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公开(公告)号：CN119747316A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202510230234.3
申请日：2025-02-28
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体激光芯片表面处理技术领域，公开了一种半导体器件的表面处理设备及其方法，表面处理设备包括真空腔体、光源辐照装置、夹具和控制装置；真空腔体具有容纳空间和窗口，夹具位于容纳空间内，夹具用于固定至少一个待处理的半导体激光芯片，半导体激光芯片的解理腔面朝向窗口；光源辐照装置包括光源和温度检测组件，光源设置于窗口的外侧，温度检测组件用于检测解理腔面的温度，光源对应的光子能量大于半导体激光芯片的最大禁带宽度；控制装置用于打开光源，以及用于基于温度检测组件检测得到的解理腔面的温度调整光源的输出功率，使解理腔面的温度处于目标温度。本发明能够改善半导体激光芯片的核心部位因高温失效的情况。
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公开(公告)号：CN116316055B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310547285.X
申请日：2023-05-16
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本申请公开了半导体激光器接触电极及其制备方法，其中半导体激光器接触电极包括衬底层、接触层、第一扩散阻挡层、第二扩散阻挡层和上盖层；其中，第一扩散阻挡层包括从下至上依次设置的第一粘结金属、难熔金属或难熔合金以及第二粘结金属，第一粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第一互溶异质界面区域，第二粘结金属与难熔金属或难熔合金形成有第二互溶异质界面区域。本申请公开的半导体激光器接触电极及其制备方法，能够提高整个电极的耐高温性能，提升半导体激光器制造的效率和良率；能够使电极电阻仍能保持在较低的量级，提升半导体激光器的性能；有效降低电极厚度，降低应力，进而降低由于电极厚度增加产生的碎裂风险，提高产品质量。
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公开(公告)号：CN113441834B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110864190.1
申请日：2021-07-29
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
IPC: B23K26/02 , B23K26/06 , B23K26/064 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供一种激光加工检测装置，包括：检测耦合腔体；激光发生器，激光发生器适于给检测耦合腔体提供激光；激光加工输出部件和第一光纤，第一光纤分别与激光加工输出部件和检测耦合腔体连接，激光加工输出部件适于对工件进行激光加工并传输工件发出的热辐射红外光至第一光纤；位于检测耦合腔体侧部的红外温度检测器；位于检测耦合腔体中的第一反射镜，第一反射镜适于将激光发生器发射的激光反射至第一光纤中，第一反射镜还适于透过热辐射红外光。提高了检测精度。
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公开(公告)号：CN113644544B
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202110919360.1
申请日：2021-08-11
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种波长锁定半导体激光器系统，包括：第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块，第k光纤耦合模块包括第k传能光纤和若干第k半导体激光发光管；体光栅锁定模块，体光栅锁定模块包括若干第N+1半导体激光发光管、体光栅和第N+1传能光纤；光纤合束器，光纤合束器包括第一输入光纤至第N+1输入光纤、以及输出光纤；第k传能光纤与第k输入光纤与连接，第N+1传能光纤与第N+1输入光纤连接；部分反射结构，设置在输出光纤的输出端面一侧，部分反射结构用于作为若干第一半导体激光发光管至若干第N半导体激光发光管的谐振反馈结构。所述波长锁定半导体激光器系统输出光束的光谱得到窄化。
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公开(公告)号：CN113866179A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111454612.4
申请日：2021-12-02
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体激光器芯片的缺陷检测系统及检测方法。所述半导体激光器芯片的缺陷检测系统包括：半导体激光器芯片；成像透镜模块；图像获取模块，所述半导体激光器芯片输出的光束适于经过所述成像透镜模块后被所述图像获取模块接收并生成原光斑图像；转换单元，所述转换单元适于将所述原光斑图像转化为对数图像；分析模块，所述分析模块适于根据所述原光斑图像和所述对数图像的图形特征判断所述半导体激光器芯片中缺陷的位置和大小。使用本半导体激光器芯片的缺陷检测系统，可以容易的检测出半导体激光器芯片有源区中的光波长量级和亚光波长量级颗粒污染，同时缩短了检测时间，降低了使用成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113594852B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111147537.7
申请日：2021-09-29
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种窄线宽的半导体器件及其制备方法，其中，窄线宽的半导体器件包括：衬底层；位于所述衬底层上的增益结构；位于部分所述增益结构背向所述衬底层一侧的线宽调制层；所述线宽调制层包括：透射单元，所述透射单元包括第一周期复合膜、以及位于所述第一周期复合膜背向所述增益结构一侧表面的第二周期复合膜；位于所述透射单元背向所述增益结构一侧的缺陷层；位于所述缺陷层背向所述增益结构一侧的第三周期复合膜；所述第二周期复合膜、缺陷层和所述第三周期复合膜形成谐振腔。所述窄线宽的半导体器件出射的光的线宽有效的变窄、且结构简单、集成度较高。
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公开(公告)号：CN113644544A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110919360.1
申请日：2021-08-11
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 一种波长锁定半导体激光器系统，包括：第一光纤耦合模块至第N光纤耦合模块，第k光纤耦合模块包括第k传能光纤和若干第k半导体激光发光管；体光栅锁定模块，体光栅锁定模块包括若干第N+1半导体激光发光管、体光栅和第N+1传能光纤；光纤合束器，光纤合束器包括第一输入光纤至第N+1输入光纤、以及输出光纤；第k传能光纤与第k输入光纤与连接，第N+1传能光纤与第N+1输入光纤连接；部分反射结构，设置在输出光纤的输出端面一侧，部分反射结构用于作为若干第一半导体激光发光管至若干第N半导体激光发光管的谐振反馈结构。所述波长锁定半导体激光器系统输出光束的光谱得到窄化。
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公开(公告)号：CN118932284A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411428095.7
申请日：2024-10-14
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及光学波导器件技术领域，公开了一种光学波导器件端面的镀膜方法、光学波导器件及掩膜陪条，该方法包括：提供光学波导器件和第一掩膜陪条，光学波导器件在第一预设方向上具有待镀膜的前腔面和后腔面，第一掩膜陪条包括本体和延伸部，延伸部位于本体在第一预设方向上的其中一端，自本体向第二预设方向延伸，且延伸部形成预设微纳图形，第一预设方向和第二预设方向相互垂直；将光学波导器件和第一掩膜陪条放置在夹具上，使光学波导器件的目标面与延伸部贴合，目标面为前腔面或后腔面；在目标面上形成具有预设微纳图形的薄膜层。本发明能够在实现对光学波导器件的波导进行修饰，从而对性能进行调控，进而提升器件性能或实现特定功能。
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公开(公告)号：CN116914558B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311176626.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第一元素形成的化合物，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第一元素的组分含量逐渐增加；或者，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第二元素形成的固溶体，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第二元素的组分含量逐渐增加。由于扩散阻挡层中没有形成异质界面，因此本发明提供的半导体激光
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公开(公告)号：CN116914558A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202311176626.3
申请日：2023-09-13
Applicant: 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 , 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体激光器接触电极及其制备方法，其中，半导体激光器接触电极包括：衬底层；接触层，位于衬底层的一侧表面；扩散阻挡层，位于接触层背离衬底层的一侧表面；上盖层，位于扩散阻挡层背离衬底层的一侧表面；其中，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第一元素形成的化合物，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第一元素的组分含量逐渐增加；或者，扩散阻挡层的材料包括由粘结金属和第二元素形成的固溶体，自接触层至上盖层的方向上，扩散阻挡层中的第二元素的组分含量逐渐增加。由于扩散阻挡层中没有形成异质界面，因此本发明提供的半导体激光器接触电极在满足耐高温性能的同时，还具有低的电阻。
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