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公开(公告)号：CN116110785A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN116110785B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN116598335A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310270078.4
申请日：2023-03-15
IPC: H01L29/06 , H01L29/861
Abstract: 一种高压功率二极管，二极管纵向结构包括半导体本体区、终端钝化保护层以及阳极金属电极层、阴极金属电极层；半导体本体区是外延层区，通过注入形成pn结结构，实现正向导通和反向阻断；半导体本体区包括阳极阱区、重掺杂阳极区、阴极缓冲区、重掺杂阴极区、漂移区、终端掺杂区；终端钝化保护层位于终端掺杂区的上方；阳极金属电极层位于重掺杂阳极区上方，阴极金属电极层位于重掺杂阴极区下方，形成欧姆接触电极，并形成厚金属互联；在横向电阻区形成若干浅掺杂区，通过开孔与阳极金属层在垂直方向上形成电连接。通过优化浅掺杂区与金属之间的接触，以及浅掺杂区掺杂设计，实现对正向浪涌电流的分流，提高FRD浪涌能力，兼顾反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN117012805A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310602819.4
申请日：2023-05-26
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
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公开(公告)号：CN219917174U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202321297019.8
申请日：2023-05-26
IPC: H01L29/06
Abstract: 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117393583A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311448397.6
申请日：2023-11-02
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L29/06 , H01L21/266
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的终端区结构和制造方法，属于功率器件技术领域。其技术方案为：一种功率器件的终端区结构，包括终端区，终端区包括低浓度JTE区，以及间隔设置在低浓度JTE区内的若干个调制组，若干个调制组对低浓度JTE区的杂质浓度进行调制；调制组包括辅助场环和/或辅助沟槽。本发明的有益效果是：本发明提供的一种功率器件的终端区结构尺寸小且使用可靠性高、耐压稳定性好、制作工艺简单，提供的一种功率器件的终端区结构的制造方法工序简单，方便操作且可操作性好。
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公开(公告)号：CN119451196A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202310946775.7
申请日：2023-07-31
Applicant: 北京智慧能源研究院
Abstract: 一种Si/SiC异质结结构及其制作方法，所述异质结形成二极管的阳极区，P型Si位于N型SiC上方，Si/SiC异质结由上述两层组成；或形成绝缘栅双极晶体管I GBT的背面发射区,P型Si位于N型SiC下方，Si/SiC异质结由上述两层组成。与传统碳化硅结构相比，本专利结构与传统硅制造工艺兼容，降低了工艺难度，提高了工艺质量，降低成本，提升了碳化硅器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN107305909A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201610262790.X
申请日：2016-04-25
Applicant: 全球能源互联网研究院 , 国家电网公司 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/06 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7393 , H01L29/06 , H01L29/0607 , H01L29/0821 , H01L29/66325
Abstract: 本发明提供一种逆导型IGBT背面结构及其制备方法。本发明通过在缓冲层和集电极之间增加低浓度掺杂的半导体层形成高阻区，此结构可有效抑制逆导型IGBT器件的电压回跳现象，同时减小集电极PN结的内建电势，提高集电极的注入效率，减小IGBT工作模式下的导通压降，降低逆导型IGBT器件正向导通损耗，显著的降低功耗。本发明提供的技术方案能实现生产线上连续生产，操作简单，实用性强，生产成本低。
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公开(公告)号：CN220400597U
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202322024049.8
申请日：2023-07-31
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L29/165 , H01L29/06 , H01L29/08
Abstract: 一种Si/SiC异质结结构，所述异质结形成二极管的阳极区，P型S i位于N型SiC上方，Si/Si C异质结由上述两层组成；或形成绝缘栅双极晶体管I GBT的背面发射区,P型Si位于N型SiC下方，Si/SiC异质结由上述两层组成。与传统碳化硅结构相比，本专利结构与传统硅制造工艺兼容，降低了工艺难度，提高了工艺质量，降低成本，提升了碳化硅器件的性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN113158422B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202110276122.3
申请日：2021-03-15
Applicant: 国网陕西省电力公司电力科学研究院 , 国网陕西省电力公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06F30/20 , H02J3/16 , H02J3/18 , G06F113/04
Abstract: 本发明公开了一种提升大型新能源基地稳定性的同步调相机选址方法。首先分别推导出单机新能源设备并网电路中新能源设备的端口导纳模型和同步调相机的导纳模型，并由此得出建立了含同步调相机的电力电子多馈入系统的交互模型，再通过矩阵摄动理论与未考虑同步调相机的新能源系统对比，证明了加装同步调相机后，系统的最小特征值增大，等效于提高了系统的广义短路比，从而增强了系统的稳定性；最后使用枚举法确定安装同步调相机的选址优化以最大程度地提升大型新能源基地稳定性。
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