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公开(公告)号：CN114509459B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202210186965.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC: G01N23/207
Abstract: 本发明公开了一种辨别导电型碳化硅晶片硅面和碳面的方法，该方法通过导电型碳化硅晶片硅面和碳面X射线衍射强度的差异以及导电型碳化硅晶体生长中特有的黑芯来区别硅面和碳面。该方法解决了现有方法费时费力及对晶片带来的损伤问题，适用范围广，简单快捷，对晶片不会产生任何损伤，从而消除现有方法中晶片定位边或V型槽对晶体生长的不利影响，提高晶片质量和有效使用面积。
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公开(公告)号：CN117464549A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311612547.2
申请日：2023-11-29
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅抛光装置和工艺，该装置包括抛光盘、载物块、LED紫外光源、石墨电极和电源，所述的抛光盘上表面设有抛光垫，所述的载样块工作面设有载体薄片，LED紫外光源正对抛光盘，石墨电极与载体薄片接触，载体薄片上方还设有抛光液输出管，电源的正极与载物块、抛光液、石墨电极、电源的负极形成一个电流回路光催化辅助抛光技术利用纳米光催化剂在紫外光照射下生成经基自由基·OH的强氧化作用氧化碳化硅，避免了传统化学机械抛光存在的抛光液容易失效、腐蚀设备、污染环境、危害人体、等问题。
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公开(公告)号：CN116921337A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310951602.4
申请日：2023-07-31
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明提供一种碳化硅晶片集中清洗设备及集中清洗方法，包括清洗室、集中清洗夹具等装置，其中集中清洗夹具包括第一清洗夹具以及第二清洗夹具,在碳化硅晶片集中放置完毕后，通过控制第一清洗夹具翻转至第二清洗夹具上方让二者位置对应能够形成清洗区域，在清洗的过程中能够控制晶片在清洗区域内移动，让碳化硅晶片不同的位置与清洗区域内不同内壁相接触，能够让碳化硅晶片周向的边缘部分均裸露于清洗区域内，能够提高兆声清洗设备对晶片边缘部分的清洗效果，避免污染物质残留。该发明能够在碳化硅晶片清洗的过程中通过偏转夹具的方式让碳化硅晶片位置发生偏转，加强了对其底端边缘位置的清洁效果，提高了整体清洁效率。
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公开(公告)号：CN116787237A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310967129.9
申请日：2023-08-01
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅晶体电化学抛光工艺，使用本发明的工艺，粗抛中碳化硅晶体表面粗糙度Sa从83.364nm下降到1.977nm；半精抛30min内使碳化硅晶体表面粗糙度Sa从2.195nm下降到0.489nm，在提高抛光效率的基础上，还能兼顾表面质量；精抛光能够得到无损伤、超光滑表面，表面粗糙度Sa达到0.112nm，符合碳化硅作为衬底材料的使用要求，同时材料去除率MRR达到0.849km/h。
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公开(公告)号：CN116714125A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310951603.9
申请日：2023-07-31
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种籽晶分离装置及使用方法，涉及到碳化硅晶体技术领域，包括升降单元：用于承载坩埚盖与籽晶并进行整体的高度调节；线切割单元：用于对坩埚盖与籽晶之间的高温胶层进行切割以使得坩埚盖与籽晶分离。本装置采用线切割单元对较后的高温胶层进行切割处理，可使得坩埚盖与带有晶体的籽晶安全且快速分离，还包括调节上金刚线与下金刚线两线之间距离以及自动调节金刚线张紧度的调节单元，可自动保持金刚线张紧度的同时可调节上金刚线与下金刚线之间的间距，以适应对不同厚度的高温胶层的切割，扩大其使用范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116587109A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310427677.2
申请日：2023-04-20
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种快速加工晶圆片倒角的方法及其装置，涉及碳化硅材料加工技术领域，包括S1:将晶圆片居中放置在真空吸附载台上并进行真空吸附定位；S2:三个盘式砂轮旋转、移动并靠近真空吸附载台上固定的所述晶圆片并同时对所述晶圆片进行倒角操作，且倒角过程中需要冷却水对打磨部进行冷却。本发明放弃了利用槽式砂轮加工倒角的方式，采用盘式砂轮，避免了槽式砂轮利用率不高，单片成本过高的状态。本发明采用了三体位同时加工的方式，摒弃了原始研磨方式（T1/R研磨模式、T2研磨模式、T3研磨模式）中的先后加工方式，极大的优化了加工工艺，提高了研磨的效率，降低了倒角崩边的概率，也有效的提高了倒角工序的产量，有利于大批量的商业生产。
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公开(公告)号：CN116443880A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310191454.0
申请日：2023-03-02
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC: C01B32/956
Abstract: 本发明设计了一种简便可行的高堆积密度碳化硅粉料的制备方法，可在保持粉料纯度不降低的情况下，将现有粉料的堆积密度提高20‑30%，以满足生长更厚碳化硅单晶的需求。
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公开(公告)号：CN115584552B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211367145.6
申请日：2022-11-03
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅技术领域，具体是涉及一种碳化硅晶体生长装置，包括生长炉外筒，生长炉外筒内设有坩埚、保温筒和第一加热器，坩埚内设有环形内胆，环形内胆中设有第二加热器，生长炉外筒的顶部设有升降机构和测温器，升降机构的输出端连接有升降杆，生长炉外筒的顶部和保温筒的顶部分别设有两个测温口，生长炉外筒的外壁上设有若干个散温口，生长炉外筒内还设有降温机构，环形内胆将坩埚内的空间隔断成靠近坩埚内壁的外围区以及远离坩埚内壁的中心区，通过设于环形内胆中的二号加热丝与套设于保温筒上的一号加热丝的同步发热，最终使得位于外围区以及中心区内的碳化硅粉料的温度趋于一致，解决了坩埚内碳化硅粉料受热不均的问题。
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公开(公告)号：CN115057441A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210796753.2
申请日：2022-07-08
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
IPC: C01B32/984
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体领域，特别涉及一种高纯碳化硅原料合成方法。传统原料合成方法使用Si粉C粉混合和进行固相反应生成SiC粉体。本发明将粉末状的C原料替换成高纯石墨碳毡材料，利用石墨碳毡的多孔中空结构，有效控制反应速度和反应均匀性，制备得到粒径均一的高纯SiC原料。
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公开(公告)号：CN114517333A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202111412091.6
申请日：2021-11-25
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于SiC晶体生长的多用途石墨坩埚，包括石墨坩埚本体、石墨籽晶盖和螺纹石墨空心管，所述的石墨籽晶盖上设有螺纹盲孔，螺纹盲孔与螺纹石墨空心管相适配，通过在顶部测温孔中间插入石墨空心管的方式避免挥发物在石墨管中心沉积，有效避免测温孔被堵塞；同时通过在石墨空心管设计成带外螺纹多段式镂空或打孔结构，通过螺纹旋转不仅可以添加多层石墨圆薄板调控轴径向温度场，而且通过设计多段连接和侧面开孔或镂空结构，不仅避免每次安装出现偏差影响温度测量的准确性和重复性，同时还避免密闭型石墨空管不利于温度场的均匀性。通过本发明设计能在不同炉次、批次间调控生长区的轴径向温度梯度，实现SiC晶体生长可控的稳定生产。
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