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公开(公告)号：CN114498289A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210336910.1
申请日：2022-04-01
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种超高真空解理镀膜装置及其工作方法，超高真空解理镀膜装置包括：解理腔体；解理平台；半导体发光器件载具；半导体发光器件载具包括：第一承载平台，第一承载平台中具有在第一方向上相对设置的第一定位槽、以及第二方向上相对设置的第二定位槽；分别位于第一定位槽中的第一定位销；分别位于第二定位槽中的第二定位销；第一定位销适于沿着第一定位槽在第一方向上移动；第二定位销适于沿着第二定位槽在第二方向上移动；第一定位销和第二定位销适于对从解理平台掉落至第一承载平台的若干垂直堆叠的半导体发光器件进行限位。超高真空解理镀膜装置的工作效率高且可长时间维持较高的真空环境。
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公开(公告)号：CN114497310A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210392751.7
申请日：2022-04-15
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种侧向光模式控制高功率半导体器件及其制备方法、半导体封装结构，侧向光模式控制高功率半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的正面电极层，所述正面电极层包括电极注入区；在侧向光模式控制高功率半导体器件的慢轴方向上自电极注入区的中心区域至电极注入区的边缘区域，所述电极注入区的厚度递减。所述半导体器件兼顾出光亮度高、光束质量高且成本低、集成度高。
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公开(公告)号：CN114122899A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210103648.6
申请日：2022-01-28
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种波长锁定系统，包括：半导体发光结构；外部反馈结构；选择反射镜，位于所述半导体发光结构至所述外部反馈结构的光路中，所述选择反射镜包括偏振反射区和环绕所述偏振反射区的透射区；所述偏振反射区适于将半导体发光结构发射至所述偏振反射区的光束反射为偏振光并将所述偏振光传输至所述外部反馈结构，所述偏振反射区还适于透过所述半导体发光结构发射至所述偏振反射区的部分光束；所述透射区适于透过所述半导体发光结构发射至所述透射区的光束。所述波长锁定系统兼顾输出功率高、输出光束质量高、温漂小且可靠性高。
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公开(公告)号：CN113872049A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111472150.9
申请日：2021-12-06
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明提供一种模式控制半导体器件及其制备方法，模式控制半导体器件具有相对设置的前腔面和后腔面，模式控制半导体器件包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；第一限制层和第二限制层，位于半导体衬底层上且分别位于有源层的两侧；位于第一限制层和有源层之间的第一波导层；位于第二限制层和有源层之间的第二波导层，第二波导层的厚度小于或等于第一波导层的厚度；第一调光层，第一调光层位于与前腔面邻接的部分第二限制层中，第一调光层的折射率小于第二限制层的折射率，第一调光层的宽度在自后腔面至前腔面的方向上递增。所述模式控制半导体器件提升前腔面抗光学灾变损伤阈值功率的同时降低耦合损耗、生产工艺复杂度和成本。
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公开(公告)号：CN113816148A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111086513.5
申请日：2021-09-16
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种自动上下料盒装置，包括底部面板；取放料组件；设置在底部面板上，用于将缓存上料组件处的料盒输送到缓存下料组件处；缓存上料组件；用于叠放需要输送的料盒；检测和放料组件；用于对料盒装入产品并且进行检测；缓存下料组件；用于收集从取放料组件输送过来的料盒；所述缓存上料组件和所述缓存下料组件分别设置在底部面板的两端上，本发明具有工作效率高，实现了大批量对料盒进行输送，并且对料盒自动缓存和自动搬运，有效的节约了人力资源的同时，提高了生产效率的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113769980A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111087931.6
申请日：2021-09-16
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及一种用于光学镜的自动组装装置，包括壳体上料组件，用于放置未组装光学镜的壳体；镜子上料组件，用于放置光学镜；点胶组件，用于对壳体上料组件上放置的壳体进行点胶；取镜子组件，用于将光学镜放置在点胶好的壳体内；UV固化组件，用于将放置好光学镜的壳体进行UV固定，本发明具有有效节约了人力资源的同时，提高了生产效率的效果。
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公开(公告)号：CN113594852A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202111147537.7
申请日：2021-09-29
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种窄线宽的半导体器件及其制备方法，其中，窄线宽的半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的增益结构；位于部分所述增益结构背向所述衬底层一侧的线宽调制层；所述线宽调制层包括：透射单元，所述透射单元包括第一周期复合膜、以及位于所述第一周期复合膜背向所述增益结构一侧表面的第二周期复合膜；位于所述透射单元背向所述增益结构一侧的缺陷层；位于所述缺陷层背向所述增益结构一侧的第三周期复合膜；所述第二周期复合膜、缺陷层和所述第三周期复合膜形成谐振腔。所述窄线宽的半导体器件出射的光的线宽有效的变窄、且结构简单、集成度较高。
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公开(公告)号：CN113140965A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202110424174.0
申请日：2021-04-20
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: H01S5/20
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器外延结构及其制备方法，该结构包括：相对设置的第一波导层和第二波导层、以及位于第一波导层和第二波导层之间的有源层；第一波导层包括：相对设置的第一波导膜层和第二波导膜层；位于第一波导膜层和第二波导膜层之间的横模调制层，第一横模调制层的折射率分别小于第一波导膜层的折射率和第二波导膜层的折射率。通过实施本发明，在第一波导层中设置第一横模调制层，第一横模调制层的折射率小于两侧波导膜层的折射率，由此，设置的横模调制层可以调制基膜及高阶模式分布，使得高阶模限制因子降低，抑制高阶模式激射，从而解决现有技术中半导体激光器件高阶模易激射的问题。
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公开(公告)号：CN110702384B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201911057204.8
申请日：2019-10-31
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: G01M11/02
Abstract: 本发明涉及激光器特性测试领域，具体涉及一种激光器近场测试方法及测试系统，其中，方法包括：获取驱动电源的频率；其中，所述驱动电源用于驱动被测激光器发光；利用所述驱动电源的频率确定采集频率；接收所述被测激光器在目标点的近场光强数据；其中，所述近场光强数据是基于所述采集频率所采集到的；根据所述近场光强数据，计算所述被测激光器在所述目标点的光强。该方法可以保证待测激光器输出周期与采样周期一致且采样时激光器处于输出状态，从而保证了测试的准确性。
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公开(公告)号：CN117169173A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311316823.0
申请日：2023-10-12
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种外延片光致发光测试装置及其工作方法，其中外延片光致发光测试装置包括：发光结构；旋转支撑座；承载平台，位于旋转支撑座上，承载平台的承载面与旋转支撑座所在的平面垂直，承载平台中具有贯穿承载平台的固定轴，固定轴与旋转支撑座固定连接；载物托盘，位于承载平台的承载面上，载物托盘适于承载外延片，外延片背离承载平台的一侧表面接收发光结构发射出的光；光谱分析仪，光谱分析仪对外延片侧面发出的光进行信息采集与信息输出。所述外延片光致发光测试装置结构简单且测试精确。
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