公开(公告)号：CN102834902A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180015715.9

申请日：2011-03-24

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介 ,  真弓聪

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32825 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/6776 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法及装置，沿着压力接近大气压的传送路径(11)连续传送被处理物(9)。在传送路径(11)的上游侧的位置上，从供给喷嘴(21)向被处理物(9)供给蚀刻液，对金属膜(97)进行湿式蚀刻。接着，在传送路径(11)的下游侧的处理空间(19)，使包含氟系反应成分及氧化性反应成分的蚀刻气体接触被处理物(9)的表面，对半导体膜(94)进行干式蚀刻。氟系反应成分是通过大气压等离子生成的。根据被处理物(9)的传送速度，按照被处理物(9)通过处理空间(19)的期间内的蚀刻深度对应于掺入了杂质的膜部分(96)的厚度的方式，设定蚀刻速率。由此，能够使半导体装置的沟道部分等的蚀刻更高效化，从而能够缩短处理时间。

公开(公告)号：CN101960566B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200980106982.X

申请日：2009-02-26

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明可以缩短处理时间且抑制基底膜的蚀刻，同时无残渣地对含硅膜进行蚀刻。使含有含氟反应成分和H2O或含OH基化合物的处理气体与被处理物(90)接触，对含硅膜(93)进行蚀刻。随蚀刻的进行改变处理气体中的H2O或含OH基化合物的含有率。优选在对含硅膜的欲蚀刻部分的大半部分进行蚀刻的第一蚀刻工序中增高上述含有率，在对残留部分的含硅膜进行蚀刻的第二蚀刻工序中降低上述含有率。

公开(公告)号：CN102210014A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980145086.4

申请日：2009-09-16

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 梅冈尚 ,  八木泽博史 ,  真弓聪 ,  佐藤崇 ,  功刀俊介

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32752 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01L21/67069

Abstract: 为了防止处理气体从用于处理被处理物表面的处理槽中泄漏，并稳定处理空间中的处理气体的流动。被处理物(9)由输送机(20)通过入口(13)输送到处理槽(10)的内部，并被定位处理空间(19)中。处理气体由供给系统(30)供给至处理空间(19)，并且对被处理物(9)进行表面处理。随后，通过出口(14)将被处理物(9)输送出。处理槽(10)内部的气体由排气系统(40)排出。气体的排出使处理槽(10)外面的气体通过开口(13，14)流入处理槽(10)的内部，使得流入气体的平均流速至少为0.1m/sec，但仍然小于将允许流入气体到达处理空间的速度。

公开(公告)号：CN101960566A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980106982.X

申请日：2009-02-26

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 功刀俊介

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明可以缩短处理时间且抑制基底膜的蚀刻，同时无残渣地对含硅膜进行蚀刻。使含有含氟反应成分和H2O或含OH基化合物的处理气体与被处理物(90)接触，对含硅膜(93)进行蚀刻。随蚀刻的进行改变处理气体中的H2O或含OH基化合物的含有率。优选在对含硅膜的欲蚀刻部分的大半部分进行蚀刻的第一蚀刻工序中增高上述含有率，在对残留部分的含硅膜进行蚀刻的第二蚀刻工序中降低上述含有率。

公开(公告)号：CN101658076A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880009956.0

申请日：2008-03-21

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 竹内裕人 ,  中森勇一 ,  功刀俊介

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。防止异常放电落在等离子处理装置的接地电极中的喷出口的内面。在等离子处理装置的接地电极(40)中的面向电场施加电极(30)的放电面(42)上配置介电部件(60)。在介电部件(60)形成与电极间的放电空间(1p)连通的喷出导孔(62)，并在接地电极(40)形成与喷出导孔(62)连通的喷出口(41)。使介电部件(60)中的喷出导孔(62)的内面比接地电极(40)中的喷出口(41)的内面突出。在介电部件(60)设置从与接地电极(40)的抵接面(63)沿齐面延长的阶梯面(64)。