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公开(公告)号：CN105957934B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201610263454.7
申请日：2016-04-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种n‑SiC衬底AlGaN基垂直结构谐振腔紫外LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件领域。其依次由下电极层、n‑SiC衬底、n‑Alx0Ga1‑x0N导电缓冲层、n‑AlGaN基DBR下反射层、n‑Alx1Ga1‑x1N电流扩展层、AlGaN基极化诱导隧道结、p‑Alx2Ga1‑x2N空穴注入层、AlGaN基量子阱有源区、n‑Alx3Ga1‑x3N电子注入层、n‑AlGaN基DBR上反射层和上电极层构成，0.1≤x0、x1、x2、x3≤0.9。采用与AlGaN晶格更匹配的SiC衬底，改善AlGaN质量，提高内量子效率；利用谐振腔结构，增强TE模偏振光，提高器件光提取效率；通过隧道结实现结构倒置，减弱了极化电场的影响，提高量子阱内载流子复合发光效率。本发明进一步拓展了半导体紫外发光器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN104953469B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201510217380.9
申请日：2015-04-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种GaAs衬底ZnO微米棒端面出光的发光管或激光器及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。由下电极、衬底、ZnO微米棒、空穴注入层和上电极构成，ZnO微米棒沿着衬底的 方向放置，并和衬底之间用焊料烧结在一起，ZnO微米棒周围用有机填充物填平，空穴注入层采用Li掺杂的p‑NiO薄膜材料，沿垂直于衬底的 方向解理衬底和ZnO微米棒，解理形成的前、后端面构成激光器的前反射镜和后反射镜。本发明制备了GaAs或InP衬底ZnO微米棒端面出光的发光器件的增益区较长，可以提高器件的输出功率，其激光器件的谐振腔是法布里‑珀罗谐振腔，激光的方向性变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN105355698B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510900948.7
申请日：2015-12-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0693 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 一种基于GaSb的GaxIn1‑xSb/GaSb串联结构的热光伏电池及其制备方法，属于热光伏电池技术领域。结构从上到下依次为：上电极、重掺杂的p+型ZnS窗口层、p型GaSb有源区、n型GaSb、重掺杂的n+型GaSb隧穿层、重掺杂的p+型GaSb隧穿层、p型Gax1In1‑x1Sb有源区、n型Gax2In1‑x2Sb有源区、重掺杂的n+型GaSb背面电场层、n型GaSb衬底和背电极。本发明利用低压金属有机物化学气相外延(LP‑MOCVD)技术，在n型GaSb衬底上制备结构为n型GaSb衬底/n+型GaSb背面电场层/n型Gax2In1‑x2Sb有源层/p型Gax1In1‑x1Sb有源层/p+型GaSb隧穿层/n+型GaSb隧穿层/n型GaSb有源层/p型GaSb有源层/p+型ZnS窗口层的基于GaSb的GaxIn1‑xSb/GaSb串联结构热光伏电池。
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公开(公告)号：CN104535824B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201510007222.0
申请日：2015-01-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于高温超导材料性能测试领域，具体涉及检测高温超导薄膜材料临界电流密度的测试系统及测试方法。该系统由计算机、纳伏表、可编程直流电源以及探针台四部分组成，将样品固定于探针台上，置于液氮中，由计算机控制可编程直流电源提供电流信号，且实时记录纳伏表测量值和可编程直流电源的输出值，从而自动完成数据的记录以及绘图。本发明的特征在于可快速多点测量大面积样品，当测试不同的微桥时，不必再将样品从液氮中取出，而是在测试板上将连接纳伏表和电流源的导线更换到测试板上不同的圆孔座排母上，即不同的测试点即可，从而大大提高了测试效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104593772A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410843205.6
申请日：2014-12-30
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: C30B25/14 , C30B25/186 , C30B29/10 , C30B29/46
Abstract: 一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在生长锑化物半导体前，以其他物理沉积(如磁控溅射)薄膜制备技术预先在硅衬底上沉积铝(或AlSb)薄层。再将样品加载在MOCVD系统中外延生长。生长开始前只通入Sb有机源，然后在位退火，使铝(或AlSb)薄层锑化，形成稳定的AlSb缓冲层结构。当锑化物生长开始时，已经存在的AlSb缓冲层结构将提升锑化物半导体层覆盖度。整个生长过程没有在MOCVD系统中引入有机铝源，避免了设备的铝污染。该方法不仅可以提升锑化物在大晶格失配衬底上的表面覆盖度，而且可以避免铝源在设备中的记忆效应。
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公开(公告)号：CN102263370A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201110173444.1
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层、p-ZnO基材料发光层、p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层、上电极构成，衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN101976800A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010500171.2
申请日：2010-10-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备技术领域，涉及几种ZnO和GaN组合的ZnO基端面发射激光器及其制备方法。其芯片由衬底、在衬底上依次制备的GaN外延层、电流下限制层、ZnO基材料发光层、上电极构成，其特征在于：衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层的导电类型相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。
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公开(公告)号：CN100595939C
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200810050429.6
申请日：2008-03-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于半导体发光器件领域，特别是涉及一种具有掺杂夹层结构的ZnO基发光器件。由衬底、ZnO基材料缓冲层、ZnO基材料下限制层、ZnO基材料有源层、ZnO基材料上限制层、ZnO基材料盖层、掺杂夹层构成；掺杂夹层位于衬底和ZnO基材料缓冲层之间，或位于ZnO基材料盖层上面，掺杂夹层材料为GaAs、InP或Zn3As2，其厚度为5～150纳米，采用溅射法、PLD法、MBE法或蒸发法，在400～1000摄氏度退火1～5小时制备得到。掺杂夹层还可以为双条形、数字、字母、汉字、图画或点阵结构。本发明通过引入夹层结构，可以克服ZnO基材料p型掺杂难的问题。
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公开(公告)号：CN100381607C
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200510119039.6
申请日：2005-11-30
Applicant: 吉林大学
IPC: C23C16/00 , C23C16/48 , C23C16/52 , C23C16/40 , H01L21/205
Abstract: 本发明属于半导体发光器件及其制备方法技术领域，具体涉及一种ZnO薄膜专用光照辅助生长金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备系统及其工艺方法和p型掺杂技术。其特征是在反应室内装有光源(19)，在反应室侧壁上装有带绝缘电极的法兰盘(20)，还添加了光源控制电源(23)，光源通过导线连接在绝缘电极上(21)，再连接到光源控制电源上。本发明的优点是可以降低加热片的温度，可以快速升温，快速降温，进行衬底快速调制加热生长ZnO薄膜；光照还有利于杂质源的离化和杂质激活；同时又能解决p型ZnO见光退化不稳定问题，达到老化和稳定p型掺杂的目的。
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