公开(公告)号：CN101722447A

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200910174645.6

申请日：2009-09-21

Applicant: 硅电子股份公司 ,  彼特沃尔特斯有限责任公司

Inventor： M·克斯坦 ,  G·皮奇 ,  F·伦克尔 ,  C·万贝希托尔斯海姆 ,  H·莫勒

IPC: B24B7/17 ,  B24B7/22 ,  H01L21/02

CPC classification number: B24B7/17 ,  B24B37/08 ,  B24B47/12

Abstract: 用于扁平工件的双面处理的装置包括上、下工作盘，至少一个工作盘可由驱动部件转动，工作盘之间形成工作间隙，至少一个承载盘设在工作间隙中，且具有用于至少一个待处理的工件的至少一个缺口，且该至少一个承载盘在其圆周上具有齿，若齿轮或销环中的至少一个转动，该承载盘通过齿在分别有多个轮齿结构或销结构的内、外齿轮或销环上滚动，承载盘的齿在滚动时与轮齿结构或销结构啮合，至少一个销结构有至少一个引导部，该引导部限制至少一个承载盘的边沿在至少一个轴向上的运动，一个引导部由在销结构的第一较大直径与第二较小直径之间绕着销结构的圆周延伸的至少一个肩部形成，另外的引导部由绕着销结构的圆周延伸的至少一个凹槽的侧表面形成。

公开(公告)号：CN101269476A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810086098.1

申请日：2008-03-19

Applicant: 硅电子股份公司 ,  彼特沃尔特斯有限责任公司

Inventor： G·皮奇 ,  M·克斯坦 ,  H·a·d·施普林

IPC: B24B37/04 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304 ,  B24B49/00 ,  B24D3/00 ,  B24D13/14 ,  B24D18/00

CPC classification number: B24B37/28 ,  B24B37/08 ,  B24B37/12

Abstract: 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。

公开(公告)号：CN214026490U

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202020922851.2

申请日：2020-05-27

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： G·皮奇 ,  P·威斯纳

IPC: B28D5/00 ,  B28D5/04

Abstract: 本实用新型主题是一种单晶硅半导体晶圆。该单晶硅半导体晶圆包括不大于7μm的波纹度指数Wavred和300mm的直径，或者不大于4.5μm的波纹度指数Wavred和200mm的直径。