公开(公告)号：CN116375464A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310310587.5

申请日：2023-03-27

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  张砚召 ,  周国相 ,  贺云鹏 ,  周玉 ,  贾德昌

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626

Abstract: 本发明涉及陶瓷材料技术领域，具体涉及温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法。其中，温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料，其化学组成为(1‑x)MgTiO3‑xCaTi1‑yHfyO3，其中，0.06≤x≤0.3，0.05≤y≤0.9。较于0.95MgTiO3‑0.05CaTiO3复相微波介质陶瓷，本发明制备得到的温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料的介电常数有了明显的提高；通过调整特定成分配比，本发明的温度稳定型中介电常数微波介质陶瓷材料的介电常数εr在21～32之间连续可调。

公开(公告)号：CN112573936B

公开(公告)日：2022-12-09

申请号：CN202011474068.5

申请日：2020-12-14

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 段小明 ,  张卓 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  何培刚 ,  周玉

IPC: C04B35/81 ,  C04B35/584 ,  C04B35/638 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供了一种氮化硅陶瓷基片的制备方法，包括如下步骤：步骤S1、将α‑Si3N4粉末、β‑Si3N4晶须、h‑BN粉末、烧结助剂和粘结剂通过辊压成型，制备得到β‑Si3N4晶须定向排列的片状坯体；步骤S2、将所述片状坯体经过脱脂处理后，得到脱脂坯体；步骤S3、将所述脱脂坯体进行气压烧结，使α‑Si3N4在所述β‑Si3N4晶须的诱导下发生相变并促进β‑Si3N4晶粒的取向生长，制备得到β‑Si3N4棒状晶粒定向排列的氮化硅陶瓷基片。本发明解决了现有的氮化硅陶瓷基片中氮化硅棒状晶粒杂乱排布，导致氮化硅陶瓷基片材料的散热性能不佳的问题。

公开(公告)号：CN112851359B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202110085694.3

申请日：2021-01-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  陈庆庆 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  周玉 ,  高巍

IPC: D01F9/10 ,  C04B35/58 ,  C04B35/565 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种吸波型SiBCN纳米纤维及其制备方法，属于陶瓷吸波材料技术领域。所述吸波型SiBCN纳米纤维微观相结构由碳化硅相、自由碳相和硅硼碳氮非晶基体相组成，所述碳化硅相和所述自由碳相分散在所述硅硼碳氮非晶基体相中。本发明的SiBCN纳米纤维中的SiBCN非晶基体相为电绝缘基体，具有优异的透波性能，而SiC相和自由碳相具有良好的介电性能，可改善SiBCN纳米纤维与自由空间之间的阻抗失配，使得入射的电磁波会尽可能多地由空气介质渗透到SiBCN纳米纤维中，并转化为内部能量。而且均匀分布在电绝缘基体中的由SiC相和自由碳相组成的导电相可以进一步调节材料的介电常数，引起较高的介电损耗以增强SiBCN纳米纤维的电磁波吸收能力。

公开(公告)号：CN114380583A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202210096854.9

申请日：2022-01-26

Applicant: 重庆恩辰新材料科技有限责任公司 ,  哈尔滨工业大学重庆研究院

Inventor： 杨治华 ,  张砚召 ,  周国相

IPC: C04B35/119 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  C04B35/634 ,  B28B1/00 ,  B33Y70/10 ,  B33Y10/00

Abstract: 本发明属于陶瓷技术领域，提供一种陶瓷材料的制备方法，包括将氧化锆增韧氧化铝陶瓷坯体进行排胶、预烧、浸渍液浸泡和烧结处理；其中，浸渍液包括锆离子盐溶液、铝离子盐溶液和尿素。上述陶瓷材料的制备方法采用包括锆离子盐溶液、铝离子盐溶液和尿素的混合液作为浸渍液对氧化锆增韧氧化铝陶瓷坯体进行后处理，提高了陶瓷材料的致密度，克服了传统3D打印技术制备陶瓷制品硬度低的缺陷。

公开(公告)号：CN112851363B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202110085758.X

申请日：2021-01-22

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  陈庆庆 ,  贾德昌 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  周玉 ,  高巍

IPC: C04B35/5835 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明提供了一种氧化石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法，属于陶瓷吸波材料技术领域。所述氧化石墨烯增强硅硼碳氮陶瓷复合材料包括硅硼碳氮陶瓷和分散在所述硅硼碳氮陶瓷内的氧化石墨烯，所述氧化石墨烯与所述硅硼碳氮陶瓷通过酰化反应形成的化学键连接，且所述氧化石墨烯呈平行排列的层状结构。本发明的氧化石墨烯通过酰化反应改性聚硼硅氮烷，聚硼硅氮烷相当于插层材料分布于相邻氧化石墨烯层之间，增大了相邻氧化石墨烯层之间的间距，破坏了氧化石墨烯层间的范德华力，并且氧化石墨烯键合在聚硼硅氮烷上，防止了氧化石墨烯滑移导致的分散不均匀问题，提高了氧化石墨烯在复合材料中分布的均匀性。

公开(公告)号：CN113173790A

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN202110613692.7

申请日：2021-06-02

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 蔡德龙 ,  贾德昌 ,  王博 ,  杨治华 ,  李达鑫 ,  薛成勇 ,  段小明 ,  何培刚 ,  王胜金 ,  周玉

IPC: C04B35/563 ,  C04B35/583 ,  C04B35/622 ,  B28B3/00 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供了一种B4C‑TiB2/BN层状陶瓷材料及其制备方法，属于层状陶瓷材料制备技术领域。所述层状陶瓷材料由B4C‑TiB2层与BN层依次交替叠加而成，所述BN层位于两层所述B4C‑TiB2层之间。本发明以B4C‑TiB2层为基体层、BN层为弱界面层，通过弱界面层的裂纹偏转增韧、基体层的残余压应力增韧和微裂纹增韧等多种增韧方式，使得材料整体在保留较高强度的同时断裂韧性大大提高，具有较好的抗冲击性能。

公开(公告)号：CN109761621B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201910204702.4

申请日：2019-03-18

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  杨亦天 ,  贾德昌

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  B28B1/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y70/10

Abstract: 一种可制备大尺寸复杂形状氮化硅陶瓷的方法，本发明涉及制备氮化硅陶瓷的方法。解决现有直写成型技术无法制备大尺寸的氮化硅陶瓷材料的问题。制备方法：一、称取；二、混合；三、3D打印；四、烧结，即完成可制备大尺寸复杂形状氮化硅陶瓷的方法。本发明可用于制备大尺寸复杂形状氮化硅陶瓷。

公开(公告)号：CN109437813B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201811510762.0

申请日：2018-12-11

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 何培刚 ,  苑景坤 ,  段小明 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B28/26 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B35/18 ,  C04B35/19 ,  C04B35/447

Abstract: 低温冷烧制备无机聚合物复合材料的方法及其陶瓷化应用，本发明涉及一种无机聚合物复合材料的制备方法及其应用，它为了解决现有无机聚合物的力学性能低和烧结温度高的问题。制备方法：一、将硅酸盐粉体、铝硅酸盐粉体以及第二相材料采用高能球磨工艺混合；二、无机聚合物复合材料干粉加入水和减水剂，机械搅拌均匀，获得塑性无机聚合物坯体；三、坯体加压保温成型，控制加压成型的压力为250～600Mpa；四、成型后的试样置于烘箱中固化，得到无机聚合物复合材料。无机聚合物复合材料在400～800℃温度下进行高温陶瓷化处理，得到陶瓷化产物。本发明制备的无机聚合物复合材料力学性能优良，且高温陶瓷化温度低。

公开(公告)号：CN108503384B

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201810430212.1

申请日：2018-05-08

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  廖宁 ,  杨治华 ,  周玉 ,  段小明 ,  王胜金 ,  何培刚 ,  蔡德龙

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/515 ,  C04B35/52 ,  C04B35/583 ,  C04B35/628 ,  C04B35/83

Abstract: 本发明提供一种碳化硅涂层改性多壁碳纳米管增强硅硼碳氮陶瓷复合材料及其制备方法，其方法在于，将硅粉、石墨粉和六方氮化硼粉按摩尔比2:3:1加入高能球磨机中，在氩气保护下进行球磨，得到非晶硅硼碳氮粉末；将多壁碳纳米管用聚氮硅烷进行涂覆，烘干后在氩气保护下进行高温处理；将非晶硅硼碳氮粉末与碳化硅涂层改性多壁碳纳米管进行行星球磨得到分散均匀的混合粉体；将混合粉体进行放电等离子体烧结，得到碳化硅涂层改性多壁碳纳米管增强硅硼碳氮陶瓷复合材料，且此材料由体积分数95‑99份硅硼碳氮非晶粉末和1‑5份碳化硅涂层改性多壁碳纳米管组成，与现有技术比较，本发明制备的材料具有很好的抗氧化能力以及很高的强度和断裂韧性。

公开(公告)号：CN110483070A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910872252.6

申请日：2019-09-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  于明 ,  廖兴祺 ,  周沅逸 ,  贾德昌 ,  蔡德龙 ,  何培刚 ,  段小明 ,  王胜金 ,  周玉

IPC: C04B35/628 ,  C04B35/80 ,  C04B35/622 ,  C04B35/58

Abstract: 本发明提供了一种短切SiC纤维的复合涂层、SiBCN陶瓷复合材料及制备方法，涉及陶瓷复合材料领域，短切SiC纤维的复合涂层的制备方法，包括以下步骤：SiC纤维预处理步骤：将SiC纤维进行热处理、分散酸洗和过滤干燥，从而得到预处理后的纤维；非晶C涂层的制备步骤：称取银粉，将所述银粉压制成银片，将所述银片放置具有双层结构的石墨坩埚内，并裁剪所需孔大小的石墨纸，用所述石墨纸将石墨坩埚的上下两层隔开，然后将SiC纤维放置在所述石墨纸中间；将装有所述银片、石墨纸和SiC纤维的石墨坩埚放置在热压炉中进行热处理，得到非晶C涂层改性的SiC纤维。本发明所述的短切SiC纤维的复合涂层的制备方法，周期短、产率高、安全环保，适于工业化生产。