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公开(公告)号：CN117468097A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311452086.7
申请日：2023-11-02
Applicant: 内蒙古上航新能源有限公司
Abstract: 本发明公开了一种单晶硅埚底料的石英去除方法，涉及单晶硅生产领域，包括以下步骤：S1：破碎分拣，其用于将埚底料进行破碎并分成大于100mm、20‑100mm以及20mm以下三种尺寸的埚底料；100mm以上的埚底料进行敲砸，以去除单晶硅上附着的大块石英；20‑100mm的埚底料剔除其中的石英；20mm以下的埚底料去除游离的石英；S2：酸洗，将上述步骤中剩余的埚底料采用氢氟酸浸泡，以去除硅料上的石英；S3：漂洗，其用于去除单晶硅上残留的氢氟酸。本发明提供的一种单晶硅埚底料的石英去除方法，通过上述物理的方法可以去除埚底料中的大部分石英，剩余的少量含有石英的埚底料采用氢氟酸酸洗，一方面可以缩短浸泡的时间，另一方面可以减少氢氟酸的消耗量。
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公开(公告)号：CN110004496B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910410402.1
申请日：2019-05-16
Applicant: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
Abstract: 本发明公开了一种环形激光加热系统，可见光发射器及激光发射器朝向合束装置设置，合束装置能够将可见光发射器发射的可见光束的光路及激光发射器发射的激光光束的光路合束为相同光路并使其朝向束变环装置；束变环装置能够将可见光束或激光光束变为空心环状光束并将空心环状光束折轴射向聚焦装置；聚焦装置能够将空心环状光束聚焦并射向待加热区域。本发明将可见光束的光路与激光光束的光路合束为相同光路，工作人员可基于可见光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息来判断激光光束的平行度、束变环效果、聚焦效果、焦点位置等信息，从而便于对激光光束进行控制调节，保证加热效果。
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公开(公告)号：CN117403331A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311382962.3
申请日：2023-10-24
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种籽晶粘接用渐变式挤压真空粘接装置，包括用于将籽晶搬运至坩埚安装面上的自动转运单元、用于将粘黏胶滴加至坩埚盖安装面上的自动上胶单元、用于将坩埚盖安装面上的粘黏胶刮平的自动刮平单元、用于临时承载籽晶且与所述自动转运单元适配的籽晶承载盘以及用于承载坩埚盖的坩埚盖承载盘，还包括真空罩单元和渐变挤压单元，所述渐变挤压单元包括挤压单元和加热单元。利用加热单元对粘黏胶进行加热，可以提高粘黏剂分子的活动性和扩散速率，从而加快粘黏胶的固化，降低固化时间，同时挤压单元通过将加热单元产生的热量转换成对籽晶上端的挤压力，且挤压力由无缓慢变大直至稳定，可有效防止胶水过多溢出同时也提高了胶水的粘接强度。
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公开(公告)号：CN117105678A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311059442.9
申请日：2023-08-22
Applicant: 湖南世鑫新材料有限公司
IPC: C04B35/66 , C04B35/80 , C04B35/524 , C04B41/85 , C30B35/00
Abstract: 本发明公开了一种高致密的碳陶桶的制备方法，将碳纤维经展纱、浸胶、烘烤后，缠绕在模具上获得缠绕体，固化获得桶形预制体，将桶形预制体碳化获得碳化桶，将碳化桶进行反应熔渗硅处理即得碳陶桶；本发明提供的碳陶桶通过采用缠绕的方式获得预制体，纤维经展纱浸渍均匀，排列整齐，且干燥过程产品转动，保证树脂分布均匀。与传统碳陶桶相比，没有针刺的通孔，气孔率低，缠绕前经干燥去除大量溶剂和小分子物质，实现产品高致密性；用于各种硅料生产过程中能隔绝石英坩埚中氧，保证硅料纯度，同时高的致密性防止硅料泄露。
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公开(公告)号：CN116837467B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311103402.X
申请日：2023-08-30
Applicant: 福建福碳新材料科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种三代半导体用带碳化硅涂层的石墨坩埚，属于石墨坩埚技术领域，包括固定底板，所述固定底板上固定设置有安装环，所述安装环上固定设置有两个对称设置的支架，且两个所述支架上均固定设置有支撑台，两个所述支撑台上均转动设置有转轴，其中一个所述支架上固定设置有载物板，启动电机带动轴体转动时，摆动器上的摆动杆能够坩埚内壳中的物料进行摆动放平，并且当物料与坩埚内壳发生卡死时，摆动杆无法推动物料运作，使得摆动杆无法转动，此时扭力弹簧的扭力不断增加，到增加到一定程度时摆动杆压缩挤压弹簧，将限位杆从控制器内部拔出，使得框架与控制器之间转动打滑，避免对坩埚内壁造成损伤的情况出现。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116924218A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310951605.8
申请日：2023-07-31
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可加快坩埚悬空冷却吊具，涉及到碳化硅晶体制备技术领域，包括用于将生长炉内坩埚吊起悬空冷却的重力夹持吊具，还包括利用所述坩埚所带热量作为动力源为所述坩埚进行散热的热动力散热机构。本发明结构合理，本发明在原吊具上增设热动力散热机构，本冷却吊具利用坩埚自身的热量进行发电并给电机提供电能，并利用产生的风力对坩埚进行散热，可加快坩埚的悬空冷却速度，且本热动力散热机构散热效果温和，并不会对坩埚以及晶体产生影响。
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公开(公告)号：CN115386964B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210951056.X
申请日：2022-08-09
Applicant: 浙江晶阳机电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高效率全自动碳纤维坩埚预制体制造设备，主要涉及的设备包括顶部针刺机构、模具、补料机构、侧边绕线机构、模具旋转机构、工作台升降机构、工作台、送料机构、尾部针刺机构、尾部开口切刀机构、端部绕线机构以及模具翻转机构；顶部针刺机构与尾部针刺机构上均安装有刺针；补料机构、送料机构以及尾部开口切刀机构上均安装有导轨滑块；侧边绕线机构与端部绕线机构上安装有气缸，并带有夹线结构；模具旋转机构上安装有传动结构；工作台升降机构安装有升降机结构；模具翻转机构上安装有旋转轴和轴承。本设备可实现全自动生产，节约人工成本，保证产品质量，可避免人员长时间接触碳纤维材料造成的身体不适，保障人员的人身安全。
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公开(公告)号：CN115353082B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202211039523.8
申请日：2022-08-29
Applicant: 山东大学
IPC: C01B21/072 , C30B35/00
Abstract: 本发明属于氮化铝原料处理技术领域，尤其涉及一种一步烧结高质量氮化铝原料的方法，包括如下步骤：取氮化铝粉体原料装于坩埚内；将坩埚整体置于炉体内，抽真空后充入烧结气；梯度烧结；对炉体降温，取出坩埚。本发明通过采用分梯度烧结的方法，通过在不同温度下烧结不同时间步长，来达到一次烧结即可生成高质量氮化铝原料的目的。这种方法很大程度上提高了原料处理的效率，降低了烧料的物料成本和人工成本。并且采用一步法烧结出的原料有明显的晶型特征，能够直接用于后续AlN的晶体生长，与常规方法相比，不必进行反复烧结，能够快速高效的实现对原料的烧结和纯化。
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公开(公告)号：CN116829771A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202180090535.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 扎迪恩特科技股份有限公司
IPC: C30B35/00
Abstract: 本发明关于一种制造较佳为长形SiC固体，尤其是多型3C的方法。本发明的方法较佳为包含至少以下步骤：将至少一种第一来源气体引入处理室中，该第一来源气体包含Si；将至少一种第二来源气体引入该处理室中，该第二来源气体包含C；电激励至少一个配置在该处理室中的分离器组件而将该分离器组件加热；将沉积速率设定为超过200μm/h，其中通过引入该第一来源气体及/或该第二来源气体而在该处理室中产生超过1巴的压力，及其中将沉积组件表面加热到在1300℃至1800℃之间的范围的温度。
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公开(公告)号：CN115142129B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202210780266.7
申请日：2022-07-04
Applicant: 扬州晶樱光电科技有限公司
Abstract: 本发明属于多晶硅加工技术领域，具体为一种用于多晶铸锭炉的气体液体配合冷却装置及方法，包括炉体，所述炉体的内侧设置有保温底板，所述保温底板的上侧安装有热交换台，所述热交换台的上方设置有坩埚，所述保温底板的上方设置有卡在坩埚及热交换台外侧的隔热笼，所述隔热笼的外侧上方及保温底板的下侧均连接有贯穿炉体的承重拉杆，所述隔热笼的外侧设置有支撑板，所述支撑板的下侧安装有环形气管，所述环形气管的一端连接有贯穿炉体的进气管，本装置在初始降温时，环形气管喷出的气流只能吹到热交换台，对热交换台进行降温，当隔热笼的高度升高时，坩埚露出来后，气流也可以吹到坩埚，进而对坩埚进行降温。
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