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公开(公告)号：CN111427171B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010270800.0
申请日：2020-04-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于介质超表面的双模式太赫兹波束调控器及方法和应用，器件包括若干以一定规律排布的超材料单元，超材料单元从下至上依次包括底层VO2层、介质隔离层和顶层VO2层，底层VO2层、介质隔离层、顶层VO2层三者中心重合。器件完全由介质材料构成，不包含金属材料，器件可以通过热控或光控实现两种工作模式：透射模式和反射模式间的动态切换。反射模式下，器件对太赫兹波高效反射并分束，相当于一个反射型分束器。透射模式下，器件对太赫兹波高效透射。相较于其他反射型分束器，器件在无需作为分束器工作时，其本身不会改变入射波原本的传输路径和阻碍入射波的进一步传输。器件可用于室内太赫兹通信，以实现扩大通信范围和多端通信等功能。
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公开(公告)号：CN113073383A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110268770.4
申请日：2021-03-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种用于液相外延法生长石榴石单晶单面厚膜的衬底夹具，包括固定支架、环形连接件、多条铂金柱；固定支架通过连接杆与液相外延设备的提拉杆连接，并同时与环形连接件固定连接；环形连接件下方固定连接多条均匀、竖直分布的铂金柱；每个铂金柱内侧设置截面为半圆形的支撑件，用于放置衬底，每个铂金柱的外侧设置凹槽，用于通过铂丝固定衬底。本发明在铂金柱底部设置高度一致的支撑件，以保证衬底水平放置；铂金柱外侧设置凹槽，通过缠绕铂丝进一步固定衬底。本发明衬底夹具可实现衬底基片绝对水平放置，进而精确控制衬底的位置，实现液相外延衬底单面生长单晶厚膜，单面生长厚膜可有效降低厚膜生长过程中的晶格失配，更加有利于厚膜的生长。
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公开(公告)号：CN113072371A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110324931.7
申请日：2021-03-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622 , C04B35/64 , H01F1/34 , H01F41/02
Abstract: 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域，提供一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法，用以提升LiZn铁氧体材料的饱和磁化强度，进而使之能够适应更多频段的移相器，使微波器件能够满足小型化、集成化、高性能化的趋势。本发明通过Zr离子部分取代的LiZn铁氧体中的Zn离子，得到LiZn铁氧体材料：Li0.43Zn0.27Zr0.13Fe2.17O4，其在保持较低铁磁共振线宽和较低矫顽力的同时、显著提升饱和磁化强度，最高可到高达102.4emu/g；并且，采用Bi2O3作为助烧剂实现该LiZn铁氧体材料的低温烧结，满足LTCC技术的要求；另外，本发明LiZn铁氧体材料的制备工艺简单、制备成本低，利于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113050742A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110265917.4
申请日：2021-03-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 一种精密恒流源电路，属于射频微波技术领域。包括：具有升降压功能的升降压电源芯片，电源输入滤波电容，分压电阻，反馈电路，电源输出滤波电容，负载，内部具有ADC模块的微处理器和数字电位器，反馈电路包括采样电阻和运放。相较于传统的恒流源电路，本发明精密恒流源电路实现方式简单，电流精度高，且可以实现射频微波芯片要求电流快速跳变的目的；同时，通过微处理器来控制不同电流输出，具有电流限值保护，可以实现更通用型恒流源的需求。
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公开(公告)号：CN109023527B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811000028.X
申请日：2018-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述单晶薄膜的成分为Y3‑(a+b+c)BiaLubCacFe5‑dGedO12，其中0＜a＜0.5，0＜b＜1.0，0＜c＜1.0，0＜d＜1.0，且c＝d。本发明以Y2O3、Lu2O3、Fe2O3、GeO2、CaO、PbO、Bi2O3、MoO3作为原料，采用分层放置原料的方法，在钆镓石榴石基片上得到了厚度最小可达到170nm的面外各向异性石榴石单晶薄膜；且得到的薄膜的生长速率与生长温度呈现非线性关系，呈现面外各向异性，可应用于自旋逻辑器件中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110176533B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910389022.4
申请日：2019-05-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种光响应的自旋电子器件及其制备方法，属于自旋电子功能器件技术领域。所述光响应的自旋电子器件，包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性薄膜、半导体薄膜和重金属电极。本发明自旋电子器件，基于“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”异质结构，通过在磁性薄膜与重金属电极之间增加半导体光响应层，使自旋电子器件中的自旋流输运过程具备响应外界光照作用的能力。当光照射自旋电子器件时，会在半导体薄膜中产生光生载流子，改变“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”界面阻抗匹配，实现对自旋流从磁性层向半导体薄膜注入效率的调节；同时，光生载流子浓度影响自旋扩散长度，改变逆自旋霍尔电压信号，实现逆自旋霍尔电压对光照强度的检测。
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公开(公告)号：CN108517516B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201810534212.6
申请日：2018-05-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: C23C18/42
Abstract: 一种化学镀银液，属于化学电镀领域。所述化学镀银液包括银盐和含巯基的烷烃磺酸盐，银盐中银离子与含巯基的烷烃磺酸盐中磺酸根的物质的量之比小于或等于1/2，银离子的浓度不超过5mol/L；所述含巯基的烷烃磺酸盐包括至少一种巯基磺酸盐化合物。本发明化学镀银液采用含巯基的烷烃磺酸盐作为络合剂，含巯基的烷烃磺酸盐络合剂对银离子的络合能力远优于胺类化合物，同时磺酸根具有很强的亲水性能，使得镀银液和镀层的稳定性大大提升；仅包含银盐和含巯基的烷烃磺酸盐络合剂，组分简单，制备方法简单易行，有效降低了生产和维护成本。
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公开(公告)号：CN111730924A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010595071.6
申请日：2020-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种具有梯度孔径结构的太赫兹吸波材料，属于太赫兹吸波技术领域。所述吸波材料包括三层三维石墨烯/PDMS复合材料，最上面一层的三维石墨烯的孔径范围为100～120μm，中间的三维石墨烯的孔径范围为50～70μm，最下面一层的三维石墨烯的孔径范围为20～40μm。本发明太赫兹吸波材料具有极强的宽带太赫兹波吸收特性，在0.2-1.2THz的超宽带频谱范围内的平均吸收率高达到93％以上；极薄的厚度，每一层的厚度控制在1mm以内，则该太赫兹吸波材料的总厚度在3mm以内，这远优于现有太赫兹吸收泡沫材料；极好的可弯曲、可拉伸和机械弹性等柔性特征；原料价格低廉，制备方法简单，可以实现大面积制备。
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公开(公告)号：CN107146761B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201710312918.3
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/4763 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种巨磁光效应的钇铁石榴石/铋异质薄膜及其制备方法，该方法，包括采用液相外延在[111]晶向的钆镓石榴石(GGG)上生长的高质量单晶钇铁石榴石(YIG)作为基片，以及所述的YIG基片上利用分子束外延(MBE)技术生长很薄的一层铋得到钇铁石榴石/铋异质薄膜。该方法简单可行的，所制得的钇铁石榴石/铋异质薄膜相对于无铋薄膜的钇铁石榴石(YIG)的磁光克尔转角显著增大；本发明相比在YIG中铋的置换掺杂，制备工艺简单，为异质结型磁光材料的制备与研究提供了一种新的方法，在光通信、磁光存储等众多领域有广泛的应用。
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公开(公告)号：CN109437087B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201811298649.0
申请日：2018-11-02
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器，属于微波电子设备技术领域。所述纳米振荡器包括基片，以及依次形成于基片之上的面外磁各向异性的磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层。本发明提供的一种基于面外磁各向异性层的自旋霍尔纳米振荡器中，磁性薄膜层具有面外磁各向异性，相比于传统的基于面内磁各向异性的磁性材料，在相同的驱动电流密度下，面外磁各向异性磁性材料能够获得更大的磁矩进动角和微波输出功率；同时，通过调节电流强度可实现不同功率的高频微波输出，输出微波信号性能良好，且结构简单，功耗低，与CMOS工艺相兼容，易于集成。
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