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公开(公告)号：CN119064981A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411229673.4
申请日：2024-09-03
Applicant: 四川大学
IPC: G01T1/36 , G01T7/00 , G01N23/22 , G01N23/2202 , G01N23/203
Abstract: 本发明涉及核分析和测试标定领域，公开了一种氘化物快速离子束分析装置，包括用于产生3He离子束的加速器，以及束流管道和分析室，分析室内设置有背散射探测器、核反应探测器、第一过滤器、第二过滤器和样品台；加速器与分析室通过束流管道连接，样品台设置在分析室内，且样品台用于放置样品的一侧朝向束流管道，加速器产生的3He离子束经束流管道入射到样品上；背散射探测器、核反应探测器分别位于3He离子束经样品后的背散射方向上。本发明还公开了一种氘化物快速离子束分析系统及分析方法。本发明可以在短时间内完成信号采集，只需要获取背散射测试能谱和核反应测试能谱即可实现对氘化物中氘含量的测定，不会破坏样品。
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公开(公告)号：CN115852326B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202211508551.X
申请日：2022-11-29
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明属于高温液态铅/铅铋环境下铅冷快堆结构材料表面腐蚀防护技术领域，涉及一种新型耐液态铅/铅铋腐蚀的FeCrAlYTi高熵合金涂层的制备方法，该方法通过五靶共溅磁控溅射方法制备近等摩尔比的FeCrAlYTi高熵合金涂层，靶材分别为Fe靶、Cr靶、Al靶、Y靶材和Ti靶，单个靶材溅射功率单独控制，溅射功率为100～300W，通过调节单个靶材的溅射功率获得近等摩尔比的FeCrAlYTi高熵合金涂层；本发明提供的FeCrAlYTi涂层与基体结合良好、表面光滑致密、粗糙度低、耐蚀性能好。
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公开(公告)号：CN115928018A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211508520.4
申请日：2022-11-29
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明属于高温液态铅/铅铋环境下铅冷快堆结构材料表面腐蚀防护技术领域，涉及一种性能优异的耐液态铅/铅铋合金腐蚀的复合涂层的制备方法，复合涂层的组成包括表层氧化物陶瓷层、中间FeCrAl基金属涂层以及基体部分，基体部分为不锈钢或者铁马钢，金属涂层为FeCrAlSiY涂层，表层氧化物陶瓷涂层包括Al2O3、ZrO2等。金属涂层和陶瓷涂层的制备均采用射频反应磁控溅射方法制备。本发明提供的金属陶瓷复合涂层与基体结合良好、涂层厚度均匀可控、涂层具有优异的耐液态铅/铅铋合金腐蚀性能。
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公开(公告)号：CN111778522A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010634014.4
申请日：2020-07-02
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种富集112Cd靶的制备方法，基于硫酸盐电镀体系，采用电沉积法制备富集112Cd靶，电沉积液成分为：112Cd2+浓度为18-22g/L，H+浓度为2-3mol/L，C6H5OH浓度为4-5g/L，C2H5OH体积分数为20-30％；电沉积参数为：电流密度为2.5-5mA/cm2，电沉积时间为18-24h，阳极用于负载靶物质的表面具有面积为3.4㎝2的沉积区和非沉积区，所述非沉积区覆盖绝缘层。本发明通过优化电沉积液组分和电沉积参数，在低浓度下进行镉靶制备，同时核反应有效面积控制在电沉积面积内，使每个靶片的镀镉量由传统的1-1.5g减少至0.2-0.3g，有效减少镉的用量，极大地降低了镉靶成本，填补了国内富集112Cd靶制备的空白。
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公开(公告)号：CN110208311A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910423889.7
申请日：2019-05-21
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种基于加速器离子辐照的阻氚涂层多场耦合性能测试方法及其测试装置。该方法是利用加速器产生载能离子对阻氚涂层样品进行辐照；气体注入系统将气体介质输入气体注入法兰对阻氚涂层样品进行渗透；温控系统控制加热台对阻氚涂层样品进行热循环；再由计算机程控系统处理。该装置包括静电串列加速器、真空室、红外测温仪、样品台、气体注入系统、温控系统、计算机程控系统及各信号传输线；实现对阻氚涂层多场耦合性能测试。本发明测试方法与测试装置，能对聚变堆阻氚涂层样品实现离子辐照、热循环与气体渗透的多场耦合性能测试；从而更加可靠和准确的评价阻氚涂层在实际工况服役性能，具有研究与实际应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106906451B
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201710009306.7
申请日：2017-01-06
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明涉及一种薄膜表面氧化铝量子点的电子辐照制备方法。该方法包括基片的清洗；氧化铝非晶薄膜的制备；商用电子静电加速器对制备的非晶薄膜进行电子辐照；以及对辐照非晶薄膜进行退火处理等工艺步骤。通过上述步骤，在氧化铝非晶薄膜表面制备出氧化铝量子点，并通过控制电子辐照与退火处理参数可对量子点分布密度与几何结构特征参数进行调控。与现有技术对比，本发明是在氧化铝薄膜表面原位生长氧化铝量子点、不引入杂质、工艺简易；所得氧化铝薄膜为非晶态，因此本发明制备的氧化铝量子点圆形度较好、尺寸均匀、形态分布的单一性好。且采用商用电子静电加速器进行电子辐照，可实现大面积规模化制备及商业化应用。
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公开(公告)号：CN101477022B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910058185.0
申请日：2009-01-19
Applicant: 四川大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多尺度系统理论量化表征薄膜表面形貌的方法。该方法首先用扫描探针显微镜通过多级变换扫描尺寸获取薄膜表面形貌图像，再用多尺度系统分析工具判定薄膜表面形貌是否具有多尺度特征，确定薄膜表面起伏结构的特征尺寸；然后针对具有多尺度特征的表面形貌图像，利用二维小波包分析方法对其进行多尺度层次分解；将分解图像组元与前述的特征尺寸值进行尺度比对，以确定分解图像组元对应的重构交割尺寸，并由此对图像组元进行选择与重构，得到不同特征尺度的薄膜表面起伏结构图像；最后利用表面粗糙度方法对重构图像执行评价，获取相关定量信息。该方法尤为适合于对微纳器件中薄膜材料表面形貌进行细致和完善地量化表征。
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公开(公告)号：CN101702406A
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200910216310.6
申请日：2009-11-24
Applicant: 四川大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种深亚微米集成电路Cu互连用梯度扩散阻挡层制备工艺，属于半导体集成电路制造技术领域。该工艺采用射频磁控溅射镀膜设备在单晶Si基体上沉积一层非晶态TaN层；之后再沉积TaN梯度层，并通过逐渐调小反应气体N2流量以调控梯度层涂层中N含量，使N含量在所制备阻挡层中由里到外逐步递减；完成原位沉积TaN梯度层后，再沉积金属Ta层，即制得深亚微米集成电路Cu互连用双层梯度扩散阻挡层。其电阻率可低至112μΩ·cm，热稳定温度可达700℃以上。该制备工艺具有操作简单，便于推广的特点；所得阻挡层材料能改善互连电路的RC延迟，提高半导体器件的运行速度和稳定性。
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公开(公告)号：CN117181050A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311174914.5
申请日：2023-09-12
Abstract: 本申请公开了一种流动式液体或类液体样品辐照平台装置，包括：原样处理容器，用于存放待辐照样品，具有第一搅拌机构；受辐照容器，具有第二搅拌机构；第一料管，一端连接原样处理容器，另一端连接受辐照容器；第一控制阀，设于第一料管上；辐照机构，位于受辐照容器的正上方；样品收集容器，用于接收来自受辐照容器的辐照好的样品；第二料管，一端连接受辐照容器，另一端连接样品收集容器；第二控制阀，设于第二料管上。本申请通过第一搅拌机构能够对原样处理容器内的待辐照样品进行搅拌，保证样品的均匀性，通过第二搅拌机构能够对受辐照容器的待辐照样品进行搅拌，保证样品辐照的均匀性。
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公开(公告)号：CN115747775B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202211508568.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 四川大学
IPC: C23C18/12
Abstract: 本发明属于聚变堆包层结构材料表面阻氚渗透技术领域，涉及一种高质量厚阻氚涂层的制备方法，该方法包括(1)AlPO4溶液的制备；(2)AlPO4溶液与MOD前驱体溶液按不同比例配置混合前驱体溶液；(3)基体材料的选择及处理；(4)基体表面高质量厚涂层的制备；本发明所提供的混合前驱体溶液以及涂层制备方法除了适合平面样品表面涂层制备以外，同时也适合于管件样品内壁制备高质量厚阻氚涂层；本发明操作工艺简单，制得的涂层表面致密、光滑、无裂纹、与基体结合力强。
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