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公开(公告)号：CN103940885A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410100698.4
申请日：2014-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备工艺。包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道，埋设沟道位于半导体衬底内靠近上表面处，且埋设沟道与半导体衬底上表面不接触，源极和漏极分别位于埋设沟道两侧，栅绝缘层位于埋设沟道之上的半导体衬底上。与现有技术相比，本发明中当源极和漏极之间产生电流时，电流优先从埋设沟道流过，而不是从栅绝缘层与半导体衬底的接触界面通过，这样就避免了由于上述接触界面存在的表面缺陷而产生的测量电流的噪声，避免了因表面载流子散射降低器件的信噪比和离子测量的灵敏度。
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公开(公告)号：CN101764058B
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN200910247379.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/28
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体为一种形成超薄可控的金属硅化物的方法。该方法包括在硅衬底上沉积金属层，金属层向硅衬底扩散，除去硅衬底表面剩余金属，退火，形成金属硅化物薄层等步骤，沉积的金属包括镍、钴、钛或铂等。沉积金属时还可以掺入铂、钨或钼等。硅衬底中还可以掺入适量碳、氮或氧等。本发明可通过控制衬底温度，硅衬底的离子注入预处理，沉积、扩散和退火重复次数等手段控制金属硅化物最终厚度。本发明方法制备的金属硅化物层热稳定性高，且生长速度可控。本发明可以用来形成金属-半导体肖特基结，也可用于在高掺杂的半导体上形成金属和半导体之间的欧姆接触。
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公开(公告)号：CN101707217B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910198315.0
申请日：2009-11-05
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/042 , H01L31/18 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于太阳能利用技术领域，具体公开了一种太阳能电池及其制备方法。所述的一个太阳能电池包括第一电极层、第二电极层以及置于第一电极层和第二电极层之间薄层导电层、超薄介质层和半导体衬底层。其中，第一电极层具有丝网状结构，并且由于从第一电极层侧入的光而产生光电动势。该太阳能电池以玻璃、铝板或钢板为衬底。另外，在薄层导电层上可形成重掺杂多晶硅层等。本发明的太阳能电池具有光电转换效率高、生产成本低以及适合于制备薄膜型电池等优点。
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公开(公告)号：CN101699617B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200910197859.5
申请日：2009-10-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种隧穿场效应晶体管(TFET)的制备方法。本发明使用自对准工艺形成隧穿场效应晶体管。这种隧穿场效应晶体管的制备方法工艺简单，形成这种隧穿场效应晶体管的工艺拥有自对准特性，而且其源极和漏极的形成过程可以被分离，从而可以很容易地形成拥有和衬底材料不同的源极结构。
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公开(公告)号：CN102184962A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110106298.0
申请日：2011-04-26
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/49 , H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种MOS器件，其栅极包括多晶半导体层及位于所述多晶半导体层两侧侧壁上的金属半导体化合物，由于其栅极包括部分的金属半导体化合物(即包括部分的金属栅)，因而可降低多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；同时，本发明还公开了一种MOS器件的制备方法，该方法将MOS器件的栅极制备成包括多晶半导体层及位于所述多晶半导体层两侧侧壁上的金属半导体化合物，由于该MOS器件的栅极包括部分的金属半导体化合物，因而可降低多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101887917A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN201010197984.9
申请日：2010-06-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/26586 , H01L21/823814 , H01L29/0847 , H01L29/66477 , H01L29/66643 , H01L29/66659 , H01L29/7839
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管及其制备方法。该场效应晶体管结构包括：半导体衬底、栅极结构、分别为混合结和PN结的源区和漏区，所述源区与漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由混合结构成，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。本发明通过改变离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，并进一步形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。
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公开(公告)号：CN101882621A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010186357.5
申请日：2010-05-27
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/105 , H01L21/8239 , G11C13/02
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种碳纳米管网络结构存储器及制备方法。该存储器包括：以硅为衬底，衬底表面氧化形成二氧化硅绝缘层，在绝缘层上淀积源极、漏极两个电极，两个电极具有一定的间距，利用光刻胶在两个电极之间刻蚀一定长宽的窗口，窗口的长度为两电极间距，在此窗口中淀积一层碳纳米管形成碳纳米管网络通路，并与两端的电极形成接触。通过在衬底(背栅)施加正负电压来实现数据的存储与擦除，测量源极、漏极的电流来实现存储数据读出。该器件结构简单，易于制作与集成。
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公开(公告)号：CN101834141A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010162413.1
申请日：2010-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78 , H01L29/08
CPC classification number: H01L29/7839 , H01L21/26586 , H01L29/45 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/66643 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，具体公开了一种不对称型源漏场效应晶体管的制备方法。通过改变两次离子注入的倾斜角度来控制离子注入形成的掺杂区域的位置，形成不对称型源漏场效应晶体管的独特结构。所述不对称型源漏场效应晶体管结构的源区和漏区结构不对称，其一由PN结构成，另外一个由肖特基结和PN结混合构成。
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公开(公告)号：CN101777586A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010023067.9
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/80 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66643 , H01L29/7839
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。
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公开(公告)号：CN101777571A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910247551.7
申请日：2009-12-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L27/24 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种相变存储器的阵列结构及其制备方法。该相变存储器的阵列结构利用竖直p-n结二极管作为相变存储单元的陈列器件，并用金属硅化物埋层作为连接连续多个竖直p-n结二极管阵列器件的埋层字线。该相变存储器的阵列结构可以降低埋层字线的电阻率、提高相变存储器的集成度以及提高相变存储器的存取速度，而且，该金属硅化物埋层的形成工艺简单，并与通常的集成电路工艺兼容。
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