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公开(公告)号：CN107251279A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201680010762.7
申请日：2016-01-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明是一种碳覆盖处理装置，其一边利用搅拌叶片搅拌被导入炉芯管内部的原料粒子，一边利用气体导入管来将有机物气体导入炉芯管内部，来对原料粒子覆盖碳覆膜，所述碳覆盖处理装置的特征在于，V1与V2的比值满足V2/V1≥0.1的关系，其中，所述V1是搅拌叶片中的位于炉芯管内部的部分的时间平均的体积，所述V2是搅拌叶片的以下部分的时间平均的体积，所述部分当将炉芯管的内径设为R时，位于从炉芯管内部将与炉芯管的中心轴的距离为R/10以内的圆柱区域除外后的区域内。据此，提供一种碳覆盖处理装置，其能够对原料粒子充分地覆盖均匀的碳覆膜，且能够生产性良好地制造具有碳覆膜的粒子。
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公开(公告)号：CN106067543A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610256492.X
申请日：2016-04-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/36 , H01M4/485 , H01M10/052 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/131 , H01M4/0459 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/364 , H01M4/386 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M2004/027 , H01M4/366 , H01M10/052 , H01M2004/021
Abstract: 本发明提供一种能够增加电池容量，并提高循环特性的非水电解质二次电池用负极活性物质及其制造方法。本发明非水电解质二次电池用负极活性物质具有含有包含锂化合物的硅化合物SiOx的负极活性物质颗粒，0.5≤x≤1.6，且对将含有负极活性物质颗粒的电极与由金属锂构成的对电极组合而成的试验电池，以恒定电流充电直至电极的电势达到0.0V，然后以恒定电压充电直至成为恒定电流充电时的电流值的1/10的电流值，然后，以恒定电流放电直至电极的电势达到1.2V，此时，试验电池的初次效率是82％以上，试验电池中的电极的电势成为0.17V时的充电容量是成为试验电池的初次放电容量的7％以上且30％以下的范围内的值。
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公开(公告)号：CN106030871A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580006487.7
申请日：2015-01-20
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01M4/48 , H01M4/36 , H01M4/38 , H01M10/0566
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0402 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 本发明是一种非水电解质二次电池用负极材料，其包含由导电性碳膜包覆硅系活性物质粒子的表面而成的导电性粉末，所述非水电解质二次电池用负极材料的特征在于，所述导电性碳膜的由拉曼光谱测量出的d频带的峰半值宽为100cm‑1以上。由此，能够提供一种非水电解质二次电池用负极材料、非水电解质二次电池用负极材料的制造方法、及非水电解质二次电池，所述负极材料维持通过使用硅系活性物质而得的高充放电容量，并且循环性优异。
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公开(公告)号：CN105229828A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201480029539.8
申请日：2014-04-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01M4/386 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/382 , H01M4/48 , H01M4/483 , H01M4/485 , H01M4/625 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2220/30
Abstract: 本发明涉及非水电解质二次电池用负极材料，其包含硅复合体，该硅复合体是具有硅的微晶或微粒在与该微晶或微粒组成不同的物质中分散的结构的硅复合体，基于X射线衍射中归属于Si(220)的衍射峰的半值宽度，由Scherrer式求出的上述微晶或微粒的微晶的大小为8.0nm以下，根据本发明，能够提供具有优异的库仑效率的非水电解质二次电池用负极材料和非水电解质二次电池。
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公开(公告)号：CN105024058A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201510195155.X
申请日：2015-04-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种非水电解质二次电池用负极材料及其制造方法、以及非水电解质二次电池用负极活性物质层、非水电解质二次电池用负极、非水电解质二次电池，所述非水电解质二次电池用负极材料可以增加电池容量，提高循环特性及电池初始效率。为了解决上述问题，提供一种非水电解质二次电池用负极材料，其含有负极活性物质粒子，其特征在于，前述负极活性物质粒子，含有至少一部分被碳被膜覆盖的硅化合物(SiOX:0.5≤x≤1.6)，并且利用飞行时间二次离子质谱仪在其最表层中检测出CyHz系化合物的片段，ζ电位为负。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103123441B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210543905.4
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及刻蚀掩模膜的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述刻蚀掩模膜：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在施加于刻蚀掩模膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，以及计算第一刻蚀完成时间与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN102385241B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201110383933.X
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN101082768B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN200710136300.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板，其包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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公开(公告)号：CN1900819B
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN200610107711.4
申请日：2006-07-20
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 在由石英或类似物制成用作光掩模基板的透明基板(11)的一个主平面上形成用于曝光光的遮光膜(12)。遮光膜(12)不仅用作所谓的“遮光膜”，而且还用作抗反射膜。另外，遮光膜具有100nm或更小的总厚度，而且对于波长为450nm的光，具有每单位厚度光学密度(OD)为0.025nm-1或更小的铬化合物的厚度占到该总厚度的70％或更多。在光掩模坯被用于制作为ArF曝光而设计的掩模的情形中，选择遮光膜(12)的厚度和组成使得遮光膜(12)的OD对于193nm或248nm的光是1.2到2.3。
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公开(公告)号：CN103324027A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310245718.2
申请日：2007-03-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
CPC classification number: G03F1/32 , C23F4/00 , G03F1/30 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , Y10T428/31616
Abstract: 一种光掩模基板以及光掩模制作方法。该光掩模基板包括透明衬底、沉积在衬底上并包含易于氟干法蚀刻的金属或金属化合物的光屏蔽膜、以及沉积在该光屏蔽膜上并包含耐氟干法蚀刻的另一金属或金属化合物的蚀刻掩模膜。当对光屏蔽膜进行干法蚀刻以形成图案时，由图案密度的依赖性所引起的图案尺寸的变化减少了，从而以高精确度制造出光掩模。
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