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公开(公告)号：CN1361525A
公开(公告)日：2002-07-31
申请号：CN01136657.5
申请日：2001-10-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/259 , C22C5/08 , C23C14/205 , C23C14/3414 , G02B5/0808 , G11B7/243 , G11B7/258 , G11B7/2595 , Y10T428/21 , Y10T428/31678
Abstract: 一种能够抑制Ag晶粒成长的光信息记录介质用反射层或半透明反射层,其特征在于,用含有Nd 0.1～3.0原子%的Ag基合金构成。从而提供了一种当然具有高反射率,而且能够抑制Ag晶粒成长的结构稳定性优良的新型光信息记录介质用反射层·半透明反射层、光信息记录介质以及光信息记录介质用溅射靶。
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公开(公告)号：CN103460351A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280015108.7
申请日：2012-03-13
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/05 , C22C9/06 , C23C14/14 , G02F1/1343 , G09F9/30 , H01B5/02 , H01L21/28 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , C22C9/00 , C22C9/05 , C23C14/165 , G02F1/1368 , G02F2001/136295 , H01L21/28008 , H01L21/32051
Abstract: 本发明提供一种与基板和/或绝缘膜具有高密接性，并且，热处理后仍具有低电阻率的新的Cu合金膜。本发明涉及在基板上，与基板和/或绝缘膜直接接触，从基板侧按顺序由第一层和第二层构成的Cu合金膜，第一层含有元素X（Ag、Au、C、W、Ca、Mg、Al、Sn、B和/或Ni）的Cu－Mn－X合金层（第一层），第二层是由纯Cu或以Cu为主成分且电阻率比所述第一层低的Cu合金构成的层（第二层）。
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公开(公告)号：CN102612713A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201080052289.1
申请日：2010-11-17
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G11B5/7325 , C23C14/16 , C23C14/3414 , G11B5/851 , Y10T428/12993
Abstract: 提供一种Ag合金热扩散控制膜，其是用于热辅助记录用磁介质的热扩散控制膜，既维持着高的热传导率，并且兼备高热扩散率、平滑的表面粗糙度和高耐热性全部。本发明涉及Ag合金热扩散控制膜，其是用于热辅助记录用磁记录介质的热扩散控制膜，由Ag为主要成分的Ag合金构成，满足表面粗糙度Ra在1.0nm以下、热传导率100W/(m·K)以上、热扩散率4.0×10-5m2/sec以上。
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公开(公告)号：CN101542696B
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200780044289.5
申请日：2007-11-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/285 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供显示装置用Al合金膜、使用该Al合金膜的显示装置及显示装置用的溅射靶材，所述显示装置用Al合金膜在基板上与导电性氧化膜直接连接，Al合金膜含有Ge0.05～0.5原子％，含有Gd及/或La合计为0.05～0.45原子％。本发明的Al合金膜未设置阻挡金属，即使导电性氧化膜和Al合金膜直接连接，导电性氧化膜和Al合金膜之间的粘接性也很高、接触电阻率低，优选干法刻蚀性能优异。
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公开(公告)号：CN100561319C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200510081886.8
申请日：2005-07-06
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G02F1/136227 , G02F1/1368
Abstract: 显示器及其制备方法。该显示器包括基材、在所述基材上形成的薄膜晶体管和透明导电膜以及使所述薄膜晶体管和所述透明导电膜电连接的铝合金膜，以使在所述铝合金膜和所述透明导电膜之间界面处存在所述铝合金的氧化物膜，而所述氧化物膜具有1～10nm的厚度并含有不超过44原子%的氧。该显示器具有彼此直接接触的铝合金膜和透明导电膜，避免了在它们之间需要阻挡层金属。
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公开(公告)号：CN101467210A
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200780022013.7
申请日：2007-06-15
CPC classification number: G11B7/259 , G11B7/00736 , Y10T428/21
Abstract: 本发明可以确定通过物理转写在光学记录介质的基板上形成的凹坑和平面的形状而制备的盗版光盘记录介质。所述光学记录介质具有卓越的耐候性和长期存储可靠性。在通过凹坑和平面的组合记录了主数据的基板上形成由Ag100－x－yXxCuy的Ag合金膜所形成的反射膜，其中，X为Ti、W、Ta、V、Mo、Nb及Zr中的至少一种元素。可以形成标记，使得在所述反射膜上一次写入的记录辅助数据的记录标记的再生信号电平升高，并且在通过物理转写所述基板的凹坑和平面的表面形状而制备的光学记录介质的再生信号电平降低。以这种方式可以确定盗版光学记录介质。
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公开(公告)号：CN101260484A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810083440.2
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)，本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。
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公开(公告)号：CN1901055A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610107508.7
申请日：2006-07-20
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: Ag合金反射膜含有作为组分的X1，并且具有位于距反射膜表面深2nm之内的区域中的富集层，其中组分X1以比X1在整个反射膜中的平均浓度更高的浓度富集在富集层内，其中X1是选自由下列元素组成的组中的至少一种合金元素：Bi、Si、Ge、Pb、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、In、Tl、Sn、As和Sb。所述反射膜具有作为反射膜的稳定且优异的基本性质，比如初始反射率和耐久性，并且进一步满足诸如激光标记适应性之类的要求。光学信息记录介质包括所述反射膜，而且性能优异。
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公开(公告)号：CN1901053A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610101951.3
申请日：2006-07-11
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C14/165 , C22C5/06 , C23C14/3414 , G11B7/258 , G11B7/259 , Y10T428/21
Abstract: 一种银合金反射膜被用于光学信息记录介质，并包含作为主成分的银、总共1－10原子％的至少一种稀土元素，和总共1－15原子％的选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种，其中所述至少一种稀土元素与所述选自In、Sn、Al和Mg中的至少一种的总含量为5原子％或更高。该银合金反射膜优选还包含0.01－3原子％的Bi和Sb中的至少一种。银合金溅射靶具有与该银合金反射膜相同的组成。
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公开(公告)号：CN1819041A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610006826.4
申请日：2006-02-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)。本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。
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