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公开(公告)号：CN116885816A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310857646.0
申请日：2023-07-13
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于模块化的可重构电池系统及其SOC分层均衡方法，系统采用模块化设计与分层控制思想，以SOC为依据在充放电过程中通过驱动功率开关控制单体电池的投入状态，实现模组间与模组内单体电池间的SOC均衡控制，无需额外的均衡电路，避免电池间能量转移的损耗，均衡速度和均衡效率均得到很大的提高。模块化的设计降低了控制难度，便于系统规模化扩展，以适应不同应用场景需求，同时本发明系统采用闭环稳压控制，无需传统的直/直变换器即可实现高压直流侧的稳压控制，采用NLC‑PWM混合调制方法产生所需直流侧电压，降低了系统开关损耗，提高系统效率。
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公开(公告)号：CN110128019B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910400469.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 浙江大学
IPC: C03C10/14 , C03C4/12 , B33Y10/00 , B33Y70/10 , C08F120/20 , C08F2/48 , F21K9/64 , F21Y115/10 , F21Y115/30
Abstract: 本发明公开了一种黄色荧光玻璃陶瓷的制备方法和应用。将单体、交联剂和填充溶剂混合均匀，加入气相二氧化硅并搅拌均匀，再加入紫外光引发剂和紫外线吸收剂充分搅拌；加入黄色荧光粉(Y,Gd)AG:Ce并充分搅拌和除泡；将浆料导入模具紫外照射固化成型，或者3D打印，获得坯体；将坯体放入高温炉加热，获得包覆荧光粉的多孔二氧化硅玻璃，再放入高温真空炉致密化烧结，从而得到致密化的荧光玻璃陶瓷；最后切割和表面抛光处理。本发明方法工艺简单，可结合3D打印技术快速制备出形状复杂、物理化学性能稳定的荧光玻璃陶瓷，可利用黄色荧光玻璃陶瓷与高功率LED或者LD封装出高亮度白光器件。
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公开(公告)号：CN110272208A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910650337.X
申请日：2019-07-18
Applicant: 浙江大学
IPC: C03C10/14 , C03C4/12 , C03B19/02 , F21V9/32 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种绿色荧光玻璃陶瓷及其制备方法和应用。绿色荧光玻璃陶瓷由二氧化硅和LuAG:Ce绿色荧光粉组成。制备方法包含以下步骤：将单体、交联剂和填充溶剂混合均匀，加入气相二氧化硅并搅拌均匀，再加入紫外光引发剂和紫外线吸收剂充分搅拌，加入绿色荧光粉LuAG:Ce并充分搅拌和除泡；将浆料导入模具通过紫外照射固化成型，或者3D打印获得坯体；将坯体进行低温排脂、高温真空烧结，从而得到致密化的荧光玻璃陶瓷；最后切割和表面抛光处理。本发明绿色荧光玻璃陶瓷的物理化学性质稳定、热导率高，对环境友好，在高功率LED或者LD照明领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN107779956A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710890817.4
申请日：2016-01-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途。以碱土金属氢氧化物、金属银、二元固溶体As2S3和单质S为原料，水合肼为溶剂，在160℃烘箱中反应4-7天，得到四元硫属化合物半导体材料。化学组成式为SrAg4As2S6·H2O，本发明具有操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫属化合物，产率可达到～50％，化学纯度高，用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
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公开(公告)号：CN107723799A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710967035.6
申请日：2015-03-31
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B29/46 , C30B7/14 , C30B28/04 , H01L31/032
CPC classification number: C30B29/46 , C30B7/14 , C30B28/04 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途。以碱金属化合物、金属铜、二元固溶体硫化锑和单质硫为原料，水合肼和聚乙二醇为溶剂，在120-190℃烘箱中反应4-9天，得到四元硫化物半导体材料。化学组成式为：RbCuSb2S4，属于单斜晶系，空间群是C12/c1，β＝105.75°，Z＝4，能隙为1.74eV。本方法具有操作过程简单，原料成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本方法得到的四元硫化物，产率可达到60％-90％，晶粒尺寸为150-300μm，化学纯度高，用于制备光学半导体器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105894814A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610310512.7
申请日：2016-05-11
Applicant: 浙江大学
IPC: G08G1/01
CPC classification number: G08G1/0137
Abstract: 本发明公开一种考虑环境效益的多种交通管控措施联合优化方法及系统。系统中所有车辆均接入网络，车与车，车与路，车与交通控制系统，可以实现数据和信息的传递。系统包括控制范围划定与预期效果设定模块，数据采集模块，仿真数据预处理模块，宏观交通流仿真模块，交通控制效果评价模块，控制方案优化模块，控制方案发布与实施模块。系统利用车联网技术所提供的海量数据信息，在仿真平台上对宏观交通流进行模拟，通过对多种交通管控措施的联合优化，在兼顾路网运行效率的同时，减少路网机动车尾气排放，达到提高空气质量的目的。
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公开(公告)号：CN105803531A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610227756.9
申请日：2016-04-13
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C30B29/46 , C30B1/00 , G02F1/3551
Abstract: 本发明公开了一种四元硒化物非线性光学晶体及其制备方法和用途。其化学式为ABSn2Se6，其中A为平衡阴离子骨架的碱金属Rb,Cs中的一种，B为ⅢA主族金属里Ga,In中的一种，属于三方晶系，R3空间群。采用真空高温固相法制得，以碱金属氯化物、镓单质(铟单质)、锡粉、硒粉为原料，在850℃条件下反应8?12天，制备得到新颖结构的四元硒化物非线性光学晶体。本发明合成方法简单易行，原料成本低，反应条件温和。采用本方法制备的四元硒化物半导体材料，具有非线性光学信号，在非线性光学领域内如激光变频、远程传感等方面具有潜在的应用价值。
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公开(公告)号：CN105525354A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610064506.8
申请日：2016-01-29
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途。以碱土金属氢氧化物、金属银、二元固溶体As2S3和单质S为原料，水合肼为溶剂，在160℃烘箱中反应4-7天，得到四元硫属化合物半导体材料。化学组成式分别为：BaAgAsS3和SrAg4As2S6·H2O，本发明具有操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫属化合物，产率可达到～50％，化学纯度高，用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
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公开(公告)号：CN105481010A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201510835965.7
申请日：2015-11-26
Applicant: 浙江大学
CPC classification number: C01G30/002 , C01B19/002 , C01P2002/30 , C01P2002/72 , C01P2002/77 , C01P2002/84 , C01P2002/85 , C01P2004/03 , C01P2004/30
Abstract: 本发明公开了一种高产率四元硫属化合物半导体材料及其制备方法和用途。以钡盐、金属铜、二元固溶体Sb2Q3(Q＝S,Se)和单质Q为原料，水合肼为溶剂，在160℃烘箱中反应2-7天，得到四元硫属化合物半导体材料。化学组成式为：BaCuSbS3和BaCuSbSe3，本发明具有合成产率高，操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫属化合物，BaCuSbS3可得到纯相，BaCuSbSe3产率可达到～70％，化学纯度高，用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。
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公开(公告)号：CN104862782A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510146636.1
申请日：2015-03-31
Applicant: 浙江大学
IPC: C30B29/46 , C30B7/14 , C30B28/04 , H01L31/032
Abstract: 本发明公开了一种四元硫化物半导体材料及其制备方法和用途。以碱金属化合物、金属铜、二元固溶体硫化锑和单质硫为原料，水合肼和聚乙二醇为溶剂，在120-190℃烘箱中反应4-9天，得到四元硫化物半导体材料。化学组成式为：AxCuySbzS(x+y+3z)/2，其中A为平衡阴离子骨架的碱金属原子，x表示碱金属原子的摩尔量，y表示构成骨架过渡金属原子的摩尔量，z表示构成骨架原子的摩尔量。本方法具有操作过程简单，原料成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本方法得到的四元硫化物，产率可达到60%-90%，晶粒尺寸为150-300μm，化学纯度高，用于制备光学半导体器件。
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