一种免模板制备四氧化三钴多层空心纳米球的方法

    公开(公告)号:CN108046340A

    公开(公告)日:2018-05-18

    申请号:CN201711390430.9

    申请日:2017-12-21

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种免模板制备四氧化三钴多层空心纳米球的方法,涉及无机纳米功能材料。制备前驱体:将无机钴盐、酒石酸钠、六次甲基四胺溶解在去离子水中,加热反应,反应结束后收集产物,洗涤,干燥,得前驱体,所述前驱体为粉红色粉末;制备四氧化三钴多层壳空心微米球:将所得的前驱体煅烧,得四氧化三钴多层空心纳米球。以去离子水为反应溶剂,通过简单温和的液相法在低温下合成分散性良好的纳米球状前驱体,通过在空气中煅烧得到Co3O4多层空心纳米球。制备的Co3O4纳米球具有多层空心的结构,纯度高且具有良好的分散性。产物具有纯度高、结晶性好、分散性好的优点,在多相催化、气敏传感器、锂离子电池和超级电容器等领域具有潜在的应用前景。

    金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法

    公开(公告)号:CN103426991A

    公开(公告)日:2013-12-04

    申请号:CN201310373675.6

    申请日:2013-08-23

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 金属纳米丝透明欧姆电极的压印方法,涉及透明薄膜电极。将Cu纳米分散于有机溶液中;通过真空抽滤,将分散于有机溶液中的Cu纳米线沉积于滤膜上;将沉积有Cu纳米线的滤膜覆盖在基片上,并在基片背面施加压力,再揭去滤膜后,Cu纳米线薄膜即被转移到基片背面,然后在真空气氛中退火,即完成金属纳米丝透明欧姆电极的压印。所制成的金属纳米丝的透明欧姆电极,具有良好的电导率和透光性,并能与半导体器件形成良好欧姆接触,可以提高器件电注入效率及其出光效率。制作灵活,易于图案化,可以在很多不规则的区域或者超大面积上形成透明导电电极。

    一种镍离子催化合成铜纳米线的方法

    公开(公告)号:CN103212721A

    公开(公告)日:2013-07-24

    申请号:CN201310172203.4

    申请日:2013-05-10

    Applicant: 厦门大学

    Abstract: 一种镍离子催化合成铜纳米线的方法,涉及一种金属纳米线制备方法。将含镍的前驱盐和含氯的铜前驱盐溶解于含有胺基的有机溶剂中,得到混合溶液;将混合溶液通入惰性气体,加热后保温,排去水和氧气后,继续加热后再保温,然后降温;将得到的溶液通过离心处理,倒去母液,清洗后干燥,即得铜纳米线。或将含镍的前驱盐和含氯的铜前驱盐溶解于含有胺基的有机溶剂中,得到混合溶液;将混合溶液通入惰性气体,加热后保温,排去水和氧气后,继续加热后再保温,等待反应一段时间后,再缓慢升温至更高温度并保温;将得到的溶液施加一个外加磁场,将产物吸住,然后倒去母液,得到由铜镍合金包裹的表面残留有机物的铜纳米线,清洗干燥后即得铜纳米线。

    一种用于硼氢化物水解产氢的催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN103071503A

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN201310038795.0

    申请日:2013-01-31

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: Y02E60/36

    Abstract: 一种用于硼氢化物水解产氢的催化剂及其制备方法,涉及一种催化剂,所述催化剂包括活性组分和载体,活性组分为氧化亚钴纳米晶,载体为金属氧化物粉末、碳材料粉末,催化剂中活性组分的质量百分比为10%~100%。在含有三辛基磷的烷基胺或以烷基胺作为表面活性剂的醚中分解钴的金属前驱体,在210~260℃下反应,再经冷却、分离,得到特定形貌的活性组分,将活性组分与载体混合,即得产物。其可作为目前使用的贵金属催化剂的一个替代品,在燃料电池等领域有着广泛的应用前景。以氧化亚钴纳米晶为活性组分,对硼氢化物水解制氢反应具有高活性,产氢速率快,且制备过程简单,成本低廉。

    一种同质结SnS纳米线太阳能电池

    公开(公告)号:CN103000713A

    公开(公告)日:2013-03-27

    申请号:CN201210566276.7

    申请日:2012-12-21

    Applicant: 厦门大学

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 一种同质结SnS纳米线太阳能电池,涉及太阳能电池。设有透明氧化铟锡导电薄膜层、同质结光活化层、绝缘封闭层、背电极层和Ti/Al金属欧姆层,所述透明氧化铟锡导电薄膜层、同质结光活化层、绝缘封闭层、背电极层和Ti/Al金属欧姆层依次相叠。采用SnS纳米线阵列,通过参杂P或B的方法形成p-SnS与n-SnS构成的同质结纳米线;在SnS的空隙中填入PMMA作为绝缘层,通过丙酮的清洗使得SnS纳米线的尖端部分露出并作为引出电极,在样品表面镀上一层透明氧化铟锡导电薄膜层作为引出电极;在SnS露出的部分沉积上Ti/Al成为接触电极;在两面的引出电极上引出外接线,即得。具有较强光吸收能力和较高光电转换效率。

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