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公开(公告)号：CN115186467B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202210769884.1
申请日：2022-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/20 , G06F119/02
Abstract: 本发明提供了一种飞行器紫外辐照表征方法、装置、计算机设备及存储介质，所述方法包括：获取当前时刻飞行器的运动状态和运行姿态、太阳光线的方向；根据所述飞行器的运动状态以及所述太阳光线的方向，判断所述飞行器是否受紫外辐照；当所述飞行器受到紫外辐照时，根据所述太阳光线的方向以及所述飞行器的姿态，对所述飞行器不同受晒面的紫外辐照情况进行分析。本发明通过获取飞行器的运动状态、姿态状态以及获取太阳光线的方向，对飞行器表面不同部位受到的不同程度的紫外辐射进行表征，考虑了不同飞行器的结构及受晒面，较为真实地实现对飞行器在轨运行期间的紫外辐照进行实时量化表征。
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公开(公告)号：CN111883218B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202010735168.2
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明提供了一种过渡金属硫化物非线性光学性质的调控方法及装置，方法包括：将过渡金属硫化物结构中的一个原子替换为标定原子，获得新的原子晶格；优化新的原子晶格的晶格参数，获得优化后的晶格参数；根据优化后的晶格参数依次进行自洽计算和非自洽计算，获得预处理后的晶格参数，根据预处理后的晶格参数确定电子带隙；根据预处理后的晶格参数进行非自洽计算，获得波函数，根据波函数进行GW‑BSE计算，获得光学带隙；根据光学带隙和电子带隙确定带隙差，根据带隙差确定修正参数；根据修正参数和控制参数进行模拟，获得多个二阶非线性非零响应光谱。本申请的技术方案，提高了过渡金属硫化物的非线性光学性质，降低了计算模拟过程的复杂度。
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公开(公告)号：CN117910403A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311603852.5
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于BSIM4模型的MOSFET模型可扩展性自动化检查方法，涉及MOSFET模型技术领域。所述自动化检查方法包括：输入待检查MOSFET模型参数；输入并扩展器件工作条件，求解待检查变量；运行检查函数；输出检查结果。为了检查模型的可扩展性，扩展器件的工作条件，求解代表器件性能的中间变量，并进行检查。
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公开(公告)号：CN111835303B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202010735178.6
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及放大电路技术领域，提供一种微弱脉冲信号放大电路和微尘探测器，包括输入电容、冲击传感器、电荷灵敏前置放大子电路和电荷灵敏后置放大子电路，输入电容和冲击传感器各自与电荷灵敏前置放大子电路的输入端电连接，电荷灵敏后置放大子电路与电荷灵敏前置放大子电路级联组成电荷灵敏放大子电路，成倍提高了电荷灵敏放大子电路的放大倍率，提升了电荷灵敏放大子电路的信号放大能力，在冲击传感器处于空闲状态下，利用输入电容，测试电荷灵敏放大子电路与冲击传感器适配，在冲击传感器处于探测状态下，输入电容防止输出微弱电荷脉冲信号至电荷灵敏放大子电路的性能，以免输入电容对冲击传感器产生信号干扰。
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公开(公告)号：CN117540686A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311604053.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种工艺和器件一体化设计控制仿真方法，涉及电子器件工艺和器件一体化技术领域。所述仿真方法包括：获取环境变量并设置工作路径；回显系统名称和版权信息；初始化场数据管理器；向TCL解释执行器注册扩展命令；加载缺省模块；执行仿真任务。将场数据管理器作为连接工艺和器件之间数据的公共类，通过TCL命令和.str文件实现工艺和器件之间的连接控制，从而避免过度设计，提高产品良率，并且大幅度降低芯片设计工艺成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117540684A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311604021.X
申请日：2023-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种基于GP模型的BJT模型参数范围自动化检查方法，涉及双极性结型晶体管技术领域。所述自动化检查方法包括：步骤100、读取模型参数文件和参数取值范围文件；步骤200、判断所述模型参数文件中的前参数取值是否满足位于所述取参数取值范围文件的当前参数对应的错误边界的范围内；步骤300、基于步骤200，分析参数取值是否符合物理要求；对所述模型参数文件中的所有参数依次执行步骤200和步骤300。
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公开(公告)号：CN116184145A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211415078.0
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/265
Abstract: 本发明提供了一种金属半导体场效应管中位移缺陷的检测方法及系统，涉及半导体检测领域，通过将缺陷参数输入至位移缺陷模型中，相当于假定缺陷为位移缺陷，得到模拟出的仿真曲线，这个仿真曲线是MESFET器件发生位移缺陷的情况下得到的曲线，将仿真曲线与通过实际测试得到的性能曲线进行比较，当仿真曲线与性能曲线吻合的时候，就能够验证当前测试的MESFET器件中发生了位移缺陷。用这种方法对MESFET器件进行检测，不需要再通过多次退火试验来进行验证确认，仅对待测元件进行电学性能测试，获得性能曲线，再与模拟仿真获得的仿真曲线相互对比佐证，就能够准确的检测出位移缺陷，提高检测的速度。
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公开(公告)号：CN111863607B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202010735238.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/266 , H01L21/331 , H01L29/10 , H01L23/552 , H01L29/735
Abstract: 本发明提供了一种抗辐射功率晶体管及其制备方法。所述抗辐射功率晶体管的制备方法包括：提供衬底，并在所述衬底上形成外延层，在所述外延层上形成基区；向所述基区内多次注入第一杂质粒子，在所述基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区。本发明通过向基区内多次注入第一杂质粒子，在基区内形成具有浓度梯度的杂质注入区，通过高浓度区域阻挡载流子被复合掉，低浓度区域保证晶体管自身性能，且浓度差的形成会产生势垒，进一步影响载流子的传输过程，降低其被复合掉的几率，有效地减缓了辐射环境下复合电流的增加，减少基区损伤区域，从而提升晶体管的抗辐射能力，达到减缓晶体管辐射损伤的目的，同时又能够保证晶体管本身的性能。
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公开(公告)号：CN111856095B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202010735735.4
申请日：2020-07-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供了一种脉冲高压负载电阻模块、组装方法及装置，涉及高频电子功率调节器技术领域，所述脉冲高压负载电阻模块包括电阻模块，包括多个负载电阻相互连接构成的电阻网络；安装板，与所述电阻模块相连接，以及散热组件，与所述安装板相连接，所述散热组件包括第一散热件和第二散热件，所述第二散热件与所述第一散热件的外壁固定相连，且所述第二散热件的内部设置腔体，且所述腔体内填充导热材料。与现有技术比较，本发明散热组件在电阻模块的最外层直接导热，减小了热传导路径，散热效率高，降低散热器重量，减小设备体积，且采用导热材料填充散热组件，进一步缩小产品尺寸，杜绝了电阻拉弧打火现象，安全性高。
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公开(公告)号：CN115906595A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211410683.9
申请日：2022-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F30/25 , G06F119/02
Abstract: 本发明提出了一种单粒子瞬态模拟方法，包括：获取预设的粒子入射的径向参数、粒子入射深度、轨道路径系数、时间参数和电子‑空穴对密度；根据所述时间参数确定粒子的电荷产生时间，根据所述粒子入射深度和所述轨道路径系数确定粒子在轨道路径上的变化情况；根据所述径向参数、所述电荷产生时间、所述变化情况、所述电子‑空穴对密度和预设电子‑空穴对生成率模型模拟电子‑空穴对生成率。本发明的有益效果：能够模拟判断器件受到单粒子效应的电学性能变化。
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