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公开(公告)号：CN1683923B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200510070123.3
申请日：2001-03-30
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 在一种制造卤素化合物或全氟化碳化合物的设备中，为了将卤素气体和/或氟代烃气体浓度控制在设定在范围内，提供卤素气体和/或氟代烃气体的管理上需要的迅速、容易且精度高的测定方法，加之结构小型化、另外零件交换迅速、容易的测定装置和使用它的制造卤素化合物或全氟化碳化合物的方法。
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公开(公告)号：CN101663257A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200880012880.7
申请日：2008-04-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明的1，2，3，4-四氯六氟丁烷之类含氟化合物的制造方法的特征在于，使1，2，3，4-四氯丁烷之类卤代烃化合物在无溶剂、且无催化剂的条件下，在液相或固液共存状态下与氟气接触。本发明可以在不使用反应溶剂、反应催化剂的条件下由卤代烃化合物容易地制造含氟化合物。
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公开(公告)号：CN100458438C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200580033032.0
申请日：2005-09-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G01N30/14 , G01N30/88 , G01N2030/025 , G01N2030/8859
Abstract: 本发明提供可简便且高精度地进行含氟气的混合气体中所含的微量成分的分析的方法以及微量成分的分析装置。本发明的微量成分的分析方法，其特征在于，使(i)由氟气和稀释气体组成、并含有微量成分的混合气体、和(ii)含氢物质进行反应，将该氟气转化成氟化氢，将该氟化氢进行固定化除去之后，利用气相色谱仪对该微量成分进行分析。本发明的微量成分的分析装置，具有使(i)由氟气和稀释气体组成、并含有微量成分的混合气体、和(ii)含氢物质进行反应的反应管、填充有碱金属的氟化物的管、在可切换载气的流路的六通切换阀上连接有能分取一定量的样品的试样计量管的气体采样器、以及气相色谱仪，进行配管以使得上述混合气体和上述含氢物质按该顺序流过。
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公开(公告)号：CN1315765C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200510051525.9
申请日：2002-07-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/087 , C07C17/00 , C07C17/383
CPC classification number: C07C17/21 , C07C17/206 , C07C17/38 , C07C17/389 , C07C19/08 , C07C21/12 , C07C19/12
Abstract: 使含稳定剂的四氯乙烯与具有平均孔径3.4-11埃的沸石和/或具有平均孔径3.4-11埃的含碳吸附剂在液相中接触以获得高纯四氯乙烯。将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第一种氢氟烃，将卤化链烯烃和/或卤化链烷烃与氟化氢在氟化催化剂存在下反应生产第二种氢氟烃，将这些产品合并，然后蒸馏获得第一和第二种氢氟烃。
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公开(公告)号：CN1938249A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580010627.4
申请日：2005-03-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/20 , C07C17/383 , C07C19/08 , B01J23/86
Abstract: 本发明涉及一种制备高纯度1，1，1，2－四氟乙烷和/或五氟乙烷的方法，该方法是通过纯化粗产物的步骤进行的，其中粗产物是通过使三氯乙烯和/或四氯乙烯与氟化氢反应而得到的，并含有包含1，1，1，2－四氟乙烷和/或五氟乙烷的主产物、作为主产物共沸组分的氟化氢和包含至少一种不饱和化合物的杂质成分，其中所述纯化步骤包括：在气相中使通过将氟化氢新加入至所述粗产物中而得到的混合物与氟化催化剂接触以降低所述粗产物中的不饱和化合物含量的步骤，和蒸馏步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1839108A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200480023821.1
申请日：2004-08-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/383 , C07C17/20 , C07C17/354 , C07C19/08
Abstract: 一种制造六氟乙烷的方法，包括将含有各具有两个碳原子的氯化合物的粗制六氟乙烷蒸馏以便将六氟乙烷作为顶流从蒸馏塔顶部馏出并将含有氯化合物的六氟乙烷混合物作为底流从蒸馏塔底部分离的步骤，和在氟化催化剂的存在下、在300至500℃的温度下将底流与氟化氢在气相中接触以便将氯化合物氟化的步骤。该方法提供了可主要在半导体器件生产过程中用作清洁气体的六氟乙烷。
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公开(公告)号：CN1268592C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN01801119.5
申请日：2001-04-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/389 , C07C17/10 , C07C17/07 , C07C19/08
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/007 , C07C17/10 , C07C17/38 , C07C17/389
Abstract: 将含有乙烯化合物、烃化合物、一氧化碳和/或二氧化碳的四氟甲烷与平均孔径为3.4-11埃且Si/Al比率为1.5或更小的沸石和/或平均孔径为3.4-11埃的含碳吸附剂接触。由此可以得到有利于工业化生产且具有良好效益的高纯度四氟甲烷。
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公开(公告)号：CN1651370A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200410101217.8
申请日：2002-08-06
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: C07C19/08 , B01J23/08 , B01J23/26 , B01J23/44 , B01J37/26 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/23 , C07C17/395
Abstract: 高纯度六氟乙烷的生产方法，其中让含有六氟乙烷和氯三氟甲烷的混合气体与氟化氢在气相中于氟化催化剂的存在下在200－450℃下反应，以使氯三氟甲烷氟化；或者让含有1－3碳原子氯化合物的五氟乙烷与氢在气相中于氢化催化剂的存在下在150－400℃下反应，然后此产物与氟在气相中于稀释气的存在下反应。
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公开(公告)号：CN1568297A
公开(公告)日：2005-01-19
申请号：CN03800236.1
申请日：2003-03-07
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C17/21 , C07C17/395 , C07C17/10 , C09K5/04
CPC classification number: C09K5/045 , B01J23/26 , B01J23/42 , C07C17/10 , C07C17/21 , C07C17/395 , C07C19/08 , C09K2205/24
Abstract: 本发明涉及一种生产高纯度五氟乙烷的方法，包括(1)将四氯乙烯氟化的步骤，获得含有杂质的粗五氟乙烷，和(2)使含有杂质的粗五氟乙烷与氧气和/或含氧化合物在催化剂存在下接触的步骤。
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公开(公告)号：CN1561319A
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN01801719.3
申请日：2001-06-20
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: C07C19/08 , C07C17/20 , C07C17/10 , C07C17/395
CPC classification number: C07C19/08 , C07C17/10 , C07C17/206 , C07C17/21 , C07C17/383 , C07C17/395
Abstract: 本发明旨在提供用包含分子中有氯原子的化合物的CF3CHF2高收率制备CF3CF3的方法，以及CF3CF3的用途。本发明方法中，在氟化催化剂存在下，含有CF3CHF2和分子中有氯原子的化合物的气体混合物与氟化氢反应，从而将作为主要杂质的CClF2CF3转化为CF3CF3，并且在稀释气体存在下，使含CF3CF3的CF3CHF2与氟气体在气相进行反应。
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