公开(公告)号：CN106906451B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201710009306.7

申请日：2017-01-06

Applicant: 四川大学

Inventor： 杨吉军 ,  苗发明 ,  廖家莉 ,  杨远友 ,  刘宁

IPC: C23C14/58 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及一种薄膜表面氧化铝量子点的电子辐照制备方法。该方法包括基片的清洗；氧化铝非晶薄膜的制备；商用电子静电加速器对制备的非晶薄膜进行电子辐照；以及对辐照非晶薄膜进行退火处理等工艺步骤。通过上述步骤，在氧化铝非晶薄膜表面制备出氧化铝量子点，并通过控制电子辐照与退火处理参数可对量子点分布密度与几何结构特征参数进行调控。与现有技术对比，本发明是在氧化铝薄膜表面原位生长氧化铝量子点、不引入杂质、工艺简易；所得氧化铝薄膜为非晶态，因此本发明制备的氧化铝量子点圆形度较好、尺寸均匀、形态分布的单一性好。且采用商用电子静电加速器进行电子辐照，可实现大面积规模化制备及商业化应用。

公开(公告)号：CN102632234B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN201210127296.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 四川大学

Inventor： 杨吉军 ,  唐军 ,  舒小艳 ,  黄波 ,  苗发明 ,  刘宁 ,  杨远友 ,  廖家莉

IPC: B22F1/00

Abstract: 本发明属于粉体材料混料技术，具体地是涉及一种超细W-K金属粉末的真空热蒸发混料工艺。该工艺包括石英管预处理，在超低氧手套箱中用石英管封装超细W粉末与K块体，再将封装好的试样进行真空热蒸发处理，然后将真空热蒸发处理过的试样进一步进行后处理等步骤。本发明的工艺可实现超细W-K金属粉末的均匀混料，同时该混料粉体能较好地保持其初始粒度尺寸；并能实现K元素的成分在百万分之一量级上的精确控制。本发明为易氧化的、低熔点的、以及微量元素掺杂的超细金属粉末的混料提供了一种有效的途径，具有实际的应用价值。

公开(公告)号：CN102632234A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210127296.4

申请日：2012-04-27

Applicant: 四川大学

Inventor： 杨吉军 ,  唐军 ,  舒小艳 ,  黄波 ,  苗发明 ,  刘宁 ,  杨远友 ,  廖家莉

IPC: B22F1/00

Abstract: 本发明属于粉体材料混料技术，具体地是涉及一种超细W-K金属粉末的真空热蒸发混料工艺。该工艺包括石英管预处理，在超低氧手套箱中用石英管封装超细W粉末与K块体，再将封装好的试样进行真空热蒸发处理，然后将真空热蒸发处理过的试样进一步进行后处理等步骤。本发明的工艺可实现超细W-K金属粉末的均匀混料，同时该混料粉体能较好地保持其初始粒度尺寸；并能实现K元素的成分在百万分之一量级上的精确控制。本发明为易氧化的、低熔点的、以及微量元素掺杂的超细金属粉末的混料提供了一种有效的途径，具有实际的应用价值。

公开(公告)号：CN106906451A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201710009306.7

申请日：2017-01-06

Applicant: 四川大学

Inventor： 杨吉军 ,  苗发明 ,  廖家莉 ,  杨远友 ,  刘宁

IPC: C23C14/58 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/5813 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/081

Abstract: 本发明涉及一种薄膜表面氧化铝量子点的电子辐照制备方法。该方法包括基片的清洗；氧化铝非晶薄膜的制备；商用电子静电加速器对制备的非晶薄膜进行电子辐照；以及对辐照非晶薄膜进行退火处理等工艺步骤。通过上述步骤，在氧化铝非晶薄膜表面制备出氧化铝量子点，并通过控制电子辐照与退火处理参数可对量子点分布密度与几何结构特征参数进行调控。与现有技术对比，本发明是在氧化铝薄膜表面原位生长氧化铝量子点、不引入杂质、工艺简易；所得氧化铝薄膜为非晶态，因此本发明制备的氧化铝量子点圆形度较好、尺寸均匀、形态分布的单一性好。且采用商用电子静电加速器进行电子辐照，可实现大面积规模化制备及商业化应用。