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公开(公告)号：CN116110785A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN116110785B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN117316357A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311408223.7
申请日：2023-10-27
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种复合互连材料设计方法，包括如下步骤：对互连层进行热力学仿真；判断互连材料特性；结合实际互连材料特性情况，不同区域应用相应热膨胀系数的材料，然后对新的互连层进行热力学仿真，得到更换区域材料之后的应力分布，与更换区域材料前应力进行对比，观察互连层内部应力是否减小至所需范围；互连层内部应力未减小至所需范围，则结合实际调整材料参数重新进行仿真计算；若互连层质量满足需求，复合互连材料设计完成。本发明提高了器件的使用寿命，为未来复合互连材料的设计提供了新思路，对于未来复合式的预成型焊片、焊膏、烧结材料等的设计制作提供了依据。
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公开(公告)号：CN117406052A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311323680.6
申请日：2023-10-13
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明提供了一种IGBT器件内部结温获取方法、计算系统、存储介质及装置，属于功率半导体技术领域，该方法包括：获取I GBT模块确定I GBT芯片开启电压随温度变化的系数kV、I GBT芯片导通电阻随温度变化的系数kR；获取基准温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I；获取待测温度下I GBT模块各芯片电流的分布情况I’；根据kV、kR、I、I'计算得到待测温度下I GBT模块内部个芯片的温度分布情况。该方法通过获取I GBT模块的电流分布情况来获取I GBT模块内部各芯片的结温情况，可操作性强，能够降低I GBT模块各芯片的获取难度，能够解决实际测量I GBT模块各芯片结温较为困难的现状。
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公开(公告)号：CN116995045A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311022874.2
申请日：2023-08-15
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体器件及阀串结构，属于功率半导体技术领域，该功率半导体器件包括主体，所述主体内设有芯片单元，所述主体内设有油腔，所述芯片单元位于所述油腔中。该功率半导体器件可以通过油腔中填充绝缘油来有效减小器件的体积和寄生参数，同时提升器件的散热效率和对短时电流过冲的耐受能力，并且能够提升模块的绝缘能力，减少器件内部芯片的局部放电和沿面放电。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119880250A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202411805299.8
申请日：2024-12-10
IPC: G01L21/00 , H01H33/668
Abstract: 本发明涉及一种真空开关真空度的模拟标定系统及方法，该系统包括激光诱导击穿光谱子系统、时延子系统、PC端、真空腔和真空开关靶材，激光诱导击穿光谱子系统：包括依次设置的激光器、光路调整模块、收集模块和光谱采集模块，激光器发射激光光束，经光路调整模块进行调整后击打在真空开关靶材表面，产生等离子体光线，经收集模块进行收集并传输至光谱采集模块进行处理，得到光谱；时延子系统：分别与激光器和光谱采集模块连接，时延子系统用于控制激光光束的发射以及光谱采集模块的采集时间间隔；PC端：用于采用真空度标定模型对光谱进行检测，得到真空腔的真空度。与现有技术相比，本发明具有在线模拟标定等优点。
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公开(公告)号：CN117311328A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311548344.1
申请日：2023-11-20
Applicant: 国网上海市电力公司 , 常州帕斯菲克自动化技术股份有限公司
IPC: G05B23/02
Abstract: 本发明涉及一种温湿度控制器现场校验装置及方法，所述温湿度控制器现场校验装置包括现场校验控制箱和现场校验小环境箱，所述现场校验控制箱用于控制所述现场校验小环境箱构建现场校验小型模拟试验环境，对待测温湿度控制器本体的被测传感器进行校验，所述被测传感器校验完毕后，所述现场校验控制箱直接向所述待测温湿度控制器本体输出传感器信号，对待测温湿度控制器本体的控制逻辑进行校验；所述被测传感器包括被测凝露传感器、被测温度传感器和被测湿度传感器，所述控制逻辑包括加热、排风和断线故障报警逻辑。与现有技术相比，本发明可以方便快捷地实现全套开关柜温湿度控制器现场校验。
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公开(公告)号：CN116184050A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310202177.9
申请日：2023-03-03
Applicant: 国网上海市电力公司 , 清华四川能源互联网研究院
Abstract: 本发明提供一种非接触式GIS绝缘子表面电荷实时动态观测装置和方法，涉及GIS状态监测和诊断技术领域。装置包括法兰、测量传感器、测量阻抗和数据采集设备；法兰安装在GIS绝缘子上，法兰上开设至少一个测量窗口，测量传感器安装在测量窗口内，测量传感器、测量阻抗和数据采集设备依次连接，测量传感器用于通过测量窗口实时检测GIS绝缘子表面的电荷量，测量阻抗用于根据GIS绝缘子表面的电荷量、产生电压输出信号u，数据采集设备用于根据电压输出信号u、获得GIS绝缘子表面的电荷实时动态变化曲线。装置和方法无需将测量传感器伸入GIS内部，就可实现GIS绝缘子表面电荷沉积的实时动态观测，而不必在测量表面电荷时移除电压。
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公开(公告)号：CN116148611A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310286497.7
申请日：2023-03-22
Applicant: 国网上海市电力公司 , 清华四川能源互联网研究院
Abstract: 本发明提供一种特高频与光学集成的传感装置和系统，涉及信号传感与检测技术领域。装置包括特高频传感单元和光学传感单元；特高频传感单元的手孔盖板用于盖合到GIS设备的手孔上，特高频耦合器用于感应GIS设备内缺陷局部放电所产生的电磁信号，并产生特高频信号由电缆头输出；光学传感单元包括聚光透镜和感光元件，聚光透镜安装在特高频耦合器、绝缘垫层和手孔盖板上的安装通孔内，感光元件可拆卸地连接在聚光透镜的端部，聚光透镜用于汇聚GIS设备内缺陷产生的光，并由感光元件转化为电信号。该装置和系统将特高频传感和光学传感集成在一起，实现对GIS设备内缺陷更全面地感知和检测。
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公开(公告)号：CN113671237A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110942034.2
申请日：2021-08-17
Applicant: 国网上海市电力公司
IPC: G01R19/155
Abstract: 本发明公开了高温超导电缆的交接试验和评价方法，超导电缆的交接试验均在超导电缆浸渍于77K及以下温度的液氮的工况下进行，并且在开展交接试验时，超导电缆的最外侧是双层真空夹套的波纹管绝热套，包括：用宽频带电磁耦合法检测局放；用介质谱测试检测绝缘电老化；用四引线法进行临界电流测试；用量热法检测损耗；用低温压力试验法进行压力检漏；根据交接试验结果，对超导电缆的现场安装质量和运输质量、整个高温超导电缆系统的状态进行评价。基于超导电缆低温特征，结合传统交接试验，覆盖了超导电缆在投运后可能产生故障或问题的各方面性能检测，为高温超导电缆的应用具有指导作用。
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