公开(公告)号：CN115004859A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202080094690.5

申请日：2020-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  郡司辽佑

IPC: H05B33/02 ,  H05B33/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/22 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32

Abstract: 有机EL显示装置(1)的显示区域(D)在第一显示区域(D1)的内侧具有使在照相机中利用的光透射的第二显示区域(D2)。第二显示区域的第一电极(51)的面积小于第一显示区域的第一电极的面积。TFT层(20)的多个上层接触孔(36h)中，用于将第一显示区域的第一电极连接于TFT的第一上层接触孔(36h2)位于与边缘罩重叠的部位，用于将第二显示区域的第一电极连接于TFT的第二上层接触孔(36h2)位于与边缘罩的开口对应的部位。

公开(公告)号：CN111656427B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201880087601.7

申请日：2018-01-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  郡司辽佑 ,  谷山博己 ,  市川伸治 ,  家根田刚士 ,  神村浩治 ,  仲田芳浩 ,  井上彬

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 在狭缝(CL)中的靠近显示区域(DA)的一方的端部以及靠近端子部(TM)的一方的端部形成有包含蚀刻阻挡物膜(15a、15b)的台阶形状的侧面。

公开(公告)号：CN113615318A

公开(公告)日：2021-11-05

申请号：CN201980094544.X

申请日：2019-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 斋田信介 ,  市川伸治 ,  郡司辽佑 ,  冈部达 ,  井上彬 ,  仲田芳浩 ,  神村浩治

IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 在显示区域的内部被规定成岛状且形成有贯通孔的非显示区域中，分离壁(Ea)沿着贯通孔的周缘设置为框状，分离壁(Ea)具备通过第二层间绝缘膜(17)的一部分被设置为框状的壁基部(Ua)以及在壁基部(Ua)上以向贯通孔侧以及显示区域侧突出的方式而设置为屋檐状的树脂层(19e)，在第二层间绝缘膜(17)中，在壁基部(Ua)的贯通孔侧以及显示区域侧的周围设置有向上方开口的开口部(Md、Mh)。

公开(公告)号：CN112585665A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201880096349.6

申请日：2018-08-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  郡司辽佑 ,  市川伸治 ,  斋田信介 ,  冈崎庄治 ,  吉田德生 ,  谷山博己 ,  有贺广司 ,  神村浩治 ,  井上彬 ,  仲田芳浩 ,  小原义博 ,  谷村康治

IPC: G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/06

Abstract: 在显示区域中，分别设置由第二金属膜形成的多条第一显示用配线、覆盖各条第一显示用配线的第一平坦化膜以及在第一平坦化膜上由第三金属膜形成的多条第二显示用配线，在折弯部(B)设置有第一树脂膜(19b)，该第一树脂膜(19b)以填埋第一无机绝缘膜(15)的狭缝(S)的方式由与第一平坦化膜相同的材料形成在同一层，在第一树脂膜(19b)的上表面，由第三金属膜形成的多条第一连接配线(20c)以在与折弯部(B)的延伸方向交叉的方向上相互平行地延伸的方式设置。

公开(公告)号：CN112136169A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201880093580.X

申请日：2018-05-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  郡司辽佑 ,  有贺广司 ,  谷山博己 ,  市川伸治 ,  斋田信介 ,  神村浩治 ,  井上彬 ,  小原义博 ,  谷村康治 ,  仲田芳浩

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 在设置于基底基板(10)上的TFT层(30a)中，依次层叠有第一金属膜、第一无机绝缘膜(15)、第二金属膜、第二无机绝缘膜(17)、第三金属膜、第一平坦化膜(19a)、第四金属膜及第二平坦化膜(21)，在边框区域(F)中，在第二平坦化膜(21)以包围显示区域的方式形成有狭缝(S)，在从狭缝(S)露出的第一平坦化膜(19a)上设置有由第四金属膜形成的第一导电层(20a)，在第一导电层(20a)的基底基板(10)侧以与第一导电层(20a)重叠的方式设置有驱动电路(C)的TFT(9)。

公开(公告)号：CN108780221B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201780019232.3

申请日：2017-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  中岛伸二 ,  石田和泉 ,  村重正悟

IPC: G02B26/02 ,  G09F9/30 ,  G09F9/37

Abstract: 本发明不扩大配线的线宽就使配线电阻下降，从而抑制配线延迟。包括遮光膜(102)、光透射膜(106)和第一配线层(105A)，该第一配线层为用于对像素的光的透射量进行电控制的配线的一部分，第一配线层(105A)设置在遮光膜(102)之上，光透射膜(106)以覆盖上述第一配线层的侧面的方式设置在第一配线层(105A)的上层。

公开(公告)号：CN111656427A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201880087601.7

申请日：2018-01-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  郡司辽佑 ,  谷山博己 ,  市川伸治 ,  家根田刚士 ,  神村浩治 ,  仲田芳浩 ,  井上彬

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00

Abstract: 在狭缝(CL)中的靠近显示区域(DA)的一方的端部以及靠近端子部(TM)的一方的端部形成有包含蚀刻阻挡物膜(15a、15b)的阶段形状的侧面。

公开(公告)号：CN111566719A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201880086053.6

申请日：2018-01-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  郡司辽佑 ,  谷山博己 ,  斋田信介 ,  市川伸治 ,  仲田芳浩 ,  神村浩治 ,  井上彬

IPC: G09F9/30

Abstract: 一种显示设备(2)，其包含：基板；半导体膜(15)；无机绝缘膜(16)，形成在比所述半导体膜更上层；发光元件(ED)，形成在比所述无机绝缘膜更上层，且包含第一电极(22)以及第二电极(25)；在所述无机绝缘膜上形成有接触孔(CHa)，所述接触孔与所述第一电极的一部分重叠，在所述接触孔中，所述第一电极的一部分(22h)与所述半导体膜接触(15)。

公开(公告)号：CN111149430A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201780095346.6

申请日：2017-09-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 斋田信介 ,  冈部达 ,  郡司辽佑 ,  谷山博己 ,  市川伸治 ,  仲田芳浩 ,  神村浩治 ,  井上彬

IPC: H05B33/04 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供可防止在密封发光层的密封层的端部形成的第一隔壁与第二隔壁之间的密封层的剥离的显示装置。有机EL显示装置(1)通过第一堤(34A)和在比该第一堤(34A)靠外侧隔开间隔形成的第二堤(35A)双重包围密封发光元件层(20)的密封层(30)的端部。第一堤(34A)中的第二堤(35A)侧的外侧壁面(34a)形成为比第一堤(34A)中的与第二堤(35A)侧相反侧的内侧壁面(34b)倾斜角度小的平缓斜面。

公开(公告)号：CN109075122A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780023732.4

申请日：2017-05-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈部达 ,  锦博彦 ,  家根田刚士

IPC: H01L21/768 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L23/522 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明提供具有可靠性高的配线连接构造的有源矩阵基板、其制造方法和显示装置。第一金属配线(122)和第二金属配线(125)经由被导体化的IGZO层(124)电连接。此时，因为在第二金属配线(125)与ITO层(109)之间形成有钝化层(107)和有机绝缘膜(108)，所以第二金属配线(125)和ITO层(109)不接触而分离。由此，在第二金属配线(125)的铝层(125a)与ITO层(109)之间不会由于电蚀而发生接触不良，成为可靠性高的配线连接构造。