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公开(公告)号：CN103755036A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310669992.2
申请日：2013-12-10
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种利用微生物吸附处理137Cs放射性废液的方法，其技术方案主要包括，将137Cs放射性废液的pH值调整为2.5～9，加入红冬孢酵母菌于5℃～40℃下对137Cs进行吸附处理，红冬孢酵母菌充分吸附137Cs后进行菌体分离，将分离得到的吸附了137Cs的红冬孢酵母菌体进行防辐射储存，放射性达标的液体按非放射性废水直接排放。采用本发明的方法处理137Cs放射性废液，137Cs的吸附率最高可达95%，且适用条件宽。本发明的完成与公开，为137Cs放射性废液处理找到了一个有效手段。
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公开(公告)号：CN102400099B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201110344681.X
申请日：2011-11-04
Applicant: 四川大学
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 本发明涉及一种核裂变反应堆中超临界水冷堆燃料包壳表面沉积抗高温氧化腐蚀性能与优异力学性能的CrAlSiN梯度涂层新工艺。采用多靶反应磁控溅射法在基材表面沉积CrAlSiN梯度涂层，其制备过程分成连续四个阶段进行：第一阶段制备Cr梯度涂层；第二阶段制备CrAl梯度涂层；第三阶段制备CrAlN梯度涂层；第四阶段制备CrAlSiN梯度涂层，再经退火处理即可。本发明通过合理设计各元素成分呈梯度变化微结构，使涂层抗氧化温度达950℃，硬度值达37GPa以上，与基材附着力高于34N，且涂层还具有优异的抗热震、耐磨损等性能，可大幅提高超临界水冷堆燃料包壳部件的服役性能与使用寿命。
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公开(公告)号：CN103114126A
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201310031728.6
申请日：2013-01-28
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种利用45Ca鉴别转基因油菜和普通油菜原生质体吸收钙差异的方法，包括：油菜栽培、原生质体提取、原生质体活性鉴定、原生质体培养和原生质体钙离子吸收量测定。实验结果证实，转入耐热基因TR1的原生质体，低Ca2+浓度时提高了油菜对Ca2+的吸收，而在高Ca2+浓度时，可以减少Ca2+进入细胞。本发明提供的利用45Ca鉴别转基因油菜和普通油菜原生质体吸收钙差异的方法，为研究培育对温度有更好调控能力的高产油菜奠定了基础。
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公开(公告)号：CN102632234A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210127296.4
申请日：2012-04-27
Applicant: 四川大学
IPC: B22F1/00
Abstract: 本发明属于粉体材料混料技术，具体地是涉及一种超细W-K金属粉末的真空热蒸发混料工艺。该工艺包括石英管预处理，在超低氧手套箱中用石英管封装超细W粉末与K块体，再将封装好的试样进行真空热蒸发处理，然后将真空热蒸发处理过的试样进一步进行后处理等步骤。本发明的工艺可实现超细W-K金属粉末的均匀混料，同时该混料粉体能较好地保持其初始粒度尺寸；并能实现K元素的成分在百万分之一量级上的精确控制。本发明为易氧化的、低熔点的、以及微量元素掺杂的超细金属粉末的混料提供了一种有效的途径，具有实际的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102400099A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110344681.X
申请日：2011-11-04
Applicant: 四川大学
CPC classification number: Y02E30/40
Abstract: 本发明涉及一种核裂变反应堆中超临界水冷堆燃料包壳表面沉积抗高温氧化腐蚀性能与优异力学性能的CrAlSiN梯度涂层新工艺。采用多靶反应磁控溅射法在基材表面沉积CrAlSiN梯度涂层，其制备过程分成连续四个阶段进行：第一阶段制备Cr梯度涂层；第二阶段制备CrAl梯度涂层；第三阶段制备CrAlN梯度涂层；第四阶段制备CrAlSiN梯度涂层，再经退火处理即可。本发明通过合理设计各元素成分呈梯度变化微结构，使涂层抗氧化温度达950℃，硬度值达37GPa以上，与基材附着力高于34N，且涂层还具有优异的抗热震、耐磨损等性能，可大幅提高超临界水冷堆燃料包壳部件的服役性能与使用寿命。
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公开(公告)号：CN101702406B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910216310.6
申请日：2009-11-24
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种深亚微米集成电路Cu互连用梯度扩散阻挡层制备工艺，属于半导体集成电路制造技术领域。该工艺采用射频磁控溅射镀膜设备在单晶Si基体上沉积一层非晶态TaN层；之后再沉积TaN梯度层，并通过逐渐调小反应气体N2流量以调控梯度层涂层中N含量，使N含量在所制备阻挡层中由里到外逐步递减；完成原位沉积TaN梯度层后，再沉积金属Ta层，即制得深亚微米集成电路Cu互连用双层梯度扩散阻挡层。其电阻率可低至112μΩ·cm，热稳定温度可达700℃以上。该制备工艺具有操作简单，便于推广的特点；所得阻挡层材料能改善互连电路的RC延迟，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN101608299A
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200910059964.2
申请日：2009-07-13
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种在高速织机用异形钢筘表面沉积高硬、低摩擦系数Cr/CrCN梯度涂层的工艺。该工艺包括镀前处理、偏压反溅清洗和采用弧离子增强反应磁控溅射仪在外形复杂、齿缘弧角大、厚度薄的异形钢筘表面沉积Cr/CrCN耐磨梯度涂层等步骤。本发明沉积的Cr/CrCN梯度涂层硬度可达2400HV，摩擦系数可低至0.11，因此不仅具有高硬质，低摩擦系数，而且还具有涂覆均匀性好，良好的韧性，可实现异形钢筘表面涂层体结构和功能的协调统一，从而有效提高涂层与异形钢筘基体整体部件的性能及使用寿命。
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公开(公告)号：CN221572451U
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202323443907.9
申请日：2023-12-18
Applicant: 四川大学
Abstract: 本申请公开了一种用于测试催化剂氢同位素气体去除转换率的装置，包括：静态混合器；零级空气罐，通过第一管路与静态混合器的入口连接；氢同位素气体罐，通过第二管路与静态混合器的入口连接；真空泵，通过第三管路与静态混合器的入口或出口连接；第一连接管路；气体检测装置，用于检测气体的成分与含量；第二连接管路，第一端与气体检测装置的气体进口连通；第四管路，第一端与第一连接管路的第二端连接，第二端与第二连接管路的第二端连接；和第五管路，第五管路的中部安装有可控温反应器，可控温反应器内具有与第五管路串联的反应管。本申请能够考察催化剂材料在不同氢同位素气体浓度、时空空速等参数条件下的氧化去除性能。
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公开(公告)号：CN212780431U
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN202021485372.5
申请日：2020-07-24
Applicant: 四川大学
IPC: G01N17/00
Abstract: 本实用新型公开了一种质子辐照与液/气体耦合测试样品台装置，包括两端均开口的第一级筒体和第二级筒体，以及一端开口的样品测试腔；第一级筒体的一端与粒子加速器束流传输管道末端可拆卸连接，第二级筒体的两端分别与第一级筒体的另一端、样品测试腔的开口端可拆卸连接；第二级筒体上开设有进气口和出气口，样品测试腔上开设有进液/气口和出液/气口；第一级筒体内安装有隔离组件，隔离组件用于隔离第一级筒体和第二级筒体且隔离组件两侧保持气密性；样品测试腔的开口端处设置有用于安装材料样品的支撑台。该质子辐照与液/气体耦合测试的样品台装置，可以实现大面积材料样品的测试，并能大幅提高测试安全性。
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