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公开(公告)号：CN117687600A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311682547.X
申请日：2023-12-08
Applicant: 浙江大学
IPC: G06F7/58
Abstract: 本发明公开了一种基于镍锗肖特基结的真随机数发生器及其实现方法，该真随机数发生器包括两个熵源电路，第一熵源电路为高频小信号随机数熵源，第二熵源电路为低频大信号随机数熵源，将第一熵源电路和第二熵源电路接入电压比较器，输出高低脉冲信号，然后通过高通滤波电路滤除高低脉冲信号中的干扰噪声，用单片机采样滤波后的脉冲信号，得到一组二进制序列，在单片机内部将其转换为十进制序列，并最终以十进制序列输出。该真随机数发生器利用镍锗肖特基结产生的随机电报噪声的无规则变化生成真随机数，设计简洁，制作成本低，能够生成随机性指标较好的随机数序列。
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公开(公告)号：CN116312990A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211091491.6
申请日：2022-09-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本申请涉及一种智慧口腔综合治疗台管理系统，该系统包括：牙椅、控制设备、医院信息子系统和后台管理子系统；信号采集子系统用于根据患者就诊情况采集消耗数据，其中，信号采集子系统前置接入牙椅的供电线路和供水线路，消耗数据包括：用水量数据和用电量数据；后台管理子系统用于定期获取信号采集子系统中存储的消耗数据，以及从医院信息子系统获取患者的接诊信息；控制设备与医院信息子系统通信连接，用于从医院信息子系统获取医生身份信息和患者信息，以及，展示患者信息并进行医生身份认证，并对牙椅进行远程控制。通过本申请，解决了对牙椅缺乏有效能耗管理以及与其他系统互相割裂的问题，实现了医院牙椅资源的精细化管理。
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公开(公告)号：CN116190399A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211703095.4
申请日：2022-12-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L27/146 , H04N25/70
Abstract: 本发明公开了一种基于双栅结构的感存一体图像传感器、制备方法及使用方法。该图像传感器利用p‑i‑n结构对光的敏感性，将光信号转换为电信号，通过改变电学栅极和光学栅极上的电压实现信号的写入、读取和擦除，实现基于双栅结构的感存一体图像传感器，该图像传感器具有一系列优点。首先，基于双栅结构的感存一体图像传感器将传感器和存储器集成在一起，集成度更高，应用场景更加广泛。其次，基于双栅结构的感存一体图像传感器能有效降低功耗，实现低能耗图像传感器。此外，基于双栅结构的感存一体图像传感同时包含传感器和存储器，有效避免了额外的信号延时。
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公开(公告)号：CN116133503A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211670927.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种围栅场效应晶体管的压力传感器及其制备方法。本发明采用硅薄膜制备的场效应晶体管进行压力传感，当压力施加于背面硅膜时，膜片发生变形，并引起沟道内载流子迁移率的变化，而漏极电流和开启电压也将发生变化，从而得到电学特性与压力的曲线，实现压力值的传感。本发明采用这硅衬底材料制成的压力传感器集成密度高、速度快、工艺简单、符合摩尔定律。
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公开(公告)号：CN115389870A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210493153.9
申请日：2022-05-07
Applicant: 浙江大学 , 国网浙江省电力有限公司海盐县供电公司 , 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 , 杭州巨骐信息科技股份有限公司 , 国网新疆电力有限公司电力科学研究院 , 河海大学 , 国网浙江省电力有限公司电力科学研究院
Inventor： 王玉兴 , 汪泽州 , 陈刚 , 毛琳明 , 张睿 , 姚宝明 , 张明明 , 张泰山 , 王启镇 , 鲍建飞 , 董一夫 , 赵欣宇 , 陈俊文 , 罗宏建 , 陆建琴 , 倪晓璐 , 周翀 , 江喜山 , 张金波 , 周晶 , 张杰 , 赵洲峰 , 舒能文 , 周弘毅 , 王晨波 , 屠孝杰 , 高原 , 朱凯熙 , 胡燕伟 , 张依辰 , 孙帅 , 雷健新 , 公多虎 , 陈文涛 , 金铭 , 詹仲强 , 孙豪豪 , 王建 , 张知宇 , 陆超宇 , 张建荣
Abstract: 本发明提出一种基于光纤振动成像的变压器绝缘状态在线监测方法，包括以下步骤：利用分布式光纤获取变压器的检测部位的振动信号；基于原理将振动信号转化为光纤振动原始图像；对光纤振动原始图像进行预处理；提取预处理后的光纤振动原始图像的典型特征；将提取的典型特征输入到构造好的变压器绝缘评估模型；变压器绝缘评估模型对典型特征进行求解得到变压器绝缘状态数据。本发明利用绝缘材料老化引起的变压器振动参数改变的特点，基于光纤振动成像，获取振动参数特征，来评估变压器绝缘状态，在不停机取样或断电检修的条件下也能实现绝缘状态的评估。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113222181B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110473993.4
申请日：2021-04-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种面向k‑means聚类算法的联邦学习方法，该方法包括纵向联邦学习与横向联邦学习。横向联邦学习，包括如下步骤：1)初始化K个聚类，不同参与者将本地样本分给距离该样本最近的聚类2)对每个聚类，计算该聚类的新的聚类中心。3)如果聚类中心发生变化，那么回到步骤1)；纵向联邦学习，包括如下步骤：1)L个参与者分别在本地运行k‑means聚类算法得到T个聚类且做交集得到新的TL个聚类或AP聚类算法得到Ti个聚类且做交集得到新的个聚类。2)将新的个聚类中心作为输入样本，初始化K个聚类。3)将每个样本分给距离它最近的聚类。4)对每个聚类，计算该类的新的聚类中心。5)如果聚类中心发生变化，那么回到步骤3)。
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公开(公告)号：CN110923304B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201911204191.2
申请日：2019-11-29
Applicant: 浙江大学
IPC: C12Q1/6879 , C12Q1/6895 , C12N15/11
Abstract: 本发明公开了一种用于鉴别银杏性别的分子标记，所述的分子标记为SEQ IDNO.1或SEQ ID NO.2所示。引物对GbSD1和GbSD2、GbSD3和GbSD4为银杏雄性个体专一性核酸分子探针。采用常规PCR方法，使用引物对1进行扩增，扩增产物有617bp条带，或使用引物对2进行扩增，扩增产物有531bp条带，则为雄性；否则为雌性。本发明提供的引物对为银杏雄性个体专一性分子探针，仅需少量样品就可以完成整个操作；准确、灵敏度高，若样品中有PCR扩增带，则为阳性反应，判断为雄性个体，反之无PCR扩增带，则为阴性反应，判断为雌性个体；方法简单，采用PCR技术进行检测，时间短。
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公开(公告)号：CN112308157A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202011222998.1
申请日：2020-11-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种面向决策树的横向联邦学习方法，该方法包括：所有参与者基于二分法查找数据特征集合中每个特征的分位数草图；参与者根据分位数草图，利用本地持有数据特征，为每个特征构建局部直方图；在所有局部直方图添加满足差分隐私的噪声，并通过安全聚合方法处理后发送给协调者；所述协调者将每个特征的局部直方图合并为一个全局的直方图，并根据所述直方图训练第一棵决策树的根节点；所述协调者将所述节点信息发送给其余参与者；所有参与者更新局部直方图并重复以上过程进行训练，得到训练好的决策树。本发明的横向联邦学习方法具有使用简便、训练高效等优点，可以保护数据隐私，为数据保护水平提供量化支持。
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公开(公告)号：CN109004058B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810757711.1
申请日：2018-07-11
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/113 , H01L31/0232 , H01L31/028 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有光学栅极的锗沟道场效应晶体管器件及其制造方法。首先在衬底上沉积锗薄膜，并通过掺杂在锗薄膜中形成源漏区域及沟道区域；其次在锗薄膜上沉积栅绝缘层，刻蚀沟道区域表面的栅绝缘层，并残留一定厚度；在栅绝缘层上沉积非晶硅薄膜，刻蚀非晶硅薄膜形成光波导结构作为光学栅极；在栅绝缘层和非晶硅光学栅极表面沉积保护绝缘层；最后刻蚀保护绝缘层形成接触通孔，在接触通孔中沉积接触电极，形成具有光学栅极的锗沟道场效应晶体管器件。本发明器件具有开启速度快、功耗低等优势，在高速逻辑器件以及超大规模集成电路等领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN111161782A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911154277.9
申请日：2019-11-22
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种新型anti-fuse单元，其特征在于该单元是由一个anti-fuse编程管和一个二极管构成的两端口器件，包括VH和VL端，其中anti-fuse编程管的栅端形成anti-fuse单元的VH端，连接外部的敏感放大器SA和列选择信号线BL，anti-fuse编程管的源端和二极管的P端连接，二极管的N端形成anti-fuse单元的VL端。新型anti-fuse单元改进了传统单元的内部电路，通过采用新的工艺结构，有效减少anti-fuse单元的面积；所述新型anti-fuse单元可应用在存储器阵列上，可减少行选择信号所控制NMOS管数量，使阵列结构更简单，编程和读操作的响应速度更快。
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