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公开(公告)号：CN118777365A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410757459.X
申请日：2024-06-12
Applicant: 上海大学
Abstract: 本申请公开一种瞬态热测试中冷却曲线的分段拟合方法及设备，涉及电子器件热性能测试领域，包括：基于第一节点和第二节点的初始位置，以及，第三节点的具体位置，将温度变化曲线划分为第一阶段曲线和第二阶段曲线；对第一阶段曲线上的数据采用平方根拟合，以及，对第二阶段曲线上的数据采用指数拟合，得到初步拟合曲线；保持第一节点的初始位置不变，执行第一流程直至第二节点的位置达到第一设定位置；当第二节点的位置达到第一设定位置时，执行第二流程直至第一节点的位置达到第二设定位置；基于第一节点和第二节点的最优位置，以及，第三节点的具体位置，重新划分温度变化曲线并分段拟合，得到拟合冷却曲线。本申请提高了冷却曲线的拟合精度。
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公开(公告)号：CN113702793B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202111014636.8
申请日：2021-08-31
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明涉及一种基于结构函数的半导体器件寿命分析方法及系统。该方法包括：对待分析半导体器件进行寿命循环试验；对寿命循环试验后的待分析半导体器件进行热测试，得到待分析半导体器件的瞬态响应曲线；根据瞬态响应曲线确定待分析半导体器件的结构函数；待分析半导体器件的结构函数包括积分结构函数和微分结构函数；积分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容之间的函数，微分结构函数为待分析半导体器件的热阻与热容对热阻一阶导数之间的函数；根据积分结构函数和微分结构函数对待分析半导体器件内部的各层结构进行分析，得到待分析半导体器件的寿命分析结果。本发明可以实现半导体内部结构的分析，从而指导半导体性能的优化。
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公开(公告)号：CN111999360B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202010904084.7
申请日：2020-09-01
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/30 , G01N27/327 , G01N27/38
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，具体涉及一种石墨烯基非酶葡萄糖传感器及其制备方法和应用。本发明提供了一种石墨烯基非酶葡萄糖传感器，包括铜基板、生长在所述铜基板表面的石墨烯薄膜、散布在石墨烯薄膜表面的二维层状结构化合物和铜纳米粒子外层。在本发明中，石墨烯是一种二维纳米材料，具有高比表面积、导电性优异和生物兼容性优异的特点，有利于提高传感器的灵敏度；二维层状结构化合物其具有较大的比表面积、良好的导电性、稳定性和机械性能；铜纳米粒子具有大的表面体积比和电子性能，能够与二维层状结构化合物协同修饰传感器衬底‑电极组合，帮助生物识别，以增加靶标结合，放大信号并由此提高传感器的灵敏度、稳定性和扩大检测范围。
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公开(公告)号：CN113447788A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110719753.8
申请日：2021-06-28
Applicant: 上海大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅MOSFET瞬态热测试方法及装置，设定试验参数，向碳化硅MOSFET栅极施加正电压，经过一个门及延迟后，对碳化硅MOSFET施加加热电流进行加热，加热一定时间后，完成加热，施加测试电流，同时过一个门及延迟后，向碳化硅MOSFET栅极施加负电压，开始测试碳化硅MOSFET。当加热完成经过测试延迟后，开始采集热测试信号，得到碳化硅MOSFET的漏极和源极之间的电位差。正电压和负电压由栅极电压源提供，加热电流由加热电流源提供并由第一开关控制，测试电流由测试电流源提供并由第二开关控制。本方法解决了瞬态热测试过程中待测电压信号出现振荡现象的问题，提高了碳化硅MOSFET瞬态热测试的准确性。
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公开(公告)号：CN113390937A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110654240.3
申请日：2021-06-11
Applicant: 上海大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明涉及一种可穿戴柔性印刷电极及其制备方法，通过在PI薄膜上制备多层石墨烯薄膜能有效改善柔性衬底PI的水氧阻隔的效果，同时石墨烯薄膜几乎不会对聚合物衬底的柔韧性产生影响，石墨烯薄膜优良的散热性能有助于印刷电极的散热，保证印刷电极的工作稳定性；同时，由于非晶硅牺牲层的引入，提高了PI衬底的激光剥离性能，从而使激光剥离对PI衬底结构的影响达到最小；而且，由于PI衬底背胶的引入，使得该柔性印刷电极具有一定的粘附性更加利于穿戴。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108226218A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611126417.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明提供了一种电子器件的热阻测量方法和系统，包括：采集待测电子器件在阶跃功率下的冷却曲线f(k)；其中，k表示对数时间；利用贝叶斯迭代差分算法计算冷却曲线f(k)的导数；采用贝叶斯迭代法对冷却曲线f(k)的导数进行反卷积处理，得到时间常数谱；依据所述时间常数谱获取每一个Foster型网络单元的热阻和热容，并依据获取的热阻和热容构建Foster型网络模型；将构建的所述Foster型网络模型转换为Cauer型网络模型。本发明在保证结果准确的同时，最大程度地降低了噪声对时间常数谱转换的影响，更加准确地反映电子器件的热阻。
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公开(公告)号：CN108070891A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201611022144.2
申请日：2016-11-16
Applicant: 上海大学 , 镓特半导体科技(上海)有限公司
IPC: C25D9/04 , C23C16/26 , C23C28/04 , H01L23/492 , H01L23/373 , H01L23/42
Abstract: 本发明提供一种石墨烯碳纳米管复合薄膜及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：S1：提供一基底，所述基底整体或至少有一面的材质为石墨烯催化剂；S2：进行电镀，使碳纳米管附着在所述基底表面，且所述碳纳米管未覆盖满所述石墨烯催化剂；S3：采用化学气相法在所述基底具有所述石墨烯催化剂的一面继续生长石墨烯，得到石墨烯碳纳米管复合薄膜。本发明具有工艺简单的特点，无需转移的自生长工艺得到的石墨烯/碳纳米管复合薄膜质量比较好，并且复合薄膜与催化基板有良好的接触与附着。
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公开(公告)号：CN103996777B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410187487.9
申请日：2014-05-06
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种自生长石墨烯电极发光二极管及其制备方法，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、金属插入层和石墨烯电极层结合形成，通过金属插入层作为CVD法制备石墨烯电极的催化剂，实现石墨烯的自生长，使金属插入层和石墨烯电极层的石墨烯材料形成石墨烯复合电极。本发明方法采用石墨烯薄膜与金属插入层形成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明采用金属插入层作为催化剂，实现CVD法石墨烯电极的自生长，借助于金属插入层与半导体及石墨烯间的良好接触特性提高器件的界面特性，并通过金属插入层改善石墨烯与半导体间的电荷注入，优化器件的性能。
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公开(公告)号：CN106058052A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610535952.2
申请日：2016-07-10
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02E60/13 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01G11/00 , H01L25/167 , H01L51/50
Abstract: 本发明属于新能源开发应用领域，涉及一种基于薄膜发电、储能、发光的集成系统，它包括基板、OPV器件、超级电容器和OLED发光器件，所述OPV器件、超级电容器和OLED发光器件集成在一块基板的同一个平面上。光照射到OPV器件，产生的电能存储于超级电容器中，超级电容器既可以用于驱动OLED发光器件发光，也可以作为便携式供电装置。本发明将OPV器件、OLED发光器件及超级电容器连接，既可以避免了由于OPV器件对光的吸收造成的光强损失，又可以应用在柔性技术中。
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公开(公告)号：CN103165797B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310079279.2
申请日：2013-03-13
Applicant: 上海大学
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种白光LED薄膜封装用荧光粉预制薄膜及其制备方法。该薄膜的成分为荧光粉和粘结剂，粘结剂为硅胶或者环氧树脂。采用丝网印刷法将其涂覆在模具上形成一层薄膜，然后在50-200oC下固化5-100分钟，制得未完全固化但具有一定刚度的薄膜。薄膜通过定位，压合，及二次固化实现白色LED器件及模块的封装。该方法可可解决相同批次及不同批次之间出光一致性的问题；避免围堰材料的使用，减少了围堰工艺流程，降低了成本；由于预制荧光膜为半固化膜，具有一定可塑性，有效的避免了预制膜对键合金线的损伤；并作为倒装、垂直结构及平面结构白色LED的最后一步封装流程，使用范围较广；由于采用了薄膜封装，减小了器件及模块的3D尺寸，可大幅提高集成封装的密度。
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