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公开(公告)号：CN104541350B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201380042342.3
申请日：2013-08-23
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明提供一种电气模块的制造方法，该电气模块包括：第一电极，其在第一基板的板面形成透明导电膜，并在所述透明导电膜的表面形成半导体层；第二电极，其在第二基板的板面以与所述透明导电膜相对的方式形成相对导电膜；在形成于该第一电极与第二电极之间的空间内密封有电解质，所述电气模块的制造方法的特征在于，该电气模块的制造方法具有：粘贴工序，使所述透明导电膜与所述相对导电膜相对而使所述第一电极与所述第二电极粘贴；分割工序，自形成有所述透明导电膜的所述第一基板的背面或者形成有所述相对导电膜的所述第二基板的背面中的任一者施加超声波振动，使所述第一基板以及所述第二基板的位于被施加该超声波振动的位置的彼此相对的板面抵接而绝缘，并且将该第一基板与第二基板熔接，从而分割所述第一电极与所述第二电极。
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公开(公告)号：CN107210135B
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201680008238.6
申请日：2016-02-29
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明提供一种使用薄膜基材的电子器件，构成为，具备：透明基板(11)，使透明导电膜(12)形成；对电极基板(21)，使对置导电膜(22)形成；半导体层(13)，形成于透明导电膜(12)上，使敏化色素承载于多孔质的半导体材料而形成；液状或准液状的电解质(3)，设置于半导体层(13)与对置导电膜(22)之间；密封材料(41)，密封电解质(3)，将透明基板(11)和对电极基板(21)固定；透明基板(11)及对电极基板(21)分别由具有可挠性的透明薄膜形成，在密封材料(41)彼此之间的电解质(3)中，在半导体层(13)与对电极基板(21)之间夹持固定有隔垫物(5)。
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公开(公告)号：CN107109662A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680005016.9
申请日：2016-02-26
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: B05D1/10 , B05D7/24 , C01G23/04 , C23C24/04 , H01G9/20 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种半导体膜的制造方法，在将平均粒径为1nm以上且低于100nm的范围的半导体粒子分散在醇中而得到分散液后，使所述醇从所述分散液蒸发而对所述半导体粒子进行干燥，由此获得所述半导体粒子彼此凝聚而成的凝聚粒子，将所述凝聚粒子喷涂于基材上，从而在所述基材上形成半导体膜。根据所述制造方法，在所述半导体粒子沉淀于所述醇中的状态下，使所述醇蒸发而对所述半导体粒子进行干燥。根据所述制造方法，在低于50℃的温度下使所述醇蒸发。一种染料敏化太阳能电池，其具备使敏化染料吸附于通过所述制造方法得到的半导体膜而成的光电极。
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公开(公告)号：CN104508183B
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201480001982.4
申请日：2014-01-22
Applicant: 积水化学工业株式会社
CPC classification number: C23C24/04 , H01G9/2031 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: 本发明的制膜方法包括：使用如下凝聚粒子，经过将所述凝聚粒子中包含的所述微粒彼此的结合强化的工序而制作多孔质粒子，将所述多孔质粒子向基材喷吹，使所述基材与所述多孔质粒子接合，并且使所述多孔质粒子彼此接合，由此在所述基材上制造包含所述无机物质的多孔质膜；所述凝聚粒子是在含有原料化合物的溶剂中合成以所述原料化合物为原料的无机物质的微粒、并且使所述微粒凝聚而成的。
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公开(公告)号：CN104428858B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201380036748.0
申请日：2013-03-21
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01G9/20
CPC classification number: H01G9/2068 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542
Abstract: 本发明提供一种电气模块，其是具有配置在同一面上的多个单元的电气模块，包括第一电极和与所述该第一电极相对配置的第二电极，在这些所述第一电极与所述第二电极之间夹设有电解质地粘贴，并且具备与所述第一电极连接的第一电极端子和与所述第二电极连接的第二电极端子，所述电气模块使用了第一结构与第二结构中的至少一者，该第一结构是通过沿厚度方向贯穿所述第一电极而设置的开口部将连接于所述第二电极的所述第二电极端子向所述第一电极的外部表面侧取出，该第二结构是通过沿厚度方向贯穿所述第二电极而设置的开口部将连接于所述第一电极的所述第一电极端子向所述第二电极的外部表面侧取出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102498550B
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201080041037.9
申请日：2010-08-25
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32357 , H01J37/32825 , H05H1/2406 , H05H2001/2412
Abstract: 在防止有机膜的升高和剥离的同时蚀刻含硅膜。将基本上不含氢原子的原料气引入到处于近大气压下的等离子体生成空间23中，以产生蚀刻气体。使蚀刻气体与包括含硅膜92和有机膜93的待处理目标物90接触。可以通过氧化氮(NOx)将含硅膜92氧化。原料气含有7至80体积％的不含氢原子的氟系原料，7至80体积％的氮气(N2)和5至60体积％的氧气(O2)。
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公开(公告)号：CN102834902B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201180015715.9
申请日：2011-03-24
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32082 , H01J37/32825 , H01L21/6708 , H01L21/6776 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法及装置，沿着压力接近大气压的传送路径(11)连续传送被处理物(9)。在传送路径(11)的上游侧的位置上，从供给喷嘴(21)向被处理物(9)供给蚀刻液，对金属膜(97)进行湿式蚀刻。接着，在传送路径(11)的下游侧的处理空间(19)，使包含氟系反应成分及氧化性反应成分的蚀刻气体接触被处理物(9)的表面，对半导体膜(94)进行干式蚀刻。氟系反应成分是通过大气压等离子生成的。根据被处理物(9)的传送速度，按照被处理物(9)通过处理空间(19)的期间内的蚀刻深度对应于掺入了杂质的膜部分(96)的厚度的方式，设定蚀刻速率。由此，能够使半导体装置的沟道部分等的蚀刻更高效化，从而能够缩短处理时间。
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公开(公告)号：CN102210014B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN200980145086.4
申请日：2009-09-16
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/304 , H01L21/31
CPC classification number: H01J37/32752 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/67069
Abstract: 为了防止处理气体从用于处理被处理物表面的处理槽中泄漏，并稳定处理空间中的处理气体的流动。被处理物(9)由输送机(20)通过入口(13)输送到处理槽(10)的内部，并被定位处理空间(19)中。处理气体由供给系统(30)供给至处理空间(19)，并且对被处理物(9)进行表面处理。随后，通过出口(14)将被处理物(9)输送出。处理槽(10)内部的气体由排气系统(40)排出。气体的排出使处理槽(10)外面的气体通过开口(13，14)流入处理槽(10)的内部，使得流入气体的平均流速至少为0.1m/sec，但仍然小于将允许流入气体到达处理空间的速度。
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公开(公告)号：CN103155116A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180046520.0
申请日：2011-09-22
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H05H1/24
CPC classification number: H01L21/6708 , H01L21/67173 , H01L21/6776
Abstract: 本发明的目的在于将含硅物的蚀刻量的控制简化。在前处理工序中，从前处理喷嘴(42)吹出含有第二氧化性反应成分的处理流体，使其与被处理物(9)接触。接着，在蚀刻处理工序中，在利用移动装置(20)以横穿处理空间(39)内的方式使被处理物(9)移动的同时，将含有氟系反应成分和第一氧化性反应成分的处理气体供给至处理空间(39)，使其与被处理物(9)接触。
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公开(公告)号：CN101816064B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200880109735.0
申请日：2008-09-26
Applicant: 积水化学工业株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种硅的蚀刻方法，其课题在于，使硅的蚀刻速度提高。其中，在氟系原料的CF4和Ar的混合气体中添加露点成为10℃～40℃的量的水，在大气压下进行等离子体化。将等离子体化后的气体和来自臭氧发生器13的含有臭氧的气体混合，得到反应气体。反应气体包含1vol％以上的臭氧、COF2等非自由基氟系中间物质和0.4vol％以上的HF等氟系反应物质，氟原子数(F)和氢原子数(H)的比为(F)/(H)＞1.8。将该反应气体喷射到温度10℃～50℃的硅膜91(被处理物)上。
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