有机电子器件
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101297018A

    公开(公告)日:2008-10-29

    申请号:CN200680040323.7

    申请日:2006-11-01

    Abstract: 本发明公开了一种电子器件,所述电子器件包括作为用于空穴注入或空穴提取的电极的一部分的n-型有机化合物层。所述电子器件包括:包括导电层与设置在所述导电层上的n-型有机化合物层的第一电极;第二电极;和插入到所述第一电极的n-型有机化合物层与第二电极之间且与所述第一电极的n-型有机化合物层一起形成NP结的p-型有机化合物层,且所述层的能级满足下列表示式(1)和(2)其中,EFl为所述第一电极的导电层的费米能级,EnL为所述第一电极的n-型有机化合物层的LUMO能级,且EpH为与所述第一电极的n-型有机化合物层一起形成NP结的p-型有机化合物层的HOMO能级。

    有机发光器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN101223827A

    公开(公告)日:2008-07-16

    申请号:CN200680025860.4

    申请日:2006-07-14

    CPC classification number: H01L51/5088 H01L51/5278

    Abstract: 本发明公开了一种有机发光器件及其制备方法。所述有机发光器件包括第一电极、一个或者多个有机化合物层和第二电极。所述第一电极包括导电层和设置在导电层上的n型有机化合物层。第一电极的n型有机化合物层的LUMO能级与第一电极的导电层的费米能级之间的能量差为4eV或者更小。插在第一电极的n型有机化合物层与第二电极之间的有机化合物层之一为与第一电极的n型有机化合物层一起形成NP结的p型有机化合物层。第一电极的n型有机化合物层的LUMO能级与p型有机化合物层的HOMO能级之间的能量差为1eV或更小。插在第一电极的导电层与第二电极之间的一层或者多层用有机材料或无机材料进行n型掺杂或p型掺杂。

    使用具有纳米尺寸的半球状凹部的基板的高效有机发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1849847A

    公开(公告)日:2006-10-18

    申请号:CN200480025673.7

    申请日:2004-09-07

    CPC classification number: H01L51/5271 H01L51/52 H01L51/5281

    Abstract: 本发明提供包括顺序层叠的基板、第一电极、有机材料层和第二电极的有机发光装置,其中在邻接第一电极排列的基板的上表面上形成许多连续的半球状凹部。此外,本发明提供制备方法,包括步骤:a)将具有至少一个铝表面的基板浸渍在酸溶液中,并向该基板施加10~400V的氧化电压,从而在基板的铝表面上以氧化铝层上形成许多连续的凹部的方式形成氧化铝层,和在氧化铝层和基板间的界面上形成具有与在氧化铝层上的凹部的弯曲方向相同的弯曲的许多连续的凹部;b)从基板上除去氧化铝层,从而形成许多连续的半球状凹部;和c)在形成有半球状凹部的基板的一个表面上形成有机材料层和电极。

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