一种靶材、靶材组件及其制作方法

    公开(公告)号:CN115255596B

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202211085271.2

    申请日:2022-09-06

    Abstract: 本发明提供了一种靶材,由两个或两个以上的部件经过焊接步骤形成,靶材包括靶材部和强化部,强化部的成分与靶材部的成分不同,强化部在靶材的焊接步骤中形成且连接至靶材部以提高了靶材的强度,强化部处于靶材的背面,且强化部覆盖靶材部的背面的至少一部分。靶材的强化部由高纯度金属与该种金属的合金经过焊接而均匀混合形成,具有强化部可以有效加强靶材的强度尤其是水冷面的强度。此外靶材是根据靶材本体在使用过程中正面受到侵蚀后的轮廓线而调整相应的焊接深度,使得在保证靶材本体使用率的情况下尽可能提高靶材的强化部的比例,从而使得靶材在长时间的使用后依然能够保持整体的强度比较稳定。

    一种氧化钴靶材及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN119553232A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411713842.1

    申请日:2024-11-27

    Abstract: 本公开提供了一种氧化钴靶材及其制备方法与应用,属于靶材技术领域。本公开氧化钴靶材的制备方法,包括以下步骤:将装有氧化钴粉末的模具依次进行抽真空、热处理和热压处理,得到氧化钴靶坯;其中,热处理的温度为950‑1050℃,时间为2‑4h;热压处理的温度为950‑1050℃,压力为30‑50MPa,时间为0.5‑2h;将所述氧化钴靶坯进行机加工,得到氧化钴靶材。本公开通过热处理和热压处理,并采用特定的处理参数,得到物相单一、相对密度高、电阻率低且性质稳定的氧化钴靶材,能够满足磁控溅射对靶材的要求。

    一种直流磁控溅射高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN119553227A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411622639.3

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种直流磁控溅射高迁移率透明导电氧化物薄膜的制备方法,本发明在制备靶材步骤中采用球体形状、棱锥体形状和足球状的氧化铟粉制备靶材,且棱锥体形状和足球形状的氧化铟粉的质量占比在20%以上,足球形状的粉体与其它粉体之间接触为面与面接触,球体形状与其它粉体之间的接触为点接触,足球形状的氧化铟粉有利于在保证粉体流动性的同时提高靶材的电子迁移率以及靶材的密度。通过直流磁控溅射镀膜机溅射镀膜得到氧化物薄膜,将得到的氧化物薄膜置于大气环境中并在不同温度下退火30±5min,得到高迁移率透明导电氧化物薄膜,提高ITO薄膜的电导率以及透过率,满足透明导电氧化物薄膜对于高迁移率的超高要求。

    一种阻变存储器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114156409B

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202111457206.3

    申请日:2021-11-29

    Abstract: 本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法,包括:衬底;下电极,下电极和衬底相连接;阻变层,阻变层和下电极相连接;上电极,上电极和阻变层相连接,阻变层设置在下电极和上电极之间,有益效果在于阻变存储器在高阻态与低阻态之间转变时,吸收或者释放大量氧原子,在阻变存储器从低阻态转变为高阻态时,释放出的大量氧原子可以大大促进阻变层中的导电细丝的断开,并且使得导电细丝断开地更为彻底,通过有效加强阻变层中导电细丝通道的断开,使得增大电极之间的电阻,达到增大阻变存储器的存储窗口的效果。

    溅射靶以及溅射靶的制造方法
    55.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119530728A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411723529.6

    申请日:2019-09-20

    Inventor: 古谷祐树

    Abstract: 本发明涉及溅射靶以及溅射靶的制造方法。一种溅射靶的制造方法,其包括以下步骤:准备10mol%以上且85mol%以下的Co、0mol%以上且47mol%以下的Pt、0mol%以上且47mol%以下的Cr作为金属粉末,向所述金属粉末中至少加入0.3mol%以上且4.0mol%以下的B6O作为氧化物粉末进行混合,在900℃~1200℃下对所得到的粉末进行烧结,得到溅射靶,所述溅射靶在将Cu设为射线源的XRD衍射图谱的2θ=30~35°的范围具有B6O(110)的衍射峰,在2θ=35~40°的范围具有B6O(104)的衍射峰,且B溶出量为500μg/L/cm2以下。

    一种改善预处理腔体内表面沉积膜层脱落的方法

    公开(公告)号:CN119530726A

    公开(公告)日:2025-02-28

    申请号:CN202411662379.2

    申请日:2024-11-20

    Inventor: 谈鑫

    Abstract: 本发明公开了一种改善预处理腔体内表面沉积膜层脱落的方法,包括:S1、提供一预处理腔体以及放置在所述预处理腔体内的待处理硅晶圆,所述预处理腔体的顶盖采用石英材料制成,所述待处理晶圆表面依次为氮化硅层和金属氧化层;S2、在所述顶盖的内表面上沉积氮化物材料,形成一层氮化物薄膜;S3、对所述待处理晶圆进行预处理,产生的残留物沉积在所述氮化物薄膜上形成氮化硅沉积膜层和金属沉积膜层。本发明通过在预处理腔体的顶盖内表面沉积一层氮化物薄膜,提高顶盖对氮化硅和金属沉积膜层的吸附性,避免因沉积膜层剥落而对晶圆产生污染,从而减少对预处理腔体进行预防性保养的频率,提升设备正常运行时间及减少保养费用。

    聚合物电池铜集流体及其制备方法

    公开(公告)号:CN119506811A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411736597.6

    申请日:2023-12-22

    Abstract: 本发明提供一种聚合物电池铜集流体的制备方法,属于铜箔集流体的表面改性技术领域,该制备方法将硝酸锌、硝酸铝、丙烯酰胺和N‑N’亚甲基双丙烯酰胺配置成溶液,加入引发剂后反应得到凝胶,将凝胶干燥得到AZO前驱体;再将AZO前驱体煅烧后得到AZO粉体;将AZO粉体与无水乙醇混合后进行球磨,然后蒸发乙醇并制成靶材胚体,再经烧结获得AZO靶材;最后使用AZO靶材对铜箔表面进行溅射镀膜,得到聚合物电池铜集流体。制备得到高纯度、高密度的AZO靶材,用其对铜箔进行表面修饰改性,形成的AZO修饰层厚度小,能够在不影响界面阻抗的情况下促进锂离子在箔材表面的均匀分布。

    一种喷涂平面靶材及其制备方法和压电传感器

    公开(公告)号:CN119506796A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202510090999.1

    申请日:2025-01-21

    Abstract: 本申请涉及溅射用靶材制备技术领域,提供了一种喷涂平面靶材及其制备方法和压电传感器,所述喷涂平面靶材的制备方法包括以下步骤:提供平面靶材基体;将靶材粉料热喷涂到所述平面靶材基体的待喷涂面,形成靶材层,然后机加工得到喷涂平面靶材;其中,所述待喷涂面包括由中心处至外周处水平高度逐渐降低的坡面结构。本申请提供的制备方法采用热喷涂的方式,无需长时间高温烧结,利于降低能耗、成本和提高生产效率。并且通过平面靶材基体的坡面结构弥补靶材层热应力导致的翘曲,提高平面靶材的靶材层的表面平整性,有利于提高其作为溅射靶材时的溅射均匀性。

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