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公开(公告)号：CN101477967B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910029174.X
申请日：2009-01-13
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/822 , B82B3/00 , H01L45/00 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种制备垂直结构相变存储器的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件技术领域。该方法包括准备衬底、镀隔热层、镀薄膜层、铺设模板、离子刻蚀、去除模板、镀绝热层、抛光磨平、光刻腐蚀、复镀绝热层、复抛磨平、制作电极各步骤。本发明采用纳米阵列的相变材料作为存储信息的载体，通过在电极与相变材料之间导入合适的介质层，提高了相变有源区的热效率，使得存储器件的操作电流与功耗得到有效降低，并且工艺简单、成本低廉，从而为制造出适合PCRAM的商用化存储器奠定了基础。
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公开(公告)号：CN100483744C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200710021060.1
申请日：2007-03-23
Applicant: 南京大学
IPC: H01L29/788 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L27/115 , H01L21/336 , H01L21/28 , H01L21/8247
Abstract: 基于双层纳米硅结构的半导体非挥发性浮栅存储器，以p型硅(电阻率为1-10Ω·cm)作为衬底(20)，源漏极(22、28)在衬底的两侧，在衬底上先设有第一层隧穿介质层形成的SiO2层(23)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第一纳米Si层(24)，晶粒尺寸为2-7nm；衬底上第二层隧穿介质层亦为SiO2层(26)，厚度为1-2nm或SiNx层，厚度为3-5nm；然后是第二纳米Si层，晶粒尺寸为2-7nm；第二纳米Si层上淀积形成控制氮化硅介质层，厚度为8-20nm；氧化硅或氮化硅介质层上是多晶硅栅。
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公开(公告)号：CN100479307C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710023138.3
申请日：2007-06-06
Applicant: 南京大学
IPC: H02M3/07 , H03K19/094
Abstract: 本发明公开了一种电荷泵电路结构，包括辅助电荷泵、电平移位器和主电荷泵，辅助电荷泵为电平移位器提供次高电平(VDD)，并用于改善主电荷泵低阶开关(P1，P2)控制时钟的摆幅，加速其启动过程；主电荷泵启动后又反过来为电平移位器提供最高电平(VCP)，最终改善了主电荷泵高阶开关(P3，P4)控制时钟的摆幅。本发明能有效控制开关管的电导，提高电压增益，避免了高阶电荷泵通常遇到的低效率、启动时间长等缺陷，具有高电源增益，启动时间短等特征，并且适合于低电压应用环境。
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公开(公告)号：CN101281884A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810024961.0
申请日：2008-05-20
Applicant: 南京大学
IPC: H01L21/822 , H01L21/316 , H01L21/283 , H01L33/00 , C23C14/30 , C23C14/08
Abstract: 本发明涉及一种可用于硅基光电集成器件的SiOx薄膜制备方法，属于光电子材料技术领域。该方法包括清洗硅片衬底并去除其表面自然氧化层后干燥、在电子束蒸发沉积装置中通入O2蒸发薄膜、制备器件电极各步骤。本发明的方法仅用氧气作为气源，成本低、对环境无污染，且在低温下进行，操作安全。
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公开(公告)号：CN101271947A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810025499.6
申请日：2008-05-06
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明涉及一种基于可控非对称掺杂势垒量子阱结构的纳米硅基发光器件及其制备方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该发光器件在半导体衬底上淀积有硼掺杂的非晶碳化硅薄膜作为空穴势垒层；在空穴势垒层上淀积有非晶硅薄膜退火后生成的纳米硅薄膜作为发光有源层；在发光有源层上淀积有磷掺杂的非晶二氧化硅薄膜作为电子势垒层；在电子势垒层上淀积留有光学窗口的导电薄膜作为发光器件阴极；半导体衬底的背面淀积有导电薄膜作为阳极。工艺过程为制备带有量子阱结构多层薄膜，再后处理退火晶化和制备器件电极。本发明兼具高效、平衡的载流子注入结构与Si/SiO2发光体系两方面的优点，为高效硅基发光器件的实现提供了可能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101244803A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810024440.5
申请日：2008-03-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种制备合金相变材料纳米点阵的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括在水表面铺设单层纳米聚苯乙烯小球PS小球、用衬底材料捞PS小球单层膜、反应离子刻蚀、退火去除PS掩模版、在纳米阵列上层蒸镀绝热绝缘材料、去除蒸镀层表皮各步骤，形成相互绝热、绝缘的纳米相变材料阵列。采用本发明后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，获得高密度、高均匀度的锗锑碲和硅锑碲纳米点阵，使得相变材料的有源区的尺寸达到几十纳米甚至几纳米，有助于大大降低材料发生相变所需的电压和功耗，使硫系化合物纳米相变材料走出实验室，切实实现产业化。
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公开(公告)号：CN101227298A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810019017.6
申请日：2008-01-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于片上网络的路由器功耗模型，它将路由器操作根据功耗比重简化为写缓存、读缓存、横跨开关和横跨链路四个功耗环节，并且将动态功耗归因于当前数据片到来时触发的位反转活动，通过位反转活动来统计功耗，得到的路由器功耗模型。考虑到片上网络环境要求功耗模型的实现复杂度尽可能低，本发明可采用统计平均值取代瞬时采样值，得到功耗简化模型。针对五通道路由器结构给出了两种功耗模型的硬件实现方法，并且将简化模型引入到自适应路由算法中，实现了片上网络的功耗分布优化。本发明提出的路由器功耗模型，算法复杂度低，实现简单，适合于片上网络，可以用于片上网络的功耗性能统计、功耗分布优化、热保护等方面的研究和应用。
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公开(公告)号：CN101132042A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710132145.7
申请日：2007-09-11
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 提高掺氧硅基氮化物薄膜电致发光器件发光效率的方法，其步骤是1)在室温下生长富硅非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：利用等离子体增强化学汽相淀积方法，在室温下，采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3)作为反应气源，在ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，SiH4与NH3的流量比控制在0.5－1之间，薄膜厚度60－100nm；2)氧等离子体源氧化以形成富硅的掺氧非晶氮化硅(a－SiNx)薄膜：在衬底温度为95－105℃的条件下，利用PECVD技术，用氧等离子体源氧化室温生长的a－SiNx薄膜，氧等离子体处理时间：10－30min；形成富硅的掺氧a－SiNx薄膜，以这层薄膜作为器件的有源层。
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公开(公告)号：CN100367467C
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200610085300.X
申请日：2006-06-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明涉及一种常温下用硅衬底上的单层CdTe纳米晶体作为掩模版，构筑高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的方法，属于纳米电子和纳米光电子器件材料技术领域。该方法包括1)氧化、刻蚀；2)铺设单层CdTe纳米晶体模版；3)反应离子刻蚀；4)去除模版和漂洗；5)退火、钝化各步骤，完成高密度均匀分布硅纳米点、纳米线的构筑。采用本发明的方法后，可以与当前微电子工艺技术相兼容，避免使用成本昂贵的超精细加工技术，在获得均匀分布的高密度纳米硅的同时，可对纳米晶粒表面进行有效钝化，以降低缺陷态密度，因而能够显现出由于尺寸变化而引起的量子效应，达到调控低维有序体系结构和性能的目的，使纳米硅量子点走出实验室，切实实现产业化。
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公开(公告)号：CN101017873A
公开(公告)日：2007-08-15
申请号：CN200710020068.6
申请日：2007-02-09
Applicant: 南京大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 掺氧硅基氮化物薄膜黄绿波段发光二极管，在电阻率为4－20Ωcm的P型单晶硅片或ITO玻璃衬底上淀积a－SiNx薄膜，薄膜厚度在40－100nm之间，在a－SiNx薄膜上再镀有薄膜金属电极；P型单晶硅片的背面镀有另一电极，ITO本身构成另一电极。对于以ITO为阳极的硅基发光器件，直接在有源层上蒸镀一层1μm厚的金属铝(Al)薄膜作为阴极，Al电极为直径为3mm的圆斑，其中以ITO为阳极的一端为光出射端。
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