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公开(公告)号：CN111687346A
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN202010472270.8
申请日：2020-05-29
Applicant: 国网河北省电力有限公司邱县供电分公司 , 国网河北省电力有限公司邯郸供电分公司 , 国网河北省电力有限公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可除尘的便携式工程用电缆切割装置，包括箱体、固定座、切割刀和刀体进给装置，所述箱体分为上下两部分；下端箱体有容纳切割刀滑动的凹槽，所述刀体进给装置包括刀座、咬牙螺母和传动螺柱，传动螺柱转动安装在所述固定座上；所述刀座具有容纳传动螺柱的直筒，所述咬牙螺母被压铆进直筒内部；所述刀座通过咬牙螺母和传动螺柱螺纹配合；所述固定座上设有驱动传动螺柱转动的驱动机构，所述刀体进给装置还包括限定切割刀沿凹槽方向运动的导向机构，本发明结构简单，使用方便，通过本发明可以避免传统切割电缆人力操作费时费力的工序，提高切割效率和使用安全性，有效提升电缆切割的精确性。
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公开(公告)号：CN109462276A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201810893991.9
申请日：2018-08-07
Applicant: 国网浙江省电力有限公司衢州供电公司 , 国家电网有限公司
IPC: H02J9/08
Abstract: 本发明公开了一种无缝接电方法，包括如下步骤：穿戴防护用具；电缆布放、检测；发电车侧主回路电缆接入；用户侧主回路汇流线夹接入；启动发电机组；用户侧次回路汇流线夹接入；合上用户高压侧熔断器，检查并网控制器参数，合上用户配电柜低压侧进线开关；关停发电机组作业人员拉开发电机组出口开关。本发明具有可实现低压不停电作业技术的拓展，丰富配网检修作业手段，为全供电区域、全电压等级、全配网类型的不停电应用推广创造条件的特点。
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公开(公告)号：CN109217578A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810803017.9
申请日：2018-07-20
Applicant: 国家电网有限公司 , 国网新源水电有限公司 , 国网新源水电有限公司新安江水力发电厂
IPC: H02K15/00
Abstract: 本发明涉及检修平台，公开一种发电机上机架检修安全平台，包括第一底板，第一底板上安装有护栏杆，还包括控制器和启动开关，启动开关与控制器连接，护栏杆上安装有卷绳机，护栏杆下端部铰接有连杆，连杆的另一端与卷绳机中的绳索连接，连杆的铰接有支撑杆，第一底板的两侧边固定有伸缩装置，伸缩装置包括气缸和伸缩在气缸内的伸缩杆，伸缩杆上设有安装槽，当卷绳机放下连杆时，连杆上的支撑杆伸入到安装槽内并通过磁性吸合连接。发电机上机架供人们行走的支架两侧面自动延伸出用于防护的连杆，给人们一种安全感，连杆又通过支撑杆与伸缩杆连接，保证了连杆的稳定性，连杆的收放是通过绳索来实现，安装方便，连接牢靠。
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公开(公告)号：CN119458399A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411705109.5
申请日：2024-11-26
Applicant: 国网江西省电力有限公司赣州供电分公司 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明涉及机器人技术领域，提供了一种带电封闭区域异物清除机器人，包括：机器人，所述机器人包括车身，所述车身的底部安装有锯切组件，所述车身的头部设置有剪切组件，所述车身的尾部设置有抓取组件，所述车身的中部设置有供电组件，所述机器人配套设置有遥控器；本发明通过控制遥控接收模块二，驱动机械臂将杂物捡起，工作人员控制遥控接收模块一启动驱动电机一，驱动车轮转动，带动杂物离开封闭区域，本装置能在设备不停电情况下清除封闭区域内的异物，避免了设备迫停事件的发生，提高电网的可靠性；特别是主变串联电抗器区域内的异物不停电清除，使主变能够持续供电，避免了中断供电导致的损失。
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公开(公告)号：CN116110785B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113064934B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202110325798.7
申请日：2021-03-26
Applicant: 安徽继远软件有限公司 , 国网四川省电力公司经济技术研究院 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网四川省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F16/2458
Abstract: 本发明实施例提供一种电力传感网感知层故障关联规则挖掘方法及系统，属于数据挖掘技术领域。所述方法包括：获取待挖掘的数据集以及对应的最小支持度；归并数据集以得到候选项集；分别计算候选项集中每个项的支持度；遍历每个项，筛选出支持度大于最小支持度的项；判断筛选出的项的数量是否为0；在判断筛选出的项的数量不为0的情况下，将筛选出的项加入频繁项集中；采用基于冗余容量的交叉计数方法从筛选出的项中计算出新的候选项集；再次分别计算候选项集中每个项的支持度，并执行方法的相
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公开(公告)号：CN116865309A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310802017.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 国网湖南省电力有限公司 , 国网湖南省电力有限公司节能管理分公司 , 国家电网有限公司
IPC: H02J3/28 , H02J3/24 , G06Q30/0283 , G06Q50/06 , G06F17/11
Abstract: 本发明公开了一种电力市场下独立储能电站电能量‑调频最优容量分配方法，包括：初始化调频容量和循环次数，获取数据集；根据能量‑调频联合优化模型构建滚动优化机制并输入数据集与当前调频容量进行滚动优化，根据优化结果计算得到电能量评估指标F1与调频评估指标F2的市场要素，并将优化结果输入电池老化程度模型得到电能量评估指标F1与调频评估指标F2的老化要素；根据电能量评估指标F1计算参与调频指标差异Cop，若调频评估指标F2大于参与调频指标差异Cop，增加调频容量，若调频评估指标F2小于参与调频指标差异Cop，减少调频容量。本发明可以进行储能电站电能量‑调频的最优容量分配，提升储能电站的调度控制水平。
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公开(公告)号：CN113656901A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110812649.3
申请日：2021-07-19
Applicant: 国家电网有限公司 , 国网新源水电有限公司 , 国网新源水电有限公司新安江水力发电厂
IPC: G06F30/17 , G06F30/23 , G06F119/14
Abstract: 本发明公开了一种水轮发电机转轴应力状态分析方法，包括以下步骤：S1、建立转轴的应力理论计算模型、现场应力测试方案和有限元计算模型；S2、采用应力理论计算模型验证有限元计算模型的准确性；S3、采用应变片电测法进行测试，得到转轴的轴向应力、扭转切应力、轴向拉力和扭矩；S4、将轴向水推力和扭矩作为有限元计算模型的边界条件，模拟计算出整根转轴的应力状态；S5、通过分析有限元计算模型的计算结果和现场应力测试结果，建立转轴最大应力值与现场应力测试值之间的关系，评估转轴寿命和安全状态。本发明具有容易实现、可靠性和准确性高、通用性广的特点。
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公开(公告)号：CN113097287A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911333532.6
申请日：2019-12-23
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山东省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种IGBT芯片终端结构及IGBT芯片终端结构制作方法，在N型衬底(1)的正面内部形成P型场限环(2)和镇流电阻区(3)；在P型场限环(2)和镇流电阻区(3)正面形成氧化层；在氧化层的正面形成正面金属层(9)，并在N型衬底(1)的背面形成背面结构，镇流电阻区(3)能够避免空穴电流集中和动态闩锁的发生，从而避免IGBT芯片在关断过程中烧毁失效，同时降低终端结构对应背面的P型集电区(11)的掺杂浓度，降低在IGBT芯片关断过程中的空穴电流密度，进一步提高IGBT芯片的抗动态闩锁能力和过电流关断能力。本发明还通过减小场板台阶处的刻蚀角度实现电场强度的降低，提高IGBT芯片在阻断态时的可靠性。
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公开(公告)号：CN112652657A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201910959594.1
申请日：2019-10-10
Applicant: 全球能源互联网研究院有限公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种沟槽栅型IGBT结构，所述IGBT结构包括：N型参杂发射区(11)、所述P型掺杂深结区(10)、多晶硅假栅极结构(7)；所述多晶硅假栅极结构(7)与所述N型参杂发射区(11)相连，且所述多晶硅假栅极结构(7)的底部插入所述P型掺杂深结区(10)。本发明通过增加多晶硅假栅极结构(7)，降低PNP分量，增强电导调制效应，降低芯片的饱和压降，同时多晶硅假栅极结构(7)与背面金属电极(4)距离近，并与N型掺杂发射区(11)相连，可以有效降低沟槽栅型IGBT芯片元胞区域的传输电容，从而降低IGBT芯片的动态损耗，提升整体性能。
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