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公开(公告)号：CN102709144A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210082584.2
申请日：2012-03-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32192 , H01J37/3244 , H01J37/32651
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置。该等离子体处理装置能够降低被处理基体的中央部分的处理速度。一个实施方式的等离子体处理装置包括：处理容器、气体供给部、微波发生器、天线、同轴波导管、保持部、电介质窗以及电介质棒。气体供给部向处理容器内供给处理气体。微波发生器发生微波。天线将等离子体激励用的微波导入处理容器内。同轴波导管设置于微波发生器与天线之间。保持部用来保持被处理基体，在同轴波导管的中心轴线延伸的方向上与天线相对配置。电介质窗设置于天线与保持部之间，且使来自天线的微波透射到处理容器内。电介质棒在保持部与电介质窗之间的区域沿着同轴波导管的中心轴线设置。
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公开(公告)号：CN101505574B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200910006920.3
申请日：2009-02-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H05H1/46
Abstract: 提供一种等离子体处理设备，其特征是通过限定电介质与缝隙之间的位置关系来极大地提高等离子体点火性和点火稳定性。等离子体处理设备(11)包括：处理室(12)，其具有顶部开口；电介质(15)，在其底面上具有倾斜面(16a和16b)，使得厚度尺寸连续变化，并且该电介质(15)被布置成封闭处理室(12)的顶部开口；以及天线(24)，其被布置在电介质(15)的顶面上，用于向电介质(15)供给微波，从而在电介质(15)的底面产生等离子体。此外，天线(24)设置有定位在倾斜面(16a和16b)的铅直上方的多个缝隙(25)。
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公开(公告)号：CN102263001A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110206202.8
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01J37/32 , H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32532 , H01J2237/3342 , H01L21/31138
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和方法。本发明的等离子体处理装置包括：收容被处理基板，能够进行真空排气的处理容器；在处理容器内相对配置的第一电极和支承被处理基板的第二电极；向所述第二电极施加等离子体形成用的高频电力的第一高频电力施加单元；向所述第二电极施加第二高频电力的第二高频电力施加单元；向所述第一电极施加直流电压的直流电源；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给单元；和设置在所述第一电极与所述处理容器之间，能够改变所述第一电极与所述处理容器之间的电容的可变电容器。
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公开(公告)号：CN101667534B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910176201.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN101587156B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200910142798.2
申请日：2004-04-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: G01N21/68 , H01J37/32174 , H01J37/32935 , H01J37/32972 , H01L21/31116
Abstract: 本发明提供一种即使在低电子密度条件或高压力条件下也可正确测定等离子体中的电子密度的等离子体监测方法。该等离子体电子密度测定装置在测定部(54)中具备矢量式的网络分析器(68)。由该网络分析器(68)测定复数表示的反射系数，取得其虚部的频率特性，并且测量控制部(74)读取复数反射系数的虚部零交叉点的谐振频率，根据谐振频率算出电子密度的测定值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101667532A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910173129.1
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN100565790C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710091348.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10)内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN100517563C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710091349.0
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法，能够使通过电容耦合型的高频放电生成的等离子体密度的空间分布均匀化，并能够对其进行任意控制，提高等离子体的面内均匀性。本发明的等离子体处理装置，下部电极的基座(16)载置被处理基板(W)，通过高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。在基座(16)上方，与其平行的相对配置有上部电极(34)，隔着环状的绝缘体(35)以电浮起的状态安装在腔室(10)上。上部电极(34)的上面与腔室(10)的顶面之间设置有规定的间隔尺寸，其缝隙的一部分或全部形成真空空间(50)。该真空空间(50)的内壁的全部或一部分由片状的绝缘体(52)覆盖。
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公开(公告)号：CN101047112A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091348.6
申请日：2007-03-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/205 , H01L21/311 , H01L21/31 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/513 , C23F4/00 , H01J37/32 , H01J37/00 , H05H1/00 , H05H1/46
Abstract: 本发明涉及等离子体处理方法及等离子体处理装置。在阴极耦合方式中，尽可能防止在阳极侧的电极上附加沉积膜而对后续工序造成影响，并尽量提高处理的均匀性。将被处理基板(W)载置在下部电极的基座(16)上，并由高频电源(30)施加等离子体生成用的高频。将在基座(16)的上方与它平行相对配置的上部电极(34)经由环状的绝缘体(35)在电气浮起的状态下安装在腔室(10)内。在上部电极(34)的上面和腔室(10)的顶棚之间的空间(50)中设置电容可变的可变电容器(86)。根据处理条件由电容控制部(85)改变可变电容器(86)的电容，对上部电极(34)的接地电容进行切换。
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公开(公告)号：CN1973363A
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200580020518.0
申请日：2005-06-21
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 舆石公 , 杉本胜 , 日向邦彦 , 小林典之 , 舆水地盐 , 大谷龙二 , 吉备和雄 , 齐藤昌司 , 松本直树 , 大矢欣伸 , 岩田学 , 矢野大介 , 山泽阳平 , 花冈秀敏 , 速水利泰 , 山崎广树 , 佐藤学
IPC: H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种在上部电极(34)和下部电极(16)之间生成处理气体的等离子体、对晶片(W)进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻装置，该等离子体蚀刻装置还包括向上部电极(34)施加直流电压的可变直流电源(50)，其施加直流电压，使得上部电极(34)表面的自偏压Vdc的绝对值增大至可得到对该表面的适度的溅射效果的程度，并且使得上部电极(34)的等离子体鞘的厚度增厚至可形成期望的缩小的等离子体的程度。
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