公开(公告)号：CN1826843A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200480020800.4

申请日：2004-07-22

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 上原刚 ,  大野毅之 ,  势造一志 ,  竹内裕人 ,  小宫广实 ,  伊藤巧 ,  太田宜卫

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 为了解决电极的库仑力所导致的弯曲量并在用于具有较大区域的工件的等离子处理装置中获得均匀的表面处理。本发明提供的等离子处理装置的电极结构(30X)包括左右延伸的一对电极排(31X、32X)并在前后方向上彼此相对。各电极排包括侧向以并排关系安置的多个电极部件(31A－32C)。侧向安置在基本相同的位置中的两个电极排的电极部件具有相反的极性并在其间形成排间部分间隙(33p)。彼此相邻的电极部件设置成具有彼此相反的极性。

公开(公告)号：CN102197713A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN200980143301.7

申请日：2009-10-26

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 竹内裕人

IPC: H05H1/24 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，其能够在不加厚等离子体处理装置的电极的情况下进行冷却，并使处理效率良好。在等离子体处理装置(1)的第一电极(10)的第一放电面(11)与第二电极(20)的第二放电面(21)之间形成放电空间(1a)。第二电极(20)的处理面(22)与被处理物(9)相对。在第二电极(20)设有热输送机构(30)。热输送机构(30)的传热性高于第二电极(20)，利用第二电极(20)的内侧部与外周部之间的温度差，将热从第二电极(20)的内侧部向外周部输送。热输送部件(30)优选由热管(31)构成。

公开(公告)号：CN101658076A

公开(公告)日：2010-02-24

申请号：CN200880009956.0

申请日：2008-03-21

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 竹内裕人 ,  中森勇一 ,  功刀俊介

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/304

CPC classification number: H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置。防止异常放电落在等离子处理装置的接地电极中的喷出口的内面。在等离子处理装置的接地电极(40)中的面向电场施加电极(30)的放电面(42)上配置介电部件(60)。在介电部件(60)形成与电极间的放电空间(1p)连通的喷出导孔(62)，并在接地电极(40)形成与喷出导孔(62)连通的喷出口(41)。使介电部件(60)中的喷出导孔(62)的内面比接地电极(40)中的喷出口(41)的内面突出。在介电部件(60)设置从与接地电极(40)的抵接面(63)沿齐面延长的阶梯面(64)。

公开(公告)号：CN101405845A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200780010345.3

申请日：2007-03-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 日野守 ,  今井克广 ,  竹内裕人 ,  中森勇一 ,  高桥英则 ,  屋代进

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  B01J19/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32825 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3277 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明在被处理物为大型的情况下，也能够以简单的结构进行表面处理。用第一单元11L和第二单元11R构成表面处理装置1的处理头10。在这些单元11中，用于喷出处理气体的喷出口34沿第一方向延伸。第一方向与使被处理物移动的第二方向正交。两个单元11配置为相互在第一方向错开，且在第二方向错开。两个单元11的喷出口34之间在从第二方向观察的情况下重叠。

公开(公告)号：CN101405845B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200780010345.3

申请日：2007-03-23

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 日野守 ,  今井克广 ,  竹内裕人 ,  中森勇一 ,  高桥英则 ,  屋代进

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/455 ,  B01J19/08 ,  H05H1/24

CPC classification number: H01J37/32825 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/3277 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412

Abstract: 本发明在被处理物为大型的情况下，也能够以简单的结构进行表面处理。用第一单元11L和第二单元11R构成表面处理装置1的处理头10。在这些单元11中，用于喷出处理气体的喷出口34沿第一方向延伸。第一方向与使被处理物移动的第二方向正交。两个单元11配置为相互在第一方向错开，且在第二方向错开。两个单元11的喷出口34之间在从第二方向观察的情况下重叠。