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公开(公告)号：CN106663714B
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201580032429.1
申请日：2015-07-08
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 佐藤俊一
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693
Abstract: 一种化合物‑半导体光伏电池包括由晶格匹配于GaAs或Ge的第一化合物‑半导体材料制成的第一光电转换电池；第一隧道结层，其布置在光入射方向上比第一光电转换电池更远的深侧上，并包括第一p‑型(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1As(0≦x1
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公开(公告)号：CN106663714A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580032429.1
申请日：2015-07-08
Applicant: 株式会社理光
Inventor： 佐藤俊一
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693
Abstract: 一种化合物‑半导体光伏电池包括由晶格匹配于GaAs或Ge的第一化合物‑半导体材料制成的第一光电转换电池；第一隧道结层，其布置在光入射方向上比第一光电转换电池更远的深侧上，并包括第一p‑型(Alx1Ga1‑x1)y1In1‑y1As(0≦x1
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公开(公告)号：CN104937727A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201380071183.X
申请日：2013-11-25
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01L31/1836 , H01L31/035236 , H01L31/043 , H01L31/0687 , H01L31/06875 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , H01L31/042
Abstract: 光伏电池制造方法包括：在第一硅基底上沉积用于进行晶格驰豫的第一缓冲层；在第一缓冲层上沉积第一光电转换单元，第一光电转换单元是用包括pn结的化合物半导体形成的，并且第一光电转换单元具有比硅的晶格常数高的晶格常数；将支持基底连接至第一光电转换单元以形成第一层状体；和从第一层状体除去第一缓冲层以及第一硅基底。
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公开(公告)号：CN102668280B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201080057439.8
申请日：2010-12-15
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/455 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/1815 , H01S5/02208 , H01S5/02228 , H01S5/0224 , H01S5/02264 , H01S5/02288 , H01S5/02296 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18394 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01L2924/00014
Abstract: 一种光学器件，包括：面发射激光器阵列，具有多个发光部分；封装构件，其上设置面发射激光器阵列；以及透明构件，保持在封装构件上，并且设置在面发射激光器阵列发射的光束的光路上。透明构件包括面发射激光器阵列发射的光束入射在其上的入射面。入射面相对于面发射激光器阵列的发射表面以第一倾斜角倾斜，发光部分之一发射的光经由透明构件的反射以第二倾斜角入射在发光部分的另一最远的一个发光部分上，第一倾斜角小于第二倾斜角。
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公开(公告)号：CN102970035B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201210419400.7
申请日：2012-07-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H03L7/26
CPC classification number: G04F5/14 , H03L7/26 , Y10T29/49002
Abstract: 公开了一种原子振荡器，包括碱金属单元，将激光束照射至该碱金属单元的光源，以及检测穿过该碱金属单元的光的光检测器。该碱金属单元包括第一元件、第二元件、单元内部以及碱金属原材料。在第一元件中，第一玻璃衬底结合于形成第一开口部分的第一衬底的第二表面。在第二元件中，第二玻璃衬底结合于形成第二开口部分的第二衬底的第四表面。该单元内部通过将第一表面结合至第三表面，由第一开口部分和第二开口部分形成。该碱金属原材料由该单元内部所封装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136677B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110037067.9
申请日：2007-08-20
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , H01S5/0203 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/2213 , H01S5/3434 , H01S5/423 , H01S2302/00
Abstract: 一种表面发射激光器阵列包括多个表面发射激光器元件(1)。每个表面发射激光器元件包括：第一反射层(102)，形成于基板(101)上；共振器腔(103，104，105)，形成为接触第一反射层并包含有源层(104)；以及第二反射层(106，107)，形成于第一反射层上方并接触共振器腔。第二反射层包含选择性氧化层(107)。第一反射层在有源层侧至少包含低折射率层(1021)，该低折射率层由例如AlAs制成且氧化速率相当于或高于包含在第二反射层内的选择性氧化层(107)的氧化速率。共振器腔是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成。台结构的底部位于选择性氧化层下方和第一反射层上方。
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公开(公告)号：CN102664348B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210152025.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
Abstract: 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
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公开(公告)号：CN101346858B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN200780000885.3
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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公开(公告)号：CN102474073B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201180002926.9
申请日：2011-05-18
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G03G15/04 , B41J2/442 , B41J2/471 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 一种表面发射激光器器件，包括设置在发射区域内并被构造成导致在发生区域内在周边部分的反射率不同于在中心部分的反射率的透明介电层。在表面发射激光器器件中，在发射区域中，接触层的厚度在具有相对高反射率的区域和具有相对低反射率的区域之间不同。接触层设置在上部多层膜反射镜的高折射率层上，并且在具有相对低反射率的区域内，高折射率层和接触层的总光学厚度偏离从发射区域发射的激光的四分之一振荡波长的奇数倍。
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公开(公告)号：CN101776224B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010116997.9
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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