）在氩气保护下，将0.7896 g硒粉和7.5624g无水亚硫酸钠加入装有100mL二次蒸馏水的三口烧瓶中，回流2小时，冷却，得Na2SeSO3溶胶。（2）将15mL~45mL浓度为0.1mol/L的Cd(NO3)2·4H2O溶液和1mL~9mL分析纯甲酸溶液混合。（3）在步骤（2）所得溶液中加入10mL分析纯NMP、5mL~15mL浓度为0.1mol/L的Na2EDTA和5mL浓度为0.01mol/L的SDBS。（4）将步骤（3）所得溶液置于水浴中加热，至60℃~100℃后，加入15mL~45mL步骤（1）所得的Na2SeSO3溶胶和1mL~19mL的H2O，在氩气保护下恒温反应回流20~60分钟，冷却。本发明制备工艺简单，样品分散性好，易存储，无污染，并具有较好的光电性能等特点。
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公开(公告)号：CN105753034A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201610106968.1
申请日：2016-02-28
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C01G3/02
CPC classification number: C04B7/38
Abstract: 本发明公开了一种Cu2O纳米薄膜的制备方法。（1）配制质量百分比浓度为0.3～1%的HF溶液和质量百分比浓度为25～65%的HNO3溶液，两种配好的溶液取相同体积混合均匀，得混酸溶液；（2）将铜片剪成1.5cm×5cm×0.1cm大小，置于步骤（1）所得混酸溶液中，20～50秒后待铜表面呈紫红色取出，依次用二次蒸馏水、分析纯丙酮和分析纯酒精各超声清洗铜片10分钟，随即在25～65℃水浴中静置3～7天，得Cu2O纳米薄膜。本发明与其他相关技术相比，最显著的特点是常温水浴法制备Cu2O纳米薄膜，其制备工艺简单、周期短，制备的样品有较好的光电性能。
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公开(公告)号：CN103922612B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410163646.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次，ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。
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公开(公告)号：CN103969237A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410195004.X
申请日：2014-05-11
Applicant: 桂林理工大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明公开了一种快速检测河水中痕量Hg2+浓度的方法。在pH=8.2的三羟甲基氨基甲烷-盐酸缓冲液和聚乙烯醇介质中，荧光增白剂-碲化镉量子点间能够发生有效的能量转移，荧光增白剂把能量转移给碲化镉量子点，使其荧光强度增强。而Hg2+能够猝灭体系中碲化镉量子点的荧光强度，且猝灭程度与Hg2+的浓度在一定范围内成线性关系。从而建立了荧光增白剂-碲化镉量子点能量转移荧光猝灭法测定Hg2+的新方法。Hg2+的线性范围为8.0~800纳克/升，检出限为0.66纳克/升。本发明克服了已有技术在检测时存在灵敏度低、应用范围窄等缺点，提高了灵敏度和选择性，对于测河水中痕量汞的检测更加方便快速。
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公开(公告)号：CN103922612A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410163646.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 桂林理工大学
IPC: C03C17/34
Abstract: 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。（1）将20mL浓度为0.03mol/L～0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中，作为冷溶液A；（2）将10mL浓度为0.42mol/L～0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃～80℃，溶液反应至红棕色，并在4-8秒内迅速变成无色，作为热溶液B；（3）将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤（1）所得冷溶液A中5s～60s后取出，并迅速浸入步骤（2）所得热溶液B中，同样持续5s～60s；（4）重复步骤（3）4～20次,ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。
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