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公开(公告)号：CN119574698A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411776456.7
申请日：2024-12-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种集成电路板振动频率自动测试装置，包括检测座和放置板，检测座的顶部开设有矩形槽，放置板滑动安装在矩形槽的内部，检测座顶部的一侧呈对称固定安装有两个支撑滑杆；振动头不断地上下移动，对集成电路板进行不断的敲击，从而使集成电路板产生振动，并且观察外界检测设备判断集成电路板是否损坏，能够实现对集成电路板进行全面而精确的振动检测，这种检测方法具有高度的灵活性，可以针对不同厚度、不同规格以及不同材质的集成电路板进行有效的检测，极大地提升了对集成电路板在振动环境下的性能评估与故障排查的检测效果，为确保集成电路板的可靠性和稳定性提供了有力的技术支撑。
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公开(公告)号：CN119535171A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411738786.7
申请日：2024-11-29
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院 , 清华大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及集成电路测试技术领域，具体地涉及一种具有循环导向功能的集成电路测试装置，包括主检测主体、轨道支撑薄板、支撑固定架、固定支撑托架、第一限位调节主体、限位放置卡座、第一电动机、电动推杆和滑动支撑卡座，支撑固定架固定连接在轨道支撑薄板的两侧，固定支撑托架固定连接在支撑固定架的外侧端，滑动支撑卡座滑动卡接在轨道支撑薄板上，电动推杆固定安装在滑动支撑卡座的上端中部，第一电动机固定连接在电动推杆的上端。本发明使用的过程中可以在各种模拟的环境中精准循环方便的检测，可以对集成电路板在不同环境下充分的完成检测。
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公开(公告)号：CN117250463A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311235900.X
申请日：2023-09-25
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种半导体高低温耐受性测试方法，涉及半导体技术领域，为了解决半导体耐受性检测不便捷以及检测数据不准确的问题。本发明将高温检测数据记录和低温检测数据记录进行聚类处理，可以有效的将高温和低温检测时的不同性能的数据进行分类，并将分类完成的数据的长度进行确认，有效的保证了不同数据对应的不同的数据容量，提高了数据传输时的准确性，根据温度特征相关参数获取温度参数的相关性指数，并确定温度参数相关性指数的时序变化情况，提高了在检测过程中不同时间下的检测数据，并且根据时序变化情况判断温度参数相关信号值的稳定性，提高了检测数据在与产品性能的相关参数进行参数对比时的准确性。
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公开(公告)号：CN117148087A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311132589.6
申请日：2023-09-05
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓器件失效分析用测试装置及其测试方法，属于氮化镓器件测试技术领域。本发明的一种氮化镓器件失效分析用测试装置，包括测试台，所述测试台的内部设置有控制盒，所述测试台的上端设置有显示面板，且显示面板与控制盒电性连接，所述显示面板的一侧设置有移动槽。本发明解决了现有测试设备通过手动推动器件与触头接触从而测试，效率低下，且这样会导致氮化镓器件直接碰撞触头影响测试效果的问题，通过设置器件移动机构，实现了对氮化镓器件的自动输送，且输送过程稳定，同时还能微调氮化镓器件与测试触头的间距，避免直接撞上测试触头，提高了测试效果，且同时可对多个氮化镓器件进行测试，更利于失效分析。
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公开(公告)号：CN116984249A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202311015415.1
申请日：2023-08-14
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: B07B13/04 , B07B13/16 , B65G47/244
Abstract: 本申请提供了一种用于氮化镓半导体器件筛选装置及其使用方法，属于氮化镓半导体器件技术领域，包括支撑座，述支撑座的上方固定设置有外壳，所述外壳上等距开设有移动槽，所述外壳上各处移动槽由左至右宽度递增，所述移动槽的内部放置有轨道板，所述轨道板的上方安装有第一导向板，所述第一导向板的前端设置有第二导向板，所述外壳上固定设置有连接台，所述连接台的上方相对设置有第一连接板和第二连接板，所述第一连接板和第二连接板之间固定连接有储存盒，所述储存盒的内部固定安装有电动推杆。本申请能够在对反面朝上的半导体器件进行翻面时防止半导体器件脱落，能够在翻面后自动调节输送的位置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116455370A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310155791.4
申请日：2023-02-23
Applicant: 苏州市职业大学(苏州开放大学) , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K17/16 , H02M1/44 , H03K17/687
Abstract: 本发明是EMI可调整的自适应负载输出驱动电路，包括若干组驱动电路，驱动电路的负载上沿连接有短脉冲采样电路，用于对其电压采样，短脉冲采样电路的输出端连接高速比较电路的信号输入端，用于将采样电压经若干个不同阈值的比较器后，获得对应位数温度计码，高速比较电路的输出端通过同步电路连接温度计码解码电路和锁存电路，用于对温度计码解码并锁存有效信号，锁存电路连接负载识别电路，负载识别电路根据锁存的有效信号识别生成负载判断信号，来控制各组驱动电路中主驱动通道的导通与关闭。本发明电路可用于GaN驱动芯片中，使驱动晶体管尺寸随着负载大小的变化而变化，达到驱动负载上沿时间基本恒定的目的，降低EMI辐射的同时，提高输出效率。
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公开(公告)号：CN115864305A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211557667.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H02H3/24
Abstract: 本发明公开了一种高精度欠压保护电路结构。所提供的高精度欠压保护电路，本发明的针对上电复位过程欠压保护输出状态进行了保护，采用上电复位电路控制整体欠压保护电路的状态；另外欠压保护输出电压采用专用电源VDD2，与欠压保护电路的电源VDD1隔离开，避免数字电路噪声对欠压保护电路的干扰；提高了欠压保护电路的可靠性和精度，可以广泛应用于各类高压集成电路及应用系统。
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公开(公告)号：CN115857600A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211557095.8
申请日：2022-12-06
Applicant: 无锡英诺赛思科技有限公司 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种带自启动功能的带隙基准电压产生电路结构。所提供的带自启动功能的带隙基准电压产生电路，一方面采用二极管代替传统的三极管，减小了芯片版图面积；另外一方面采用了高可靠低延时启动电路，不使用电阻和电容等无源器件，进一步减小芯片面积，提高了带隙基准电压产生电路的可靠性。本发明所提供的技术方案，具有低成本和小面积优势，可以广泛应用于各类高精度模拟和数模混合集成电路系统。
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公开(公告)号：CN115189690A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210966701.5
申请日：2022-08-12
Applicant: 苏州市职业大学 , 清华大学无锡应用技术研究院
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/017 , H03K19/00
Abstract: 本发明是一种电容负载降压电平移位电路，采用电容负载结构，应用于GaN半桥驱动电路中，为了解决驱动电路负压的影响，抗负压电路采用降压电平移位电路实时监测高侧电压浮动状态并反馈回自举充电回路，使充电时间避开负压时间，降压电平移位电路采用电容负载，窄脉冲控制高侧移位电路的输入，高侧延时电路控制电容充放电回路，可以有效降低共模干扰，有效地保护GaN器件，使其栅压控制在正常工作范围内，避免负压对GaN器件的损坏，并且转换速度快、功耗低。
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公开(公告)号：CN114927453A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210233471.1
申请日：2022-03-10
Applicant: 清华大学无锡应用技术研究院 , 无锡麟力科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/687 , H01L21/66 , H01L21/67 , B08B5/04
Abstract: 本发明提供低功耗的屏蔽栅半导体功率器件测试装置，包括测试台，支撑柱，底板，第一支撑板，斜T型滑槽，控制箱，可滑动插接防护座结构，可复位检测移动座结构，可转动除尘降温罩结构，倒L型遮挡板，检测模块，吸尘器，连接管，可支撑防晃定位架结构，滑槽，滑孔和固定座所述的测试台的下端四角位置分别螺栓连接有支撑柱；所述的支撑柱之间的下部螺栓连接有底板。本发明吸尘器，第一固定管，第二固定管，金属软管和吸尘罩的设置，有利于在使用的过程中通过吸尘器工作时产生的动力，使吸尘罩进行吸尘工作，通过吸尘罩设置在插接座的上方，方便在检测的过程中提高降温效率。
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